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本实用新型为一种抗参数漂移反相器,在保证功能正确的前提下,有效得解决外界因素所引起的反相器的参数漂移问题,包括:低噪声容限减小、输出高电平降低和传输特性左移;该反相器结构具有:一个主反相器,一个补偿NMOS管,一条补偿支路,其中补偿支路包括...该专利属于中国工程物理研究院电子工程研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国工程物理研究院电子工程研究所授权不得商用。
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本实用新型为一种抗参数漂移反相器,在保证功能正确的前提下,有效得解决外界因素所引起的反相器的参数漂移问题,包括:低噪声容限减小、输出高电平降低和传输特性左移;该反相器结构具有:一个主反相器,一个补偿NMOS管,一条补偿支路,其中补偿支路包括...