全相变自旋非易失存储单元制造技术

本发明专利技术提供一种全相变自旋非易失存储单元，包括磁固定层、间隔层、磁自由层。所述磁固定层、间隔层以及磁自由层依次层叠设置，所述间隔层设置在所述磁固定层和磁自由层之间，且该间隔层分别与所述磁固定层和磁自由层接触设置。所述磁固定层、所述磁自由层的材料均为界面相变材料，所述界面相变材料包括两种体相变材料交替层叠设置。

【技术实现步骤摘要】
全相变自旋非易失存储单元
本专利技术涉及一种相变自旋非易失存储单元。
技术介绍
存储器是信息产业中重要的组成部件之一，如何发展新型的低成本、高密度、速度快、长寿命的非易失存储器一直是信息产业研究的重要方向。目前常用的非易失存储器包括相变存储器以及磁存储器。相变存储器是一种非磁性存储器，其在存储过程中，利用相变材料的非晶态（高阻态）和晶态（低阻态）两种状态间阻值的变化进行数据存储。相变存储器虽然能提供比传统DRAM更高的可扩展性，却存在写次数有限、读写性能不对称等问题。而且由于改变相变存储器状态需要的延时和能量都比较高，使得其在写操作性能和功耗方面处于劣势。磁存储器虽然具有高的集成度，却存在读写延迟较高的问题，而且目前磁存储器的材料比较复杂，导致目前磁存储器的成本都较高。相变材料广泛用于可擦写光盘中，且已经作为新一代非易失随机存储器的主要材料投入生产中。相变材料可以被看作是一种通用存储材料。虽然相变材料在光存储和电存储技术中有广泛的应用，在磁存储技术（利用自旋）中仍没有得到应用。这主要是因为，相变材料本身不具有磁性，但可以通过掺杂磁性元素使得相变材料获得磁性，然而这种方法获得的磁性相变本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种全相变自旋非易失存储单元，包括磁固定层、间隔层、磁自由层；所述磁固定层、间隔层以及磁自由层依次层叠设置，所述间隔层设置在所述磁固定层和磁自由层之间，且该间隔层分别与所述磁固定层和磁自由层接触设置；其特征在于，所述磁固定层、所述磁自由层的材料均为界面相变材料，所述界面相变材料包括两种体相变材料交替层叠设置。

【技术特征摘要】
1.一种全相变自旋非易失存储单元，包括磁固定层、间隔层、磁自由层；所述磁固定层、间隔层以及磁自由层依次层叠设置，所述间隔层设置在所述磁固定层和磁自由层之间，且该间隔层分别与所述磁固定层和磁自由层接触设置；其特征在于，所述磁固定层、所述磁自由层的材料均为界面相变材料，所述界面相变材料包括两种体相变材料交替层叠设置。2.如权利要求1所述的全相变自旋非易失存储单元，其特征在于，所述磁固定层及所述磁自由层的厚度在15nm-30nm之间。3.如权利要求1所述的全相变自旋非易失存储单元，其特征在于，所述两种体相变材料交替层叠的周期数为10-40。4.如权利要求1所述的全相变自旋非易失存储单元，其特征在于，进一步包括第一电极与第二电极，所述第一电极设置在所述磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：李黄龙，张子阳，施路平，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京,11