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本发明提供一种全相变自旋非易失存储单元，包括磁固定层、间隔层、磁自由层。所述磁固定层、间隔层以及磁自由层依次层叠设置，所述间隔层设置在所述磁固定层和磁自由层之间，且该间隔层分别与所述磁固定层和磁自由层接触设置。所述磁固定层、所述磁自由层的材...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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