一种阻变存储器及提高阻变存储器擦写电压稳定性的方法技术

本发明专利技术公开了一种提高阻变存储器(RRAM)的擦(RESET)、写(SET)电压稳定性的方法，利用该种方法制备的阻变存储器包括顶电极、底电极，以及制备于该顶电极与该底电极之间的阻变介质层，且该阻变介质层利用多种氧化物制备成多层的复合结构来代替单一氧化物构成的单层结构，由多种氧化物的共同作用，使该阻变介质层中致使导电细丝形成与断开的电压稳定于一个较小的值附近，从而使该阻变存储器的SET电压与RESET电压稳定于一个较小的值附近。较小且稳定的SET电压与RESET电压能够为RRAM器件外围电路的设计降低难度，提高设计效率，同时还可以降低RRAM器件的功耗。

【技术实现步骤摘要】
一种阻变存储器及提高阻变存储器擦写电压稳定性的方法
本专利技术涉及微电子、薄膜、功能材料及存储器
，具体涉及一种阻变存储器及提高阻变存储器擦写电压稳定性的方法。
技术介绍
阻变存储器(RRAM，resistiverandomaccessmemory)是一种新型固态非易失性存储器。与其他类型的非易失性存储器相比，RRAM具有结构简单、存储密度高、功耗低、读写速度快等优点，同时制备工艺更简单，与传统的CMOS工艺兼容性好。因此，RRAM得到了该领域相关研究人员的极大关注，成为最具竞争力的下一代存储技术之一。RRAM的工作原理是介质层材料的电阻在外加电场的作用下在高阻态(HRS)与低阻态(LRS)之间实现可逆的转换。器件由HRS向LRS转换时的电压被称为该器件的SET电压，相反地，由LRS向HRS转换时的电压被称为RESET电压。根据SET电压与RESET电压的极性是否一致可将RRAM分为单极型和双极型器件。其中单极型器件的SET电压与RESET电压极性相同，而双极型器件的SET电压与RESET电压极性相反。无论对于单极型器件还是双极型器件来说，在设计其外围电路时SET电压与RESE本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阻变存储器，包括顶电极，底电极，以及制备于所述顶电极与所述底电极之间的阻变介质层，其特征在于：所述阻变介质层是采用二元金属氧化物、三元金属氧化物、多元金属氧化物或二元金属氧化物、三元金属氧化物、多元金属氧化物经过掺杂改性之后的氧化物存储材料中的两种或两种以上制备而成的多层复合结构。

【技术特征摘要】
1.一种阻变存储器，包括顶电极，底电极，以及制备于所述顶电极与所述底电极之间的阻变介质层，其特征在于：所述阻变介质层是采用二元金属氧化物、三元金属氧化物、多元金属氧化物或二元金属氧化物、三元金属氧化物、多元金属氧化物经过掺杂改性之后的氧化物存储材料中的两种或两种以上制备而成的多层复合结构。2.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述顶电极与所述底电极采用单层金属电极、导电金属化合物电极、导电聚合物电极、高掺杂半导体电极或者是上述几种电极任意组合所组成的多层复合电极。3.根据权利要求2所述的阻变存储器，其特征在于，所述单层金属电极采用Ag、Cu、Pt、Al、Au、Pb或W，所述导电金属化合物电极采用ITO、FTO或AZO，所述导电聚合物电极采用聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撑、聚苯撑乙炔或聚双炔，所述高掺杂半导体电极采用高掺杂P型或N型的Si、Ge或GaAs，所述多层复合电极采用上述任意两种或多种制备而成。4.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述二元金属氧化物采用Al2O3、NiO、ZrO2、HfO2、ZnO或SnO2，所述三元金属氧化物采用AlZrO、InZnO或SrTiO，所述多元金属氧化物采用InGaZnO或PrCaMnO，所述经过掺杂改性之后的氧化物存储材料采用上述二元金属氧化物、三元金属氧化物、多元金属氧化物掺入其他金属或非金属元素制备而成。5.根据权利要求2或3所述的阻变存储器，其特征在于，所述单层金属电极、导电金属化合物电极和多...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘振，王晓琳，文朝，张海燕，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：广东,44