半导体器件故障检测的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术揭示了一种半导体器件故障检测的装置，所述装置包括主功率模块、电压处理模块和判断模块，所述主功率模块包括串联的至少一个半导体器件和桥臂电感，所述电压处理模块与所述桥臂电感并联，所述判断模块与所述电压处理模块连接；所述电压处理模块，用于采集所述桥臂电感的电压，并将采集的电压转换为低电压；所述判断模块，用于将所述转换后的低电压与预设的第一比较阈值、第二比较阈值进行比较，根据比较结果和判断模块中的预设条件来判断所述半导体器件是否发生故障；所述第一比较阈值小于或等于第二比较阈值。本实用新型专利技术提供的装置及方法可以实时检测半导体器件的过流、短路、直通情况。

Device for detecting fault of semiconductor device

The utility model discloses a device for detecting fault of the semiconductor device, the device comprises a main power module, voltage processing module and a judging module, the main power module includes at least one semiconductor device and arm inductor in series, the voltage processing module and the arm inductor in parallel, the judgment module and the voltage is connected with the processing module; the voltage processing module, voltage acquisition for the bridge arm inductance, and the sampled voltage into low voltage; the judgment module, for the first second low voltage threshold, comparing the converted with a preset threshold comparison comparison, according to the comparison result and judging module in the preset conditions to determine whether the failure of the semiconductor device; the first threshold value is less than or equal to second compared to the threshold. The device and the method provided by the utility model can detect the overcurrent, the short circuit and the through condition of the semiconductor device in real time.

【技术实现步骤摘要】
半导体器件故障检测的装置
本技术涉及到电子
，特别是涉及到半导体器件故障检测的装置。
技术介绍
半导体器件对导通时的电流上升率敏感，尤其是GTO、GCT、IGCT等器件对导通时的电流上升率更加敏感。为了限制半导体器件导通时的电流上升率，公知的做法是在半导体回路中串联电流上升率限制电抗器。当半导体器件过流、短路、直通情况发生时，需要迅速将过流、短路、直通情况进行检测和判断，进而控制能量有序泄放，有效防止故障扩大。快速、准确的检测和判断半导体过流、短路、直通情况是进行产品整体保护的关键点。现在通用的检测方法具有很大局限性：(1)不具有实时性，检测通道都需要经过滤波、记忆和复位环节，导致桥臂发生直通故障后无法第一时间检测出来，在实际应用中检测不及时将导致不能快速启动保护，从而导致次生故障。(2)不具有普遍适用性，半导体器件的电流上升率耐受值、桥臂电流上升率限制电抗器数值、检测通道滤波数值之间息息相关。实际应用中各个参数配合设计的复杂度很高。
技术实现思路
本技术的主要目的为提供一种半导体器件故障检测的装置，解决了现有半导体器件过流、短路、直通情况检测不具有实时性和普通适用性的问题。本技术提出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件故障检测的装置，其特征在于，所述装置包括由串联的至少一个半导体器件和桥臂电感构成的主功率模块、采集所述桥臂电感的电压并将采集的电压转换为低电压的电压处理模块、以及将所述转换后的低电压与预设的第一比较阈值、第二比较阈值进行比较，根据比较结果和预设条件判断所述半导体器件是否发生故障的判断模块；所述电压处理模块与所述桥臂电感并联，所述判断模块与所述电压处理模块连接，所述第一比较阈值小于或等于第二比较阈值。

【技术特征摘要】
2016.09.18 CN 201621060251X1.一种半导体器件故障检测的装置，其特征在于，所述装置包括由串联的至少一个半导体器件和桥臂电感构成的主功率模块、采集所述桥臂电感的电压并将采集的电压转换为低电压的电压处理模块、以及将所述转换后的低电压与预设的第一比较阈值、第二比较阈值进行比较，根据比较结果和预设条件判断所述半导体器件是否发生故障的判断模块；所述电压处理模块与所述桥臂电感并联，所述判断模块与所述电压处理模块连接，所述第一比较阈值小于或等于第二比较阈值。2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电压处理模块包括高阻分压电路和比例差分电路，所述高阻分压电路一端连接桥臂电感的输出，另一端连接比例差分电路，所述比例差分电路另一端连接判断模块。3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述电压处理模块还包括加法电路，所述加法电路连接于比例差分电路和判断模块之间。4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述判断模块包括比较电路和逻辑处理电路，所述比较电路一端连接电压处理模块的输出，另一端连接逻辑处理电路的输入，所述逻辑处理电路输出故障检测结果。5.如权利要求4所述的装置，其特征在于，所述第一比较阈值小于第二比较阈值时，所述比较电路包括并联的两个比较器第一比较器和第二比较器，所述第一比较器的比较电压为第一比较阈值，所述第二比较器的比较电压为第二比较阈值，第一比较器和第二比较器分别将比较结果输出至逻辑处理电路，供逻辑处理电路进行故障检测。6.如权利要求4所述的装置，其特征在于，所述第一比较阈值等于第二比较阈值时，所述比较电路包括一个第三比较器，所述第三比较器的比较电压为第一比较阈值，第三比较器将比较结果输出至逻辑处理电路，供逻辑处理电路进行故障检测。7.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：李海龙，王武华，郑大鹏，周党生，廖荣辉，
申请(专利权)人：深圳市禾望电气股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44