半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件以及一种制造该半导体器件的方法。所述半导体器件包括层间绝缘膜、具有第一宽度的第一沟槽和具有第二宽度的第二沟槽，第二沟槽包括上部和下部，第二宽度大于第一宽度，第一导线基本上填充第一沟槽并包括第一金属，并且第二导线基本上填充第二沟槽并包括下导线和上导线，下导线基本上填充第二沟槽的下部并包括第一金属，并且上导线基本上填充第二沟槽的上部并包括与第一金属不同的第二金属。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
示例实施例涉及一种半导体器件和/或制造该半导体器件的方法。
技术介绍
半导体器件可包括具有不同阈电压的晶体管。这样的具有不同阈电压的晶体管的示例可包括逻辑晶体管与静态随机存取存储器(SRAM)或者动态随机存取存储器晶体管等的组合。已经对调整包括在半导体器件中的这种晶体管的阈电压的方法进行了研究。
技术实现思路
一些示例实施例涉及一种半导体器件，其中，通过简单的方法调整多个晶体管的阈电压。一些示例实施例涉及一种制造半导体器件的方法，其中通过简单的方法调整多个晶体管的阈电压。一些示例实施例涉及允许多个晶体管的阈电压基本上彼此相等。该方法还可允许使所述多个晶体管中的每一个的阈电压等于期望值的方法。示例实施例不限于上面提及的，并且本领域技术人员可基于下面提供的描述清楚地理解上面未提及的其它示例实施例。根据示例实施例，一种半导体器件包括：层间绝缘膜；第一宽度的第一沟槽，其形成在层间绝缘膜中；第二宽度的第二沟槽，其形成在层间绝缘膜中并且包括上部和下部，其中，第二沟槽的第二宽度比第一宽度更宽；第一导线，其填充第一沟槽并且包括第一金属；以及第二导线，其填充第二沟槽并且包括下导线和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：层间绝缘膜，其包括具有第一宽度的第一沟槽，以及具有第二宽度的第二沟槽，第二沟槽包括上部和下部，第二宽度大于第一宽度；第一导线，其实质上填充第一沟槽，并且包括第一金属；以及第二导线，其实质上填充第二沟槽，并且包括下导线和上导线，下导线实质上填充第二沟槽的下部并且包括第一金属，并且上导线实质上填充第二沟槽的上部并且包括与第一金属不同的第二金属。

【技术特征摘要】
2015.11.05 KR 10-2015-01550981.一种半导体器件，包括：层间绝缘膜，其包括具有第一宽度的第一沟槽，以及具有第二宽度的第二沟槽，第二沟槽包括上部和下部，第二宽度大于第一宽度；第一导线，其实质上填充第一沟槽，并且包括第一金属；以及第二导线，其实质上填充第二沟槽，并且包括下导线和上导线，下导线实质上填充第二沟槽的下部并且包括第一金属，并且上导线实质上填充第二沟槽的上部并且包括与第一金属不同的第二金属。2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：上导线与层间绝缘膜之间的阻挡金属膜。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，阻挡金属膜在上导线与下导线之间延伸。4.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：上导线与阻挡金属膜之间的衬垫金属膜。5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，阻挡金属膜包括TaN或MnN中的至少一个。6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第一导线与层间绝缘膜之间的第一粘合层。7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：第二导线与层间绝缘膜之间的第二粘合层。8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，第一粘合层包括TiN。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第二沟槽包括位于第二沟槽的底表面的第一过孔，第一过孔穿过层间绝缘膜。10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第二金属包括Cu。11.根据权利要求1所述的半导体器件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金洛焕，金秉熙，金镇南，白宗玟，李来寅，郑恩志，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR