【技术实现步骤摘要】
在此公开的主题的示范性实施涉及半导体器件及其制造方法。更具体地,示范性实施涉及具有提高的可靠性的三维(3D)半导体器件及其制造方法。
技术介绍
半导体器件由于其的小尺寸、多功能特性和/或低制造成本而被广泛用于电子工业中。半导体器件可以包括各种微小的电子元件(例如,MOS晶体管、电阻器、电容器和/或互连)。微小的电子元件可以通过互连和/或接触插塞电连接到彼此。然而,对于高度集成和/或高速的半导体器件的需要导致互连之间的距离被减小并且接触插塞的高宽比被增大。因此,已经对能够制造高度集成的半导体器件的工艺进行了研究。
技术实现思路
公开的主题的示范性实施可以提供能够改善可靠性的半导体器件。公开的主题的示范性实施还可以提供能够改善可靠性的半导体器件的制造方法。在一个示范性实施中,一种半导体器件可以包括:包含下部导体的下部结构、设置在下部结构上并具有暴露出下部导体的开口的上部结构、和填充该开口并连接到下部导体的连接结构。连接结构可以包括覆盖开口的内表面并在开口中限定凹进区的第一钨层、和在第一钨层上填充凹进区的第二钨层。在连接结构的上部中的第二钨层的晶粒尺寸可以大于在连接结构的下部中的第二钨层的晶粒尺寸。在一些示范性实施中,第二钨层的平均晶粒尺寸可以大于第一钨层的平均晶粒尺寸。在其他示范性实施中,连接结构可以包括由第一钨层的晶粒和第二钨层的晶粒形成的第一界面、以及在连接结构的中心区中的由第二钨层的晶粒形成的第二界面。在其他示范性实施中,连接结构可具有在一个方向上延伸的线形状,第一和第二界面可以平行于连接结构延伸。在另一示范性实施中,半导体器件可以包括在基板上沿一个方向延 ...
【技术保护点】
一种半导体器件,包括:下部结构,包括下部导体;设置在所述下部结构上的上部结构,所述上部结构具有暴露所述下部导体的开口;和填充所述开口的连接结构,所述连接结构连接到所述下部导体,其中所述连接结构包括:覆盖所述开口的内表面的第一钨层,所述第一钨层在所述开口中限定凹进区;和在所述第一钨层上的填充所述凹进区的第二钨层,其中在所述连接结构的上部中的所述第二钨层的晶粒尺寸大于在所述连接结构的下部中的所述第二钨层的晶粒尺寸。
【技术特征摘要】
2015.08.28 KR 10-2015-01219101.一种半导体器件,包括:下部结构,包括下部导体;设置在所述下部结构上的上部结构,所述上部结构具有暴露所述下部导体的开口;和填充所述开口的连接结构,所述连接结构连接到所述下部导体,其中所述连接结构包括:覆盖所述开口的内表面的第一钨层,所述第一钨层在所述开口中限定凹进区;和在所述第一钨层上的填充所述凹进区的第二钨层,其中在所述连接结构的上部中的所述第二钨层的晶粒尺寸大于在所述连接结构的下部中的所述第二钨层的晶粒尺寸。2.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述第二钨层的平均晶粒尺寸大于所述第一钨层的平均晶粒尺寸。3.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述连接结构包括:由所述第一钨层的晶粒和所述第二钨层的晶粒形成的第一界面;和在所述连接结构的中心区中的由所述第二钨层的晶粒形成的第二界面。4.如权利要求3所述的半导体器件,其中所述连接结构具有在一个方向上延伸的线形状,和其中所述第一界面和所述第二界面平行于所述连接结构延伸。5.如权利要求3所述的半导体器件,其中所述第二界面的竖直长度大于所述连接结构的竖直长度的一半。6.如权利要求1所述的半导体器件,所述凹进区的深度大于所述开口的深度的一半。7.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述第一钨层在所述开口的底表面上的厚度大于所述第一钨层在所述开口的侧壁上的厚度。8.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述连接结构包括在所述连接结构的顶表面和底表面之间的弯曲区域,其中所述连接结构在所述弯曲区域中具有最大宽度。9.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述上部结构包括:交替地层叠在所述下部结构上的绝缘层和电极,和其中所述连接结构还包括:设置在所述第一钨层与所述电极的侧壁之间以及在所述第一钨层与所述绝缘层的侧壁之间的绝缘间隔物。10.一种半导体器件,包括:在基板上沿一个方向延伸的层叠结构,所述层叠结构彼此间隔开,每个层叠结构包括竖直层叠的电极;穿透所述层叠结构的竖直结构;设置在彼此相邻的所述层叠结构之间并与所述竖直结构间隔开的公共源线结构,所述公共源线结构平行于所述电极延伸;以及设置在所述公共源线结构和所述层叠结构之间的绝缘间隔物,其中所述公共源线结构包括:覆盖所述绝缘间隔物并限定凹进区的第一钨层;和在所述第一钨层上填充所述凹进区的第二钨层,其中在...
【专利技术属性】
技术研发人员:韩赫,朴济宪,尹基炫,李彰原,林炫锡,河周延,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。