通孔缺陷的检测方法技术

本发明专利技术提供一种通孔缺陷的检测方法，包括：提供晶圆，在所述晶圆中形成测试结构，所述测试结构包括依次分布的多段硅化物层、位于各段硅化物层两端的通孔及连接相邻两段硅化物上通孔的多段金属线；将所述测试结构的一端连接地端，另一端连接电流源；依次增加所述电流源的电流值，检测所述测试结构的阻值，当阻值增大至预定比例时，记录此时的电流值为所述通孔的电流耐受值。本发明专利技术中，可以排除测试结构中金属线和硅化物层对测试的干扰，保证测试的可靠性。此外，将测试结构置于晶圆的切割道中，充分利用晶圆的空间。

【技术实现步骤摘要】
通孔缺陷的检测方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造
，尤其涉及一种通孔缺陷的检测方法。
技术介绍
在集成电路制造中，采用通孔或金属线实现微电路连接的目的。在制造工艺中采用金属钨制作的通孔，由于金属钨的耐电迁移性能好，并且通孔的长度短，不容易发生电迁移现象，因此当金属钨通孔有显著的工艺缺陷时，难以评价其可靠性风险。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供通孔缺陷的检测方法，解决现有技术中难以判定通孔缺陷的技术问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种通孔缺陷的检测方法，包括：提供晶圆，在所述晶圆中形成测试结构，所述测试结构包括依次分布的多段硅化物层、位于各段硅化物层两端的通孔及连接相邻两段硅化物上通孔的多段金属线；将所述测试结构的一端连接地端，另一端连接电流源；依次增加所述电流源的电流值，检测所述测试结构的阻值，当阻值增大至预定比例时，记录此时的电流值为所述通孔的电流耐受值。可选的，所述测试结构形成于所述晶圆的切割道中。可选的，还包括：将存在通孔缺陷的晶圆与正常晶圆进行比较，判定存在通孔缺陷的晶圆的可靠性。可选的，所述硅化物层的宽度大于所述通孔的宽度，且为所述通孔的宽度的3～6倍。可选的，所述金属线的宽度大于所述通孔的宽度，且为所述通孔的宽度的3～6倍。可选的，所述预设比例为5％～20％。可选的，所述测试结构一端的金属线连接地端，另一端的通孔连接电流源。可选的，所述测试结构包括2～1000段硅化物层。可选的，所述通孔的材质为金属钨。可选的，所述金属线的材质为金属铜或金属铝。与现有技术相比，本专利技术提供的通孔缺陷的检测方法中，在晶圆中形成测试结构，当晶圆中存在缺陷时，将测试结构的一端连接地端，另一端连接电流源，逐渐增加电流源的电流值，检测测试结构的电阻，当测试结构的电阻突然增大一定的预定比利时，确定此时的电流值为通孔的耐受电流值，根据该耐受电流值确定通孔的可靠性。本专利技术中，可以排除测试结构中金属线和硅化物层对测试的干扰，保证测试的可靠性。此外，将测试结构置于晶圆的切割道中，充分利用晶圆的空间。附图说明图1为本专利技术一实施例中通孔缺陷检测方法的流程图；图2为本专利技术一实施例中测试结构的俯视图；图3为本专利技术一实施例中测试结构的剖面图。具体实施方式下面将结合示意图对本专利技术的通孔缺陷的检测方法进行更详细的描述，其中表示了本专利技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本专利技术，而仍然实现本专利技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本专利技术的限制。为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本专利技术由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本专利技术。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。专利技术人经过研究，发现当前工艺的主要问题是：通孔的形成过程中，由于有颗粒污染物的引入，使得通孔的有效尺寸变小，导致当通孔中有电流通过时，通孔的电流密度会提高，局部焦耳热升高，存在瞬间局部烧毁的隐患。但是，与通孔连接的结构也会在大电流密度下发生局部烧毁的现象，所以需要仔细设计测试结构，确保被烧毁的是通孔，而不是连接钨通孔结构。本专利技术的核心思想在于，设计新型的测试结构版图，借由该测试结构测试通孔局部烧毁所需的电流值，来评估通孔的可靠性风险。本专利技术的通孔缺陷的检测方法中，在晶圆中形成测试结构，当晶圆中存在缺陷时，将测试结构的一端连接地端，另一端连接电流源，逐渐增加电流源的电流值，检测测试结构的电阻，当测试结构的电阻突然增大一定的预定比利时，确定此时的电流值为通孔的耐受电流值，根据该耐受电流值确定通孔的可靠性。本专利技术中，可以排除测试结构中金属线和硅化物层对测试的干扰，保证测试的可靠性。此外，将测试结构置于晶圆的切割道中，充分利用晶圆的空间。下文结合附图1～3对本专利技术的通孔缺陷的检测方法进行详细说明，图1为通孔缺陷检测方法的流程图，图2～图3为测试结构的示意图，具体的，通孔缺陷的检测方法包括如下步骤：执行步骤S1，提供晶圆，在所述晶圆中形成测试结构10，参考图2和图3所示，所述测试结构10包括依次分布的多段硅化物层110、位于各段硅化物层110两端的通孔120及连接相邻两段硅化物110上通孔120的多段金属线130。本实施例中，所述测试结构包括2～1000段硅化物层，例如，包括100段、350段、600段、800段等，所述通孔120的材质为金属钨，所述金属,130的材质为金属铜或金属铝，金属硅化物层110、通孔120和金属线130形成依次相连的结构，并依次电性连接。本实施例中，所述硅化物层110的宽度大于所述通孔120的宽度，例如，硅化物层110的宽度为所述通孔120的宽度的3～6倍。并且，所述金属线130的宽度大于所述通孔120的宽度，例如，所述金属线130的宽度为所述通孔120的宽度的3～6倍。通孔120的宽度小于金属线和硅化物层的宽度，当晶圆中电源通过时，最先烧毁的通孔，而不是金属线和硅化物层，从而排除金属线和硅化物层对测试的干扰。进一步的，所述测试结构10形成于所述晶圆的切割道中，从而充分利用晶圆的空间。接着，执行步骤S2，所述测试结构的一端连接地端，另一端连接电流源，例如，所述测试结构一端的金属线连接地端，另一端的通孔连接电流源。执行步骤S3，依次增加电流源的电流值，检测所述测试结构的阻值，当所述阻值增大至预定比例时，记录此时的电流值为所述通孔的电流耐受值。本实施例中，设置所述预设比例为5％～20％，例如，10％。当测试结构的阻值突然增大10％时，确定此时的电流值为通孔的耐受电流值之后，将存在通孔缺陷的晶圆与正常晶圆进行比较，确定存在通孔缺陷的晶圆的可靠性。为了避免在测试钨通孔烧毁所需的电流值时，所施加的电流提前将连接金属线烧毁的现象，可以预先通过设计不同连接金属线的宽度的钨通孔测试结构，评估保证钨通孔烧毁所需的连接金属线的最小尺寸。在设计最终测试结构时，连接金属线的尺寸不能小于评估得出的最小尺寸，降低连接金属线局部烧毁的风险，提高钨通孔工艺问题的可探测性。综上所述，本专利技术提供通孔缺陷的检测方法中，在晶圆中形成测试结构，当晶圆中存在缺陷时，将测试结构的一端连接地端，另一端连接电流源，逐渐增加电流源的电流值，检测测试结构的电阻，当测试结构的电阻突然增大一定的预定比利时，确定此时的电流值为通孔的耐受电流值，根据该耐受电流值确定通孔的可靠性。本专利技术中，可以排除测试结构中金属线和硅化物层对测试的干扰，保证测试的可靠性。此外，将测试结构置于晶圆的切割道中，充分利用晶圆的空间。。显然，本领域的技术人员可以对本专利技术进行各种改动和变型而不脱离本专利技术的精神和范围。这样，倘若本专利技术的这些修改和变型属于本专利技术权利要求及其等同技术的范围之内，则本专利技术也意图包含这些改动和变型在内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通孔缺陷的检测方法，其特征在于，包括：提供晶圆，在所述晶圆中形成测试结构，所述测试结构包括依次分布的多段硅化物层、位于各段硅化物层两端的通孔及连接相邻两段硅化物上通孔的多段金属线；将所述测试结构的一端连接地端，另一端连接电流源；依次增加所述电流源的电流值，检测所述测试结构的阻值，当阻值增大至预定比例时，记录此时的电流值为所述通孔的电流耐受值。

【技术特征摘要】
1.一种通孔缺陷的检测方法，其特征在于，包括：提供晶圆，在所述晶圆中形成测试结构，所述测试结构包括依次分布的多段硅化物层、位于各段硅化物层两端的通孔及连接相邻两段硅化物上通孔的多段金属线；将所述测试结构的一端连接地端，另一端连接电流源；依次增加所述电流源的电流值，检测所述测试结构的阻值，当阻值增大至预定比例时，记录此时的电流值为所述通孔的电流耐受值。2.如权利要求1所述的通孔缺陷的检测方法，其特征在于，所述测试结构形成于所述晶圆的切割道中。3.如权利要求1所述的通孔缺陷的检测方法，其特征在于，还包括：将存在通孔缺陷的晶圆与正常晶圆进行比较，判定存在通孔缺陷的晶圆的可靠性。4.如权利要求1所述的通孔缺陷的检测方法，其特征在于，所述硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹彬锋，吴奇伟，范庆言，周柯，高金德，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31