使用基于等离子体的工艺消除氟残余物的系统和方法技术方案

本发明专利技术涉及使用基于等离子体的工艺消除氟残余物的系统和方法。一种用于操作衬底处理室的方法，包括在所述衬底处理室中使用氟基气体执行处理之后：a)在第一预定时间段期间，将气体混合物供应到所述衬底处理室并且提供RF功率以在衬底处理室中激励等离子体，所述气体混合物包括选自由分子氧、分子氮、一氧化氮和一氧化二氮组成的组中的一种或者多种气体；b)在所述第一预定时间段之后的第二预定时间段期间，向所述衬底处理室供应分子氢气体和RF功率；c)重复a)和b)一次或多次；d)用分子氮气吹扫所述衬底处理室；e)增加室压强；f)排空所述衬底处理室；和g)重复d)、e)和f)一次或多次。

【技术实现步骤摘要】
使用基于等离子体的工艺消除氟残余物的系统和方法
本公开涉及衬底处理系统，并且更具体地涉及用于消除衬底处理系统中的氟残留物的系统和方法。
技术介绍
这里提供的背景描述是为了一般地呈现本公开的上下文的目的。目前所命名的专利技术人的工作，在该
技术介绍
部分以及本说明书的在申请时不会以其他方式被认为是现有技术的方面中描述的程度上，既不明确地也不隐含地被承认为针对本公开的现有技术。衬底处理系统可用于灰化或蚀刻诸如半导体晶片之类的衬底上的膜。衬底处理系统通常包括处理室、气体分配装置和衬底支撑件。在处理期间，衬底被布置在衬底支撑件上。可以将不同的气体混合物引入到处理室中，并且射频(RF)等离子体可以用于活化化学反应。在诸如灰化或蚀刻工艺之类的衬底处理期间，可以使用包含氟的气体混合物。包含氟的气体混合物也可以在用于位于衬底处理室内的部件的清洁工艺中使用。在衬底处理或室清洁工艺期间，含氟气体(例如六氟化硫(SF6)、三氟化氮(NF3)或四氟化碳(CF4))被解离。氟离子和自由基与衬底处理室中的衬底表面和/或暴露的表面反应。氟离子和自由基附着到衬底处理室内的部件。当衬底处理室随后被打开并暴露于大气时，空气本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于操作衬底处理室的方法，包括：在所述衬底处理室中使用氟基气体进行处理之后的以下步骤：a)在第一预定时间段期间，向所述衬底处理室供应气体混合物并且供应RF功率以在所述衬底处理室激励等离子体，所述气体混合物包括选自由分子氧、分子氮、一氧化氮和一氧化二氮构成的组中的一种或多种气体；b)在所述第一预定时间段之后的第二预定时间段期间，向所述衬底处理室供应分子氢气体和RF功率；c)重复a)和b)一次或多次；d)用分子氮气体吹扫所述衬底处理室；e)增加室压强；f)排空所述衬底处理室；以及g)重复d)、e)和f)一次或多次。

【技术特征摘要】
2016.01.07 US 14/990,3201.一种用于操作衬底处理室的方法，包括：在所述衬底处理室中使用氟基气体进行处理之后的以下步骤：a)在第一预定时间段期间，向所述衬底处理室供应气体混合物并且供应RF功率以在所述衬底处理室激励等离子体，所述气体混合物包括选自由分子氧、分子氮、一氧化氮和一氧化二氮构成的组中的一种或多种气体；b)在所述第一预定时间段之后的第二预定时间段期间，向所述衬底处理室供应分子氢气体和RF功率；c)重复a)和b)一次或多次；d)用分子氮气体吹扫所述衬底处理室；e)增加室压强；f)排空所述衬底处理室；以及g)重复d)、e)和f)一次或多次。2.根据权利要求1所述的方法，还包括在a)期间将所述衬底处理室中的压强...

【专利技术属性】
技术研发人员：安德鲁·斯特拉顿·布拉沃，乔迪普·古哈，阿米特·法尔克亚，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国,US