凸块结构与其制作方法技术

本发明专利技术提供一种凸块结构与其制作方法。凸块结构包括凸块本体以及多个孔隙。孔隙分布于凸块本体中，其中孔隙的直径介于0.05微米至1微米之间，且凸块本体与孔隙间的孔隙度介于25％至75％之间。凸块结构的制作方法，包括下列步骤：将多个气泡掺杂于电镀液中。藉由电镀液形成凸块本体于镀件上，且气泡混入凸块本体中，以构成分布于凸块本体中的多个孔隙，其中孔隙的直径介于0.05微米至1微米之间，且凸块本体与孔隙间的孔隙度介于25％至75％之间。本发明专利技术使凸块结构具有高孔隙度与弹性，从而提高凸块结构的接合效果，并同时降低生产成本。

Bump structure and manufacturing method thereof

The invention provides a bump structure and a manufacturing method thereof. The bump structure comprises a convex block body and a plurality of pores. The pores are distributed in the convex block body, wherein the diameter of the pores is between 0.05 microns and 1 microns, and the porosity between the convex body and the pores is between 25% and 75%. The manufacturing method of the convex block comprises the following steps: doping a plurality of bubbles into an electroplating solution. By forming a bump plating liquid body plating, and the mixing of air bump in the body to form a plurality of pore distribution on the bump in the ontology, the pore diameter ranged from 0.05 microns to 1 microns, and the convex block between the body and the pore porosity ranged from 25% to 75%. The invention makes the bump structure have high porosity and elasticity, thereby improving the joint effect of the bump structure and reducing the production cost at the same time.

【技术实现步骤摘要】
凸块结构与其制作方法
本专利技术涉及一种凸块结构与其制作方法。
技术介绍
近年来，随着电子产品的需求朝向高功能化、信号传输高速化及电路组件高密度化，半导体相关产业的技术也不断演进。一般而言，半导体晶圆在完成集成电路(integratedcircuit)的制作之后，需通过导电结构(例如凸块、导线)电性连接集成电路的外接垫和其他组件(例如基板、印刷电路板)，方能传递电性信号。以电镀凸块结构为例，其应用常见于薄膜覆晶封装(ChiponFilm，COF)或玻璃覆晶(ChiponGlass，COG)。一般而言，凸块结构藉由电镀制程直接制作于半导体晶圆的表面上，而后在半导体晶圆单分成单颗芯片后，藉由形成于芯片上的凸块结构使芯片电性连接软性基板(即薄膜基板)或玻璃基板上的导电图案(例如是引脚或者导电接点)。凸块结构与导电图案可以通过直接压合而形成共晶键结，例如COF封装中，薄膜基板上的引脚与凸块压合，使引脚局部沉入凸块中形成共晶键结。此时，若凸块结构的硬度太高，即可能造成引脚与凸块结构无法有效键结，且凸块结构在压合过程中也可能破坏芯片上的导电结构或是薄膜基板上的引脚，使得信号无法正常传输。此外，凸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种凸块结构，其特征在于，包括：凸块本体；以及多个孔隙，分布于所述凸块本体中，其中所述多个孔隙的直径介于0.05微米至1微米之间，且所述凸块本体与所述多个孔隙间的孔隙度介于25％至75％之间。

【技术特征摘要】
2015.12.10 TW 1041415491.一种凸块结构，其特征在于，包括：凸块本体；以及多个孔隙，分布于所述凸块本体中，其中所述多个孔隙的直径介于0.05微米至1微米之间，且所述凸块本体与所述多个孔隙间的孔隙度介于25％至75％之间。2.根据权利要求1所述的凸块结构，其特征在于，所述多个孔隙藉由起泡剂所产生的多个气泡混入用于形成所述凸块本体的电镀液中，伴随所述电镀液形成所述凸块本体时所构成。3.根据权利要求1所述的凸块结构，其特征在于，所述凸块本体的材质包括金、银或铜。4.根据权利要求1所述的凸块结构，其特征在于，所述凸块本体与所述多个孔隙间的孔隙度介于25％至50％之间。5.根据权利要求1所述的凸块结构，其特征在于，所述凸块本体与所述多个孔隙间的孔隙度介于30％至40％之间。6.一种凸块结构的制作方法，其特征在于，包括：将多个气泡掺杂于电镀液中；以...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢东宝，徐子涵，
申请(专利权)人：南茂科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71