凸块结构与其制作方法技术

本发明专利技术提供一种凸块结构与其制作方法。凸块结构包括凸块本体以及多个微粒子填料。微粒子填料分布于凸块本体中，其中微粒子填料的直径介于0.05微米至1微米之间，且微粒子填料分布于凸块本体中的比例介于25％至50％之间。凸块结构的制作方法，包括下列步骤：将多个微粒子填料掺杂于电镀液中。藉由电镀液形成凸块本体于镀件上，且微粒子填料混入凸块本体中，其中微粒子填料的直径介于0.05微米至1微米之间，且微粒子填料分布于凸块本体中的比例介于25％至50％之间。本发明专利技术的凸块结构与其制作方法适于使凸块结构硬度增大，从而提高凸块结构的强度及接合效果，并同时降低生产成本。

Bump structure and manufacturing method thereof

The invention provides a bump structure and a manufacturing method thereof. The bump structure includes a bump body and a plurality of particulate fillers. The microparticle filler is distributed in the convex block body, wherein the diameter of the microparticle filler is between 0.05 microns and 1 microns, and the proportion of the particle packing in the convex block body is between 25% and 50%. The invention relates to a method for manufacturing a bump structure, comprising the following steps: doping a plurality of microparticle fillers into an electroplating solution. By forming a bump plating liquid body plating, and particulate filler with convex block body, wherein the particulate filler diameter ranged from 0.05 microns to 1 microns, and particle filler distribution on the bump body ratio ranged from 25% to 50%. The invention relates to a bump structure and a manufacturing method thereof, which is suitable for increasing the hardness of a convex block structure, thereby improving the strength and joint effect of a convex block structure, and simultaneously reducing the production cost.

【技术实现步骤摘要】
凸块结构与其制作方法
本专利技术涉及一种凸块结构与其制作方法。
技术介绍
近年来，随着电子产品的需求朝向高功能化、信号传输高速化及电路组件高密度化，半导体相关产业的技术也不断演进。一般而言，半导体晶圆在完成集成电路(integratedcircuit)的制作之后，需通过导电结构(例如凸块、导线)电性连接集成电路的外接点和其他组件(例如基板、印刷电路板)，方能传递电性信号。以电镀凸块结构为例，其应用常见于薄膜覆晶封装(ChiponFilm，COF)或玻璃覆晶(ChiponGlass，COG)。一般而言，凸块结构藉由电镀制程直接制作于半导体晶圆的表面上，而后在半导体晶圆单分成单颗芯片后，藉由形成于芯片上的凸块结构使芯片电性连接软性基板(即薄膜基板)或玻璃基板上的导电图案(例如是引脚或者导电接点)。凸块结构与导电图案可以通过直接压合而形成键结，或是利用导电胶(例如异方性导电胶)达到电性连接。当凸块结构硬度不够时，即容易在压合至导电图案的过程中因受力而产生破坏或坍塌，从而降低凸块结构的强度及接合效果。另外，若以价格较高的贵金属材料(例如金)制作整个凸块结构，将使凸块结构的生产成本无法有效降低本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种凸块结构，其特征在于，包括：凸块本体；以及多个微粒子填料，分布于所述凸块本体中，其中所述多个微粒子填料的直径介于0.05微米至1微米之间，且所述多个微粒子填料分布于所述凸块本体中的比例介于25％至50％之间。

【技术特征摘要】
2015.12.10 TW 1041415741.一种凸块结构，其特征在于，包括：凸块本体；以及多个微粒子填料，分布于所述凸块本体中，其中所述多个微粒子填料的直径介于0.05微米至1微米之间，且所述多个微粒子填料分布于所述凸块本体中的比例介于25％至50％之间。2.根据权利要求1所述的凸块结构，其特征在于，所述多个微粒子填料藉由混入用于形成所述凸块本体的电镀液中而伴随所述电镀液同时形成于所述凸块本体中。3.根据权利要求1所述的凸块结构，其特征在于，所述多个微粒子填料包括硅基材料。4.根据权利要求1所述的凸块结构，其特征在于，所述凸块本体的材质包括金、银或铜。5.根据权利要求1所述的凸块结构，其特征在于，所述多个微粒子填料分布于所述凸块本体中的比例介于30％至45％之间。6.一种凸块结构的制作方法，其特征在于，包括：将多个微粒子填料...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢东宝，徐子涵，
申请(专利权)人：南茂科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71