二氧化硅填充装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种二氧化硅填充装置，其包括喷头、连接腔体、进气主管道、第一进气分支管道和第二进气分支管道，所述第一进气分支管道和第二进气分支管道均与所述进气主管道相连，所述进气主管道与上述连接腔体一端连通，所述连接腔体的另一端与所述喷头连通。解决了传统的二氧化硅填充装置在使用过程中，生成的二氧化硅会堵住喷嘴的问题。

【技术实现步骤摘要】
二氧化硅填充装置
本技术涉及半导体设备领域，具体涉及一种二氧化硅填充装置。
技术介绍
聚焦离子束显微镜(FocusedIonbeam,FIB)系统是利用电子透镜将离子束聚集成非常小尺寸的显微精细切割仪器，在元器件失效分析、产线工艺异常分析等领域被广泛采用。在晶圆失效分析或者工艺异常分析时，所述晶圆会被切割掉一部分芯片区域，进行后续分析。切割掉的芯片区域，器件结构被破坏，只能做报废处理，但为了不致整个晶圆报废，使其能继续后续的工艺流程，通常采用在被切割掉的区域填充二氧化硅(SiO2)的方法。传统的二氧化硅填充装置如图1所示，其包括喷头101、连接腔体102、进气主管道103和进气分支管道104，所述进气分支管道104与进气主管道103侧壁连通，所述进气主管道103与连接腔体102一端连通，所述连接腔体102的另一端与所述喷头101连通。如图1所示，采用传统的二氧化硅填充装置进行二氧化硅填充时，整个操作是在一真空腔体内进行，从进气主管道103通入六甲基苯烷(C6H24O6Si6)气体，同时从进气分支管道104通入氧气，图1中箭头方向为气体流向，氧气与六甲基苯烷混合后会生成二氧化硅分子，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二氧化硅填充装置，其特征在于，包括：喷头、连接腔体、进气主管道、第一进气分支管道和第二进气分支管道，所述第一进气分支管道和第二进气分支管道均与所述进气主管道相连，所述进气主管道与上述连接腔体一端连通，所述连接腔体的另一端与所述喷头连通。

【技术特征摘要】
1.一种二氧化硅填充装置，其特征在于，包括：喷头、连接腔体、进气主管道、第一进气分支管道和第二进气分支管道，所述第一进气分支管道和第二进气分支管道均与所述进气主管道相连，所述进气主管道与上述连接腔体一端连通，所述连接腔体的另一端与所述喷头连通。2.如权利要求1所述的二氧化硅填充装置，其特征在于，所述第一进气分支管道连接一氧气供给装置。3.如权利要求2所述的二氧化硅填充装置，其特征在于，所述第二进气分支管道连接一氮气供给装置。4.如权利要求2所述的二氧化硅填充装置，其特征在于，所述第二进气分支管道连接一惰性气体供给装置。5.如权利要求3或4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐纯，胡鹏飞，刘开来，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31