The invention relates to a method for protecting water solution to grow crystal surface steps. Based on the characteristics of KDP insoluble Yu Zheng hexane and chloroform, n-hexane and density density is less than water, the density of water is less than the density of the physical properties of chloroform, will remain clear water solution on the crystal surface, to ensure the integrity and accuracy of the growth step appearance, safe and effective preservation of crystal. The organic solvent should be heated to the same temperature as the growth solution before use, so as to avoid the cracking of the crystal when the temperature difference is too large. The invention can completely avoid the damage caused by the removal of the water solution attached to the crystal surface, and can not cause the recrystallization of the residual solute on the crystal surface and the destruction of the surface structure. It can reduce the difficulty of finding the complete and clean surface during the test, and ensure the integrity and accuracy of the growth steps.
【技术实现步骤摘要】
一种保护水溶液生长晶体表面台阶的方法
本专利技术涉及一种用于非实时AFM测试时保护水溶液生长晶体表面台阶的方法,属于晶体加工
技术介绍
通过水溶液生长的晶体,一直以来受到人们的重视。磷酸二氢钾晶体,简称KDP,属于四方晶系,点群D4h,无色透明,是最典型的水溶液生长的晶体。在KDP晶体的生长过程中,溶液的温度,过饱和度,pH值,杂质离子等对晶体的生长台阶都有不同程度的影响,对晶体表面进行非实时AFM(原子力显微镜)测试,可以从原子/分子层面,观察到这些因素对于晶体生长过程的影响。然而,在晶体从水溶液中取出时,附着在晶体表面的母液会出现重结晶,并可能对表面进行溶解,从而造成晶体表面原来形貌的覆盖和改变,所以对KDP晶体表面生长台阶进行非实时AFM观察时,必须去除晶体表面残留的水溶液,减小其对样品表面的破坏,保证生长台阶的完整性和准确性。目前,一般的去除水溶液生长晶体表面残留水溶液的方法主要有:晶体从生长水溶液取出时及时擦拭,用去离子水快速浸泡并擦拭以及直接浸泡存储于有机溶剂中。但是,这些方法都不能够完全的消除在去除晶体表面所附着的水溶液时所带来的破坏,从而造成晶体表面残留溶质的再结晶以及表面结构的破坏,增加实验测试的难度,以及生长台阶形貌观察的不准确性。中国专利文件CN106140671A(申请号:201510171285.X)公开了一种KDP晶体磁流变抛光后的清洗方法,包括以下步骤:(1)对抛光后的KDP晶体进行射流冲洗;(2)对射流冲洗后的KDP晶体进行复合超声频率组合溶剂清洗;(3)在步骤(2)中,组合清洗剂包括胺类和醇类清洗剂;(4)在步骤 ...
【技术保护点】
一种保护水溶液生长晶体表面台阶的方法,包括步骤如下:将水溶液生长晶体从溶液中取出,浸入到第一有机溶液中进行涮洗,去除水溶液生长晶体表面的水溶液;所述的第一有机溶液的密度小于水的密度,水溶液生长晶体不溶解于第一有机溶液。
【技术特征摘要】
1.一种保护水溶液生长晶体表面台阶的方法,包括步骤如下:将水溶液生长晶体从溶液中取出,浸入到第一有机溶液中进行涮洗,去除水溶液生长晶体表面的水溶液;所述的第一有机溶液的密度小于水的密度,水溶液生长晶体不溶解于第一有机溶液。2.根据权利要求1所述的保护水溶液生长晶体表面台阶的方法,其特征在于,浸入第一有机溶液进行涮洗时,第一有机溶液的温度与生长晶体的水溶液温度之差≤5℃。3.根据权利要求1所述的保护水溶液生长晶体表面台阶的方法,其特征在于,晶体在浸入第一有机溶液进行涮洗时,同时用第一有机溶液喷射冲洗。4.根据权利要求1所述的保...
【专利技术属性】
技术研发人员:李伟东,丁建旭,顾庆天,王圣来,许心光,余波,
申请(专利权)人:山东大学,
类型:发明
国别省市:山东,37
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。