一种二氧化碲晶体的表面抛光方法技术

本发明专利技术公开了一种二氧化碲晶体的表面抛光方法，分为粗抛、精抛和无水抛光三个阶段。通过配置氧化铈中心粒径1um、浓度为60~90g/L粗抛悬浊液和钻石粉中心粒径为0.25um、浓度为40~50g/L精抛分散液，在单轴机上分别配合美国环球公司产的55号沥青胶进行粗抛和精抛二氧化碲，去除其表面损伤层和划痕。然后配置钻石粉中心粒径为0.05um、浓度为40~50g/L无水分散液，配合罗门哈斯公司产的黑色抛光绒布，进行手动无水抛光，去除潮解麻点。本发明专利技术提供一种二氧化碲晶体的表面抛光方法，使二氧化碲的抛光表面光洁度能达到10/5，粗糙度达到亚纳米级别，符合声光晶体应用的表面质量要求。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种二氧化碲晶体的表面抛光方法，其特征在于，所述方法步骤如下：首先配置抛光辅料；粗抛方法，在单轴机上，使用粗抛粉悬浊液与沥青盘抛光氧化碲表面，去除粗磨引起的损伤层；精抛方法，在单轴机上，使用精抛粉分散液与沥青盘抛光氧化碲表面，去除粗抛引起的划痕；无水抛光方法，在单轴机上，使用无水抛光粉分散液与黑色抛光绒布抛光氧化碲表面，去除精抛引起的潮解麻点。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶青，黄志文，吴季，王昌运，陈伟，
申请(专利权)人：福建福晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35