检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置及方法，用于解决现有检测半导体晶体中富Te相的装置很难获得尺寸较大的视场，以及不能实现对晶体厚度方向的分层域聚焦成像的技术问题。技术方案是通过改变变焦镜筒的放大倍数实现了视场可调，同时高精度四坐标三维自动平移台的运用实现对富Te相的体密度观察。本发明专利技术利用这种检测装置检测半导体晶体中富Te相的方法，通过调整厚度方向的位置，实现分层域聚焦成像，从而观察富Te相在晶体内的形态，采用基于Labview的图像收集以及处理系统，首先将收集到的每个单独图片拼接成一整张大图，然后对拼好的图像不同灰度区域进行统计，进而分析晶体中富Te相在晶体内的分布。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种检测装置，特别涉及一种检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置。还涉及利用这种检测装置检测碲化物半导体晶体中富Te相的方法。
技术介绍
参照图 7，文献 “P. Rudolph, A. Engel，I. Schentke，A. Grochocki，Journal of CrystalGrowth, 1995，147 :297-304"公开了一种检测 CdTe 以及 CdZniTe 晶体中富 Te 相的装置，即在普通光学显微镜的基础上进行了改造，该装置包括照射样品的光源1、夹持晶体 3的载物台6、物镜7、镜筒4、红外CCD8以及用于固定光学原件的支撑杆10和底座11。但是由于载物台6在水平方向无法精确定位，使得观察的视场有限，通常观察到的视场小于 2mm2。且不能实现图像的拼接，不适于测试尺寸较大的晶体。文献"Xiaowen Zhang, Zenglin Zhao, Pengju Zhang, Rongbin Ji, Quanbao Li, Journalof Crystal Growth. 2009,311 :286 四1”公开了一种检测晶体中富iTe相的方法， 报道本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种检测碲化物半导体晶体中富Ｔｅ相的装置，包括光源（１）、镜筒（４）、载物台（６）、物镜（７）和红外ＣＣＤ（８），其特征在于：还包括透镜（２）、滤光片（５）、光学隔振平台（９）和电脑，所述光源（１）是卤钨灯，通过支撑杆固定于光学隔振平台（９）的一端，并通过电脑控制光源（１）的发光强度，光源（１）前置一透镜（２），改变透镜（２）与光源（１）的距离调节光线的聚焦程度；透镜（２）右边放置滤光片（５），并用支撑杆固定于光学隔振平台（９）上；所述载物台（６）是三维自动平移台，位于滤光片（５）右边，通过支撑杆固定于光学隔振平台（９）上，并与控制电脑相连；所述物镜（７）是红外光物镜，位于载物台右边，并用...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：介万奇，徐亚东，王涛，查钢强，何亦辉，郭榕榕，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：87