一种阵列基板、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板、显示面板和显示装置，该阵列基板包括：衬底基板以及依次设置于所述衬底基板上的栅金属层图形、栅绝缘层和源漏金属层图形，所述源漏金属层图形具有跨越所述栅金属层图形的部分，所述阵列基板还包括：爬坡辅助层，用于降低所述源漏金属层图形跨越所述栅金属层图形位置处的爬坡高度，本发明专利技术能够有效改善源漏金属层图形爬坡断线不良的发生，提高阵列基板的良率。

Array substrate, display panel and display device

The present invention provides a display panel and a display device array substrate and the array substrate comprises a substrate and a gate metal layer are sequentially arranged on the substrate, the graphics on the gate insulating layer and the source drain metal layer pattern, the source and drain metal layer pattern having across the gate metal layer pattern part. The array substrate includes climbing auxiliary layer, to reduce the drain metal layer pattern across the gate metal layer pattern at the position of the source of the climbing height, the invention can effectively improve the source and drain metal layer pattern breaking bad climbing, improve the yield of the array substrate.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示面板和显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。
技术介绍
高PPI(PixelsPerInch)设计是显示面板的重要发展趋势，但是显示面板上的数据线的线宽限制了高PPI显示面板的开口率。数据线的细线化设计有利于高PPI显示面板的开口率保证，但是随之而来的数据线爬坡断线(stepopen)是工艺中面临的主要问题。请参考图1，图1为现有技术中的一阵列基板的剖面结构示意图，该阵列基板包括衬底基板11，以及设置于衬底基板11上的栅金属层图形12，栅绝缘层13和源漏金属层图形14，栅金属层图形12包括栅线，源漏金属层图形14包括数据线，由于数据线细线化，因而数据线跨越栅线的位置处容易发生数据线爬坡断线，从而造成阵列基板成品率降低。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种阵列基板、显示面板和显示装置，用于改善源漏金属层图形爬坡断线的不良发生，提高阵列基板的成品率。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种阵列基板，包括衬底基板以及依次设置于所述衬底基板上的栅金属层图形、栅绝缘层和源漏金属层图形，所述源漏金属层图形具有跨越所述栅金属层图形的部分，所述阵列基板还包括：爬坡辅助层，用于降低所述源漏金属层图形跨越所述栅金属层图形位置处的爬坡高度。优选地，所述爬坡辅助层设置于所述栅绝缘层和所述源漏金属层之间，所述栅绝缘层包括在设置栅金属层图形的区域形成的第一部分和在未设置栅金属层图形的区域形成的第二部分，所述第一部分的上表面的高度高于所述第二部分的上表面的高度，所述第一部分的上表面和所述第二部分的上表面通过斜坡相连，所述爬坡辅助层设置于所述源漏金属层图形跨越所述栅金属层图形位置处的所述第二部分的上表面上，且所述爬坡辅助层的侧面至少部分与所述斜坡贴合设置。优选地，所述阵列基板还包括：半导体层图形，所述爬坡辅助层与所述半导体层图形同层同材料设置。优选地，所述源漏金属层在所述栅绝缘层的第二部分上的正投影均位于所述爬坡辅助层在所述第二部分的正投影区域内。优选地，所述源漏金属层在所述栅绝缘层的第二部分上的正投影与所述爬坡辅助层在所述第二部分的正投影完全重叠。优选地，所述爬坡辅助层与所述栅金属层同层设置，所述爬坡辅助层设置于所述源漏金属层图形和所述衬底基板之间，所述爬坡辅助层的侧面至少部分与所述栅金属层的侧面贴合设置。优选地，所述爬坡辅助层的高度小于或等于所述栅金属层图形的高度。优选地，所述源漏金属层图形包括数据线。本专利技术还提供一种显示面板，包括上述阵列基板。本专利技术还提供一种显示装置，包括上述显示面板。本专利技术的上述技术方案的有益效果如下：本专利技术实施例中，通过在源漏金属层图形跨越栅金属层图形的位置处设置爬坡辅助层，使得源漏金属层图形的爬坡高度降低，从而可有效改善源漏金属层图形爬坡断线不良的发生，提高阵列基板的良率。附图说明图1为现有技术中的一阵列基板的剖面结构示意图；图2为本专利技术一实施例的阵列基板的剖面结构示意图；图3为本专利技术一实施例的阵列基板的俯视图；图4为图3中的A区域的放大图；图5为图3中的B区域的放大图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种阵列基板，包括衬底基板以及依次设置于所述衬底基板上的栅金属层图形、栅绝缘层和源漏金属层图形，所述源漏金属层图形具有跨越所述栅金属层图形的部分，所述阵列基板还包括：爬坡辅助层，用于降低所述源漏金属层图形跨越所述栅金属层图形位置处的爬坡高度。本专利技术实施例中，通过在源漏金属层图形跨越栅金属层图形的位置处设置爬坡辅助层，使得源漏金属层图形的爬坡高度降低，从而可有效改善源漏金属层图形爬坡断线不良的发生，提高阵列基板的良率。本专利技术实施例中，所述源漏金属层图形包括数据线，所述栅金属层图形包括栅线，源漏金属层图形跨越栅金属层图形的位置包括数据线跨越栅线的位置。在本专利技术的另一些实施例中，所述栅金属层图形还可以包括公共电极线，源漏金属层图形跨越栅金属层图形的位置还可以包括数据线跨越公共电极线的位置。由于在数据线跨越栅金属层图形的位置处设置了爬坡辅助层，可有效改善数据线爬坡断线不良的发生，因而，本专利技术实施例中的数据线可以采用细线化设计，从而提高包含该阵列基板的显示面板的开口率，以使得包含该阵列基板的显示面板可用于高PPI产品。现有技术中，为了避免数据线爬坡断线，有将数据线的跨越栅金属层图形的位置处的宽度加大的方案，但是加大跨越位置处的数据线的宽度的方案，必然会影响开口率，同时，还会增加加宽处的数据线的负载电容，本专利技术实施例中，通过在数据线跨越栅金属层图形的位置处设置爬坡辅助层，不需要再加大跨越位置处的数据线的宽度，可以提高开口率，同时还可以降低数据线的负载电容。本专利技术实施例中的源漏金属层图形除了数据线之外，还可以包括源电极和漏电极，或者，还可以包括其他类型的图形，同样的，除了数据线之外的其他源漏金属层图形也可能存在跨越栅金属层图形的部分，本专利技术实施例中，也可以为除了数据线之外的其他源漏金属层图形设置爬坡辅助层进行爬坡辅助。本专利技术实施例中，优选地，所述爬坡辅助层的高度小于或等于所述栅金属层图形的高度。当爬坡辅助层的高度小于栅金属层的高度时，可以降低所述源漏金属层图形跨越所述栅金属层图形的位置处的爬坡高度，当爬坡辅助层的高度等于栅金属层的高度时，可以抹平所述源漏金属层图形跨越所述栅金属层图形的位置处的爬坡高度。在本专利技术的一些实施例中，所述爬坡辅助层可以设置于所述源漏金属层图形与所述栅绝缘层之间，当然，在本专利技术的其他一些实施例中，所述爬坡辅助层也可以与栅金属层同层设置。请参考图2，图2为本专利技术一实施例的阵列基板的剖面结构示意图，该阵列基板包括衬底基板21以及依次设置于所述衬底基板21上的栅金属层图形22、栅绝缘层23、爬坡辅助层242和源漏金属层图形25，所述栅绝缘层23包括在设置栅金属层图形22的区域形成的第一部分231和在未设置栅金属层图形22的区域形成的第二部分232，所述第一部分231的上表面的高度高于所述第二部分232的上表面的高度，所述第一部分231的上表面和所述第二部分232的上表面通过斜坡相连，所述爬坡辅助层242设置于所述源漏金属层图形25与所述栅绝缘层23之间，且设置于所述源漏金属层图形25跨越所述栅金属层图形22位置处的所述第二部分232的上表面上，且所述爬坡辅助层232的侧面与所述斜坡贴合设置。优选地，所述阵列基板还包括半导体层图形(图未示出)，所述爬坡辅助层242与所述半导体层图形同层同材料设置，即爬坡辅助层242与半导体层图形使用同一mask，通过一次构图工艺形成，从而降低成本。从图1可以看出，现有技术中的阵列基板中，栅绝缘层13在设置所述栅金属层图形12的区域形成的凸起部分的高度h1，高于所述源漏金属层图形14跨越所述栅金属层图形12的位置处的高度h2，从而使得源漏金属层图形14在该处容易产生爬坡断线。从图2中可以看出，本专利技术实施例的阵列基板中，栅绝缘层23在设置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板以及依次设置于所述衬底基板上的栅金属层图形、栅绝缘层和源漏金属层图形，所述源漏金属层图形具有跨越所述栅金属层图形的部分，所述阵列基板还包括：爬坡辅助层，用于降低所述源漏金属层图形跨越所述栅金属层图形位置处的爬坡高度。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板以及依次设置于所述衬底基板上的栅金属层图形、栅绝缘层和源漏金属层图形，所述源漏金属层图形具有跨越所述栅金属层图形的部分，所述阵列基板还包括：爬坡辅助层，用于降低所述源漏金属层图形跨越所述栅金属层图形位置处的爬坡高度。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述爬坡辅助层设置于所述栅绝缘层和所述源漏金属层之间，所述栅绝缘层包括在设置栅金属层图形的区域形成的第一部分和在未设置栅金属层图形的区域形成的第二部分，所述第一部分的上表面的高度高于所述第二部分的上表面的高度，所述第一部分的上表面和所述第二部分的上表面通过斜坡相连，所述爬坡辅助层设置于所述源漏金属层图形跨越所述栅金属层图形位置处的所述第二部分的上表面上，且所述爬坡辅助层的侧面至少部分与所述斜坡贴合设置。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：半导体层图形，所述爬坡辅助层与所述半导体层图形同层同...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘珠林，汪锐，王孝林，吴君辉，熊兴，夏炎，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11