The invention relates to a method for preparing multiple graphics, the mask includes providing a semiconductor substrate, a hard mask layer is formed on a semiconductor substrate; in the portion of the hard mask formed sequentially stacked amorphous silicon layer and the first polycrystalline silicon layer film; roll formed around the amorphous silicon layer and the first polysilicon layer; the hard mask layer, the side wall and the formation of non stress layer of amorphous silicon layer; thermal annealing process on the semiconductor substrate, the amorphous silicon layer into a polycrystalline silicon layer second, and the second polysilicon layer is larger than the width of the the width of the first polysilicon layer; and removing the second polysilicon layer, the stress layer and the first polysilicon layer. The invention can reduce the morphological difference of the sidewalls of the side wall, thereby optimizing the etching process of the hard mask layer.
【技术实现步骤摘要】
多重图形化掩膜的制备方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造
,尤其涉及一种多重图形化掩膜的制备方法。
技术介绍
半导体技术在摩尔定律的驱动下持续地朝更小的工艺节点迈进。随着半导体技术的不断进步,器件的功能不断强大,但是半导体制造难度也与日俱增。而光刻技术是半导体制造工艺中最为关键的生产技术,随着半导体工艺节点进入到65纳米、45纳米,甚至更低的32纳米,现有的193nm的ArF光源光刻技术已经无法满足半导体制造的需要,超紫外光光刻技术(EUV)、多波束无掩膜技术和纳米压印技术成为下一代光刻候选技术的研究热点。但是上述的下一代光刻候选技术仍然存在有不便与缺陷,亟待加以进一步的改进。为了提高半导体器件的集成度,业界已提出了多种图形化掩膜的制备方法,其中,自对准双重图形工艺即为其中的一种,但是,利用该自对准双重图形形成的半导体图形两侧的侧壁的形貌会不同,会影响半导体器件的性能。因此,如何即能够利用多重图形化掩膜层形成侧墙,又能使减小掩膜层的侧墙两侧的侧壁的差异成为本领域技术人员面临的一大难题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供多重图形化掩膜的制备方法,解决现有技术中侧墙两侧的侧壁存在差异的技术问题。为解决上述技术问题,本专利技术提供一种多重图形化掩膜的制备方法,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成硬掩膜层;在部分所述硬掩膜层上形成依次层叠的非晶硅层和第一多晶硅层;在所述非晶硅层及所述第一多晶硅层的周围形成侧倾;在所述硬掩膜层、所述侧墙及所述非晶硅层上形成应力层;对所述半导体衬底进行热退火工艺,所述非晶硅层转变为第二多晶硅层,且所述第二多晶硅层的宽 ...
【技术保护点】
一种多重图形化掩膜的制备方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成硬掩膜层;在部分所述硬掩膜层上形成依次层叠的非晶硅层和第一多晶硅层;在所述非晶硅层及所述第一多晶硅层的周围形成侧倾;在所述硬掩膜层、所述侧墙及所述非晶硅层上形成应力层;对所述半导体衬底进行热退火工艺,所述非晶硅层转变为第二多晶硅层,且所述第二多晶硅层的宽度大于所述第一多晶硅层的宽度;去除所述第二多晶硅层、所述应力层及所述第一多晶硅层。
【技术特征摘要】
1.一种多重图形化掩膜的制备方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成硬掩膜层;在部分所述硬掩膜层上形成依次层叠的非晶硅层和第一多晶硅层;在所述非晶硅层及所述第一多晶硅层的周围形成侧倾;在所述硬掩膜层、所述侧墙及所述非晶硅层上形成应力层;对所述半导体衬底进行热退火工艺,所述非晶硅层转变为第二多晶硅层,且所述第二多晶硅层的宽度大于所述第一多晶硅层的宽度;去除所述第二多晶硅层、所述应力层及所述第一多晶硅层。2.如权利要求1所述的多重图形化掩膜的制备方法,其特征在于,形成所述第一多晶硅层和所述非晶硅层的步骤包括:在所述硬掩膜层上形成多晶硅膜层;对所述多晶硅膜层进行离子注入工艺,使得表面的多晶硅膜层形成所述非晶硅层,剩余的多晶硅膜层形成所述第一多晶硅层。3.如权利要求2所述的多重图形化掩膜的制备方法,其特征在于,对所述多晶硅膜层的表面进行锗离子或砷离子注入。4.如权利要求3所述的多重图形化掩膜的制备方法,其特征在于,进行离子注入的浓度为1012原子个数/cm3~1016原子个数/cm3。5.如权利要求2所述的多重图形化掩膜的...
【专利技术属性】
技术研发人员:鲍宇,周海锋,
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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