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本发明涉及一种多重图形化掩膜的制备方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成硬掩膜层；在部分所述硬掩膜层上形成依次层叠的非晶硅层和第一多晶硅层；在所述非晶硅层及所述第一多晶硅层的周围形成侧倾；在所述硬掩膜层、所述侧墙及所述非晶硅层上...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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