二极管制造技术

本实用新型专利技术提供一种二极管，包括：晶片，第一焊盘、第二焊盘、第一引脚、第二引脚和封装体；晶片的下表面与第一焊盘连接，晶片的上表面与第二焊盘连接；第一引脚与第一焊盘相连接，第二引脚与第二焊盘相连接；封装体将晶片、第一焊盘、第二焊盘和第一引脚和第二引脚封合，且第一引脚、第一焊盘的下表面和第二引脚分别裸露出封装体。本方案的二极管，晶片设置在第一焊盘和第二焊盘之间，并与二者相焊接，第一引脚和第二引脚分别漏出封装体，这样的设计使晶片与第一焊盘和第二焊盘在夹焊工艺中进而封装成型，相对现有的焊线工艺封装，避免了受焊线的影响而导致产品因短路报废的情况发生，提高了产品的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体芯片
，尤其是涉及一种二极管。
技术介绍
随着电子信息产业的高速发展，芯片制造业迈入了纳米时代，芯片制造的工艺尺寸从90nm缩小到45nm，再到30nm、13nm快速递进。芯片的几何尺寸也越来越小，由1.0mm×1.0mm到0.8mm×0.8mm、0.5mm×0.5mm、0.3mm×0.3mm，最小0.15mm×0.15mm，相应地，芯片制造中使用的焊盘节距也由120μm逐步缩小到100μm、70μm、60μm、50μm和45μm。划道也由100μm逐渐缩小到70μm、60μm、50μm和45μm。使得焊盘尺寸也由最初的100μm×100μm渐次缩小为70μm×70μm、55μm×55μm、最小为38μm×38μm。焊盘尺寸的变化给键合工艺带来了难题和巨大的挑战。正常的球焊键合工艺中，焊球的直径大于/等于线径的2倍，小于线径的5倍为合格。一般金线焊球的直径可控制在2～2.3(倍)线径，铜线焊球的直径可控制在2.5～3(倍)线径。对于38μm×38μm的焊盘，相邻焊盘间距41μm～43μm，只能使用Φ15μm～Φ16μm的焊线，并且键合焊球的直径必须控制在37μ本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二极管，其特征在于，包括：晶片，第一焊盘、第二焊盘、第一引脚、第二引脚和封装体；所述晶片的下表面与所述第一焊盘连接，所述晶片的上表面与所述第二焊盘连接；所述第一引脚与所述第一焊盘相连接，所述第二引脚与所述第二焊盘相连接；所述封装体将所述晶片、所述第一焊盘、所述第二焊盘和所述第一引脚和所述第二引脚封合，且所述第一引脚、所述第一焊盘的下表面和所述第二引脚分别裸露出所述封装体。

【技术特征摘要】
1.一种二极管，其特征在于，包括：晶片，第一焊盘、第二焊盘、第一引脚、第二引脚和封装体；所述晶片的下表面与所述第一焊盘连接，所述晶片的上表面与所述第二焊盘连接；所述第一引脚与所述第一焊盘相连接，所述第二引脚与所述第二焊盘相连接；所述封装体将所述晶片、所述第一焊盘、所述第二焊盘和所述第一引脚和所述第二引脚封合，且所述第一引脚、所述第一焊盘的下表面和所述第二引脚分别裸露出所述封装体。2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述第二引脚包括连接段、倾斜段和直线段；所述连接段的一端与所述第二焊盘连接，另一端与所述倾斜段和所述直线段依次连接，并使所述连接段与所述直线段相平行设置。3.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述第一焊盘与所述晶片的下表面之间设置有第一焊料层；所述第二焊盘与所述晶片的上...

【专利技术属性】
技术研发人员：艾亮东，廖瑞忠，陈丽军，胡利娟，温姣姣，
申请(专利权)人：北京思众电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11