半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术实施例公开了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：具有由多个隔离部件限定的有源区域的半导体衬底；在整个有源区域上方延伸并且延伸至隔离部件的一部分上的栅极堆叠件，其中栅极堆叠件包括位于有源区域上并且位于隔离部件的一部分上的栅极介电层、和位于栅极介电层上的栅电极；以及包括对栅极堆叠件的侧壁加衬的垂直部分和延伸至隔离部件的顶部表面上的水平部分的保护性密封件，其中在顶视图中，水平部分围绕栅极堆叠件的位于有源区域外部的部分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及半导体领域，更具体地涉及半导体器件及其制造方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业已经经历了快速发展。IC材料和设计中的技术进步已经产生了数代IC，其中每一代IC比上一代IC都具有更小更复杂的电路。然而，这些进步已经增大了处理和制造IC的复杂程度，并且为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似发展。当通过各种技术节点减小诸如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的半导体器件规模时，已经采用了几种策略以提高器件性能，诸如使用高k(HK)介电材料和金属栅极(MG)电极结构、应变工程、3D栅极晶体管和超薄主体(UTB)。尽管制造MOSFET器件的现有方法通常能满足其预期目的，但是这些方法不能在所有的方面完全符合要求。继续寻求具有提高的可靠性和增强的性能的改善的制造方法。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有由多个隔离部件限定的有源区域；栅极堆叠件，在整个所述有源区域上方延伸并且延伸至所述隔离部件的一部分上，其中，所述栅极堆叠件包括位于所述有源区域上并且位于所述隔离部件的所述部分上的栅极介电层、和位于所述栅极介电层上的栅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有由多个隔离部件限定的有源区域；栅极堆叠件，在整个所述有源区域上方延伸并且延伸至所述隔离部件的一部分上，其中，所述栅极堆叠件包括位于所述有源区域上并且位于所述隔离部件的所述部分上的栅极介电层、和位于所述栅极介电层上的栅电极；以及保护性密封件，包括对所述栅极堆叠件的侧壁加衬的垂直部分和延伸至所述隔离部件的顶部表面上的水平部分，其中，从上往下看，所述水平部分围绕所述栅极堆叠件的位于所述有源区域外部的部分。

【技术特征摘要】
2015.09.18 US 14/859,1531.一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有由多个隔离部件限定的有源区域；栅极堆叠件，在整个所述有源区域上方延伸并且延伸至所述隔离部件的一部分上，其中，所述栅极堆叠件包括位于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪柏澍，陈建茂，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71