集成电路封装体与所使用的封装基板制造技术

本实用新型专利技术是关于集成电路封装体与所使用的封装基板。根据一实施例的射频集成电路封装体包括：上表面与下表面分别设有若干焊垫与外部引脚的封装基板；承载于封装基板上表面的集成电路晶片，其经配置以与焊垫中的相应第一者电连接；滤波器晶片，包括：设有叉指换能器的第一表面、与第一表面相对的第二表面，及设于第一表面的金属结构。金属结构与焊垫中的相应第二者连接且与滤波器晶片的第一表面、封装基板的上表面共同形成容纳叉指换能器的第一空腔；绝缘壳体，至少遮蔽封装基板的上表面、集成电路晶片及滤波器晶片；及承载于封装基板的上表面以隔离绝缘壳体与第一空腔的隔离保护结构。本实用新型专利技术可以低成本实现高度可靠的产品质量。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体封装领域，特别是涉及集成电路封装体及制造集成电路封装体所使用的封装基板。
技术介绍
为迎合电子产品日益轻薄短小的发展趋势，滤波器与射频发射组件/接收组件需要被高度集成在有限面积的封装结构中，形成系统级封装(SystemInPackage，SIP)结构，以减小硬件系统的尺寸。目前系统级封装结构的滤波器主要采用两种方式：芯片级封装(ChipSizedPackage,CSP)滤波器和晶片级封装(DieSizedPackage,DSP)滤波器。无论哪一种结构，其内部均需形成保护容纳滤波器的叉指换能器(Inter-DigitalTransducer,IDT)的空腔。对CSP滤波器而言，其空腔支撑力较小。因而在以注塑材料，如黑色环氧树脂塑封模块产品时，CSP滤波器的本体结构极易因无法承受注塑过程中的模流压力而垮塌，使得IDT空腔受到外力破坏而造成滤波器功能失效。另一方面，对于DSP滤波器而言，其虽然具有更好的强度可以保护IDT空腔的完整，但其制作程序十分复杂，且成本比CSP滤波器高出数倍，无法在系统级封装结构与射频前端模块(RadioFrequencyFrontEndModule，RFFEM)中大量普及。因此，对于系统级封装结构中的滤波器与射频前端模块封装整合技术，业内仍存在相当多的技术问题亟需解决。
技术实现思路
本技术的目的之一在于提供集成电路封装体，制造集成电路封装体的方法以及所使用的封装基板，其可以简单的制程和工艺实现低成本高质量的射频集成电路封装体。本技术的一实施例提供一射频集成电路封装体，其包括：封装基板，其上表面设置有若干焊垫，其下表面设置有若干外部引脚；集成电路晶片，其承载于该封装基板上且经配置以与若干焊垫中的相应第一者电连接；滤波器晶片，其包括：设置有叉指换能器的第一表面、与第一表面相对的第二表面，以及设置于第一表面的金属结构，其中金属结构与若干焊垫中的相应第二者连接且与滤波器晶片的第一表面、该封装基板的上表面共同形成容纳该叉指换能器的第一空腔；绝缘壳体，至少遮蔽该封装基板的上表面、集成电路晶片及滤波器晶片；以及隔离保护结构，其承载于该封装基板的上表面以隔离该绝缘壳体与第一空腔。在本技术的另一实施例中，该隔离保护结构进一步包括承载于该封装基板的上表面的支撑部及设于支撑部顶部和该滤波器晶片上方的保护盖；该支撑部、该保护盖与该封装基板的上表面之间形成保护该滤波器晶片的第二空腔。该保护盖的材料为玻璃、硅或其它具有硬度的半导体材料。在本技术的又一实施例中，该隔离保护结构可为延伸于该滤波器晶片的第一表面与该封装基板的上表面之间的非导电膏柱。在本技术的另一实施例中，该封装基板进一步设有自封装基板的上表面凹陷的凹槽，其中与金属结构连接的若干焊垫中的相应第二者设置于凹槽中，该支撑部的材料为延伸于该保护盖的下表面与该封装基板的上表面之间的非导电膏柱。在本技术的又一实施例中，该支撑部是由与该封装基板相同的材料构成，且由粘合剂连接至封装基板的上表面。在本技术的另一实施例中，该封装基板进一步设有自封装基板的上表面凹陷的凹槽，其中与该金属结构连接的若干焊垫中的相应第二者设置于凹槽中。在本技术的又一实施例中，该射频集成电路封装体进一步包括设置于该保护盖上的另一集成电路晶片，且该另一集成电路晶片经配置以与若干焊垫中的相应第三者电连接。在本技术的一实施例中，该滤波器晶片是以倒装固晶的方式经由该金属结构固定至该封装基板的上表面的。本技术的又一实施例还提供用于本技术的射频集成电路封装体的封装基板。本技术实施例提供的射频集成电路封装体及其制造方法不仅能够保证IDT空腔的完整，还具有成本低，防止滤波器晶片被污染的优点。而且，在本技术的一些实施例中，可在滤波器晶片上进一步堆叠另外的集成电路晶片，因而可额外凸显提升产品整合密度、减小产品尺寸的优点。附图说明图1是根据本技术一实施例的射频集成电路封装体的纵向截面示意图图2a-2d是根据本技术一实施例制造射频集成电路封装体的流程示意图，其可制造图1所示的射频集成电路封装体图3a-3c是根据本技术另一实施例制造射频集成电路封装体的流程示意图，其可制造图3c所示的射频集成电路封装体图4a-4c是根据本技术又一实施例制造射频集成电路封装体的流程示意图，其可制造图4c所示的射频集成电路封装体图5是根据本技术另一实施例的射频集成电路封装体的纵向截面示意图具体实施方式为更好的理解本技术的精神，以下结合本技术的部分优选实施例对其作进一步说明。图1是根据本技术一实施例的射频集成电路封装体100的纵向截面示意图。如图1所示，根据本技术一实施例的射频集成电路封装体100包括：封装基板10、集成电路晶片12、滤波器晶片14、绝缘壳体16及隔离保护结构18。请注意本文所指的“集成电路晶片”是指“滤波器晶片”之外的其它普通晶片，“滤波器晶片”是指未封装的裸片，本文仅是为清楚起见而将“滤波器晶片”与“集成电路晶片”并列描述。该射频集成电路封装体100还可包括贴装元件或其他附件17，例如本实施例中，其可进一步包括通过表面贴装(SurfaceMountTechnology，SMT)技术设置于该封装基板10上的无源元件17。该封装基板10的上表面102设置有若干焊垫104，该封装基板10的下表面106设置有若干外部引脚108。本实施例中，该集成电路晶片12可以是射频发射晶片或接收晶片，可通过晶片接合(DieBond)工艺承载于该封装基板10的上表面102，且通过打线接合(WireBond)工艺由引线连接至封装基板10的上表面102的若干焊垫104中的相应第一者104'以经配置而实现两者间的电连接，其中打线接合使用的引线可以是金线或铜线。该滤波器晶片14可以是声表面波滤波器晶片，其包括设置有叉指换能器142的第一表面144、与该第一表面144相对的第二表面146，以及设置于该第一表面144上的金属结构148。该金属结构148可以是锡球或金属柱。该滤波器晶片14可通过倒装固晶(Flip-ChipDieBond，FCDieBond)的方式经由该金属结构148与封装基板10上若干焊垫104中的相应第二者104”连接，从而该金属结构148与该滤波器晶片14的第一表面144、该封装基板10的上表面102共同形成保护容纳该叉指换能器142的第一空腔15。该绝缘壳体16至少遮蔽该封装基板10的上表面102、该集成电路晶片12及该滤波器晶片14。该隔离保护结构18承载于封装基板10的上表面102以隔离绝缘壳体16与该第一空腔15。在本实施例中，该隔离保护结构18包括承载于该封装基板10的上表面102的支撑部182及设于该支撑部182顶部和该滤波器晶片14上方的保护盖184。该支撑部182、该保护盖184与该封装基板10的上表面102之间形成第二空腔25以隔离该绝缘壳体16与该第一空腔15从而防止该绝缘壳体16成型时注塑材料进入该第一空腔15。该支撑部182可由与该封装基板10相同的材料构成，且由粘合剂连接至该封装基板10的上表面102。粘合剂可采用本领域技术人员所熟知的任意类型，此处不详述。该保护盖184的材料为玻璃、硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频集成电路封装体，其特征在于其包括：封装基板，所述封装基板的上表面设置有若干焊垫，所述封装基板的下表面设置有若干外部引脚；集成电路晶片，其承载于所述封装基板上且经配置以与所述若干焊垫中的相应第一者电连接；滤波器晶片，其包括：第一表面，所述第一表面设置有叉指换能器；第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对；以及金属结构，其设置于所述第一表面；所述金属结构与所述若干焊垫中的相应第二者连接，且与所述滤波器晶片的第一表面、所述封装基板的上表面共同形成容纳所述叉指换能器的第一空腔；绝缘壳体，至少遮蔽所述封装基板的上表面、所述集成电路晶片及所述滤波器晶片；以及隔离保护结构，其承载于所述封装基板的上表面以隔离所述绝缘壳体与所述第一空腔。

【技术特征摘要】
1.一种射频集成电路封装体，其特征在于其包括：封装基板，所述封装基板的上表面设置有若干焊垫，所述封装基板的下表面设置有若干外部引脚；集成电路晶片，其承载于所述封装基板上且经配置以与所述若干焊垫中的相应第一者电连接；滤波器晶片，其包括：第一表面，所述第一表面设置有叉指换能器；第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对；以及金属结构，其设置于所述第一表面；所述金属结构与所述若干焊垫中的相应第二者连接，且与所述滤波器晶片的第一表面、所述封装基板的上表面共同形成容纳所述叉指换能器的第一空腔；绝缘壳体，至少遮蔽所述封装基板的上表面、所述集成电路晶片及所述滤波器晶片；以及隔离保护结构，其承载于所述封装基板的上表面以隔离所述绝缘壳体与所述第一空腔。2.根据权利要求1所述的射频集成电路封装体，其中所述隔离保护结构进一步包括承载于所述封装基板的上表面的支撑部及设于所述支撑部顶部和所述滤波器晶片上方的保护盖；所述支撑部、所述保护盖与所述封装基板的上表面之间形成保护所述滤波器晶片的第二空腔。3.根据权利要求2所述的射频集成电路封装体，其中所述保护盖的材料为玻璃、硅或其它具有硬度的半导体材料。4.根据权利要求1所述的射频集成电路封装体，其中所述隔离保护结构为延伸于所述滤波器晶片的第一表面与所述封装基板的上表面之间的非导电膏柱。5.根据权利要求2所述的射频集成电路封装体，其中所述封装基板进一步设有自所述封装基板的上表面凹陷的凹槽，其中与所述金属结构连接的所述若...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪虞，李维钧，郭桂冠，
申请(专利权)人：苏州日月新半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32