【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2015年8月31日递交的美国临时专利申请No.62/212,481的优选权,其全文结合在此引作参考。
本专利技术涉及半导体封装中的电互连的形成,并且更具体地说涉及改进的焊接机及其操作方法。
技术介绍
在半导体封装工业中,热压焊接(TCB)包括较慢地被采用的倒装芯片工艺,并且如果这种工艺的生产率不能提高,这种工艺就不会广泛地得以采用。半导体芯片的传统毛细流动底部填充在某些器件(例如,多于4层的器件)上认为无法实现。为了在管芯堆叠过程中底部填充半导体管芯,可以使用“非导电膜”(NCF)。用于NCF的其它常用名是“底部填充膜”(UF)或“晶片应用的底部填充膜”(WAUF)。使用该材料的挑战在于该膜往往在相对低的温度下变“粘”。一旦该膜变粘,从转移工具(例如,拾取器或拾取工具)到放置/焊接工具的管芯移送往往变得不可靠。为了避免这种移送问题,可取的是,移送过程中的膜温度处于充分低于膜开始变粘的温度下,同时膜与转移工具保持接触;然而,这种低温需要大的加热和冷却斜坡,这需要时间和能量。因此,期望提供改进的焊接机和操作该焊接机的方法。
技术实现思路
根据本专利技术的示例性实施例,提供了一种操作焊接机(例如,可以包括或可以不包括已加热的热压焊接工具的热压焊接机)的方法。所述方法包括步骤:(a)利用转移工具承载半导体元件;以及b)将所述半导体元件从所述转移工具转移到所述焊接机的焊接工具,其中所述转移工具和所述焊接工具不同时接触所述半导体元件。根据本专利技术的另一示例性实施例,提供了一种焊接机(例如,可以包括或可以不包括已加热的热压焊接工具的热压焊接机 ...
【技术保护点】
一种操作焊接机的方法,所述方法包括步骤:(a)利用转移工具承载半导体元件;以及(b)将所述半导体元件从所述转移工具转移到所述焊接机的焊接工具,其中所述转移工具和所述焊接工具不同时接触所述半导体元件。
【技术特征摘要】
2015.08.31 US 62/212,4811.一种操作焊接机的方法,所述方法包括步骤:(a)利用转移工具承载半导体元件;以及(b)将所述半导体元件从所述转移工具转移到所述焊接机的焊接工具,其中所述转移工具和所述焊接工具不同时接触所述半导体元件。2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述焊接机是热压焊接机,并且所述焊接工具是已加热的热压焊接工具。3.根据权利要求1所述的方法,其中,步骤(b)包括横跨(i)所述半导体元件的接触面与(ii)所述焊接工具的接触面之间的间隙转移所述半导体元件。4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述间隙在1-500微米之间。5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述转移工具是用来在步骤(a)之前从半导体元件源拾取所述半导体元件的拾取工具。6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述半导体元件包括位于所述半导体元件的第一侧上的非导电膜,所述半导体元件的第一侧在步骤(a)中与所述转移工具的接触面接触。7.根据权利要求1所述的方法,其中,步骤(b)包括在转移步骤中在所述焊接工具上提供真空。8.根据权利要求7所述的方法,其中,步骤(b)包括在转移步骤中提供从所述转移工具朝向所述焊接工具的正空气供应。9.一种焊接机,包括:焊接工具,其用于将半导体元件焊接到基板上;转移工具,其用于在所述半导体元件被焊接到所述基板上之前将所述半导体元件转移到所述焊接工具上;以及限定间隙的工具,其用于在将半导体元件转移到焊接工具期间在(a)焊接工具的接触面与(b)转移工具的接触面之间提供预定间隙。10.根据权利要求9所述的焊接机,其中,所述焊接机是热压焊接机,并且所述焊接工具是已加热的热压焊接工具。11.根据权利要求9所述的焊接机,其中,所述预定间隙在1-500微米之间。12.根据权利要求9所述的焊接机,其中,所述限定间隙的工具与所述转移工具和所述焊接工具中的至少一个成一体。13.根据权利要求9所述的焊接机,还包括半导体元件源,其中所述转移工具是用来从半导体元件源拾取所述半导体元件的拾取工具。14.根据权利要求9所述的焊接机,其中,所述半导体元件包括位于所述半导体元件的第一侧上的非导电膜,所述半导体元件的第一侧在半导体元件转移到焊接工具之前与所述转移工具的接触面接触。15.一种操作焊接机的方法,所述方法包括步骤:(a)利用转移工具承载半导体元件;(b)在(i)半导体元件的接触面与(ii)焊接工具的接触面之间提供预定间隙,所述预定间隙由所述焊接机的限定间隙的工具提供;以及(c)在步骤(b)之后将所述半导体元件从所述转移工具转移到所述焊接机的焊接工具。16.根据权利要求15所述的方法,其中,所述焊接机是...
【专利技术属性】
技术研发人员:T·J·小科洛西莫,D·P·比埃尔吉,H·克劳贝格,M·B·瓦塞尔曼,
申请(专利权)人:库利克和索夫工业公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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