一种活性层材料及其在制备三进制存储器件中的应用制造技术

本发明专利技术公开了一种活性层材料及其在制备三进制存储器件中的应用；通过合成聚4‑(4‑甲基丙烯酰氧基)‑偶氮)吡啶并以溶液旋涂的方法制备成薄膜，通过分子自组装的方法在聚合物表面组装了一层金属配合物，再以溶液旋涂的方法制备一层聚合物薄膜，得到活性层。通过本发明专利技术活性层制备的器件实现了稳定的多进制存储，尤其本发明专利技术通过分子自组装的方法在聚合物中间引入一层配合物层从而实现了器件由二进制存向三进制存储的转变。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于存储器件
；具体涉及一种活性层材料及其在制备三进制存储器件中的应用。
技术介绍
自组装技术的概念是在1980年被提出的，是指通过在固体基底表面吸附含有活性基团的分子而组成有序分子聚集体的技术，形成的分子聚集体也称为分子自组装膜。上个世纪90年代，自组装技术应用于表面化学，推动了自组装纳米粒子技术的研究，拓宽了自组装技术的研究范围。自组装单分子层膜具有高度有序性、方向性，其中有机硅烷衍生物的自组装膜能够在单分子层烷基链中或末端引入官能团，改变基底表面的润湿、腐蚀、刻蚀等性质，因此，自组装技术成为当今化学领域的研究主题之一。自组装膜的制备过程非常简单，将预先处理好的基底浸泡在具有表面活性物质的溶液中，反应一段时间后，表面活性物质就在基底上形成了一层排列有序且致密的自组装膜。表面活性物质一般含有一个活性基团，通过它与基底连接，常用的活性基团有-COOH，-OH，-PO43-，-SO32-和-NH2等。基底可以是金属（如铜、铝等）也可以是非金属（如石英、玻璃、塑料等）。分子自组装薄膜是指分子通过化学键相互作用，自发吸附于各种界面从而形成有序的薄膜，该种薄膜高度有序并且缺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种活性层材料，包括聚合物层以及配合物层；两层聚合物层之间设有一层配合物层；所述聚合物为聚4‑(4‑甲基丙烯酰氧基)‑偶氮)吡啶；所述配合物包括有机铂、有机钯、有机钴、有机铜中的一种或几种。

【技术特征摘要】
1.一种活性层材料，包括聚合物层以及配合物层；两层聚合物层之间设有一层配合物层；所述聚合物为聚4-(4-甲基丙烯酰氧基)-偶氮)吡啶；所述配合物包括有机铂、有机钯、有机钴、有机铜中的一种或几种。2.根据权利要求1所述活性层材料，其特征在于：所述聚合物层的厚度为40～60纳米；配合物层的厚度为2～3纳米。3.权利要求1所述活性层材料在制备三进制存储器件中的应用。4.一种三进制存储器件，包括活性层；所述活性层包括聚合物层以及配合物层；两层聚合物层之间设有一层配合物层；所述聚合物为聚4-(4-甲基丙烯酰氧基)-偶氮)吡啶；所述配合物包括有机铂、有机钯、有机钴、有机铜中的一种或几种。5.根据权利要求4所述三进制存储器件，其特征在于：所述三进制存储器件还包括基底材料、电极材料。6.一种三进制存储器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）配置聚合物溶液，然后采用溶液旋涂法，在基底材料上制备一层聚合物薄膜；（2）将带有聚合物薄膜的基底材料浸入配合物醇溶液中，8～12分钟后再浸入无水醇中，3～6分钟取出，然后真...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐庆锋，路建美，王丽华，蒋军，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32