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本发明公开了一种活性层材料及其在制备三进制存储器件中的应用；通过合成聚4‑(4‑甲基丙烯酰氧基)‑偶氮)吡啶并以溶液旋涂的方法制备成薄膜，通过分子自组装的方法在聚合物表面组装了一层金属配合物，再以溶液旋涂的方法制备一层聚合物薄膜，得到活性层...
该专利属于苏州大学所有，仅供学习研究参考，未经过苏州大学授权不得商用。

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