一种阵列基板、其制作方法及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板、其制作方法及显示装置，所述阵列基板包括衬底基板、位于所述衬底基板上的绝缘层和膜层图形，所述衬底基板和所述绝缘层中的至少一个的表面上设置有容纳槽，所述膜层图形的至少部分位于所述容纳槽内。这样，可以有效减小薄膜晶体管的高度，并且减小膜层图形的段差，提升膜层图形的平坦度，降低膜层图形断裂的风险。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板、其制作方法及显示装置。
技术介绍
随着全球信息社会的兴起增加了对各种显示装置的需求。因此，对各种平面显示装置的研究和开发投入了很大的努力，如液晶显示装置(LCD)、等离子显示装置(PDP)、场致发光显示装置(ELD)以及真空荧光显示装置(VFD)。液晶显示装置因其功耗小、成本低、无辐射和易操作等特点，得到了广泛的应用，已越来越多的走进人们的生活、工作中。液晶显示装置已广泛应用于各个领域，如家庭、公共场所、办公场及个人电子相关产品等。目前，液晶显示装置已经从制作简单、成本低廉但视角较小的扭曲向列型液晶显示装置(TwistedNematic,TN)，发展到平面电场切换型液晶显示装置(In-PlaneSwitching,IPS)、多维电场型液晶显示装置(AdvancedSuperDimensionSwitch,AD-SDS,简称ADS)，以及基于ADS模式提出的高开ロ率的HADS型液晶显示装置。然而，无论是扭曲向列型液晶显示装置(TwistedNematic,TN)，还是平面电场切换型液晶显示装置(In-PlaneSwitching,IPS)、多维电场型液晶显示装置(AdvancedSuperDimensionSwitch,AD-SDS,简称ADS)等，薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)均是其中的一种关键性电子组件。但是现有的薄膜晶体管，一般是在基板上依次沉积各种不同的膜层图形来形成，因此导致薄膜晶体管的高度比较高，并且各膜层之间容易形成段差，段差比较大，导致沉积某些膜层的时候容易断裂。
技术实现思路
鉴于此，有必要提供一种阵列基板、其制作方法及显示装置，以解决现有的阵列基板中，在基板上依次沉积各种不同的膜层图形时，薄膜晶体管的高度比较高，各层之间的段差比较大，导致沉积某些膜层的时候容易断裂的问题。为了达到上述目的，本专利技术实施例提供一种阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板、位于所述衬底基板上的包括绝缘层和膜层图形的薄膜晶体管，所述衬底基板和所述绝缘层中的至少一个的表面上设置有容纳槽，所述膜层图形的至少部分位于所述容纳槽内。本专利技术还提供一种显示装置，所述显示装置包括一阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板、位于所述衬底基板上的绝缘层和膜层图形，所述衬底基板和所述绝缘层中的至少一个的表面上设置有容纳槽，所述膜层图形的至少部分位于所述容纳槽内。本专利技术还提供一种阵列基板的制作方法，包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上分别形成绝缘层和膜层图形，其特征在于，所述衬底基板和所述绝缘层中的至少一个的表面上设置有容纳槽，所述膜层图形的至少一部分位于所述容纳槽内。本专利技术实施例提供的阵列基板、其制作方法及显示装置，在阵列基板的衬底基板和薄膜晶体管中的绝缘层中至少一个上设置容纳槽，以收容薄膜晶体管的膜层图形。这样，可以有效减小薄膜晶体管的高度，并且减小膜层图形的段差，提升膜层图形的平坦度，降低膜层图形断裂的风险。附图说明图1为本专利技术一较佳实施例提供的一种显示装置的立体图；图2为图1中II-II处所示的部分剖面图；图3为本专利技术第二实施方式提供的显示装置的部分剖面图；图4为本专利技术第三实施方式提供的显示装置的部分剖面图；图5至图12为本专利技术第三实施方式提供的阵列基板的制作过程中的剖面图。具体实施方式为使本专利技术要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。请参阅图1，图1为本专利技术一较佳实施例提供的一种显示装置的立体图。如图1所示，显示装置100包括第一基板、与第一基板相对设置的第二基板及位于第一基板与第二基板之间的液晶层。显示装置100还包括一显示区101及围绕显示区101的周边区102，显示区101用于实现显示装置的显示功能。本实施方式中，第一基板为包括薄膜晶体管的基板，也可称为阵列基板，第二基板为与第一基板相对设置的对盒基板，但并不局限于此。也就是说，显示装置100包括阵列基板110、与阵列基板110相对设置的对盒基板120及位于阵列基板110与对盒基板120之间的液晶层130。请同时参阅图2，图2为图1中II-II处所示的部分剖面图。阵列基板110包括衬底基板111、栅极112、栅极绝缘层113、源极114、漏极115、有源层116和钝化层117。栅极112设置于衬底基板111上，栅极绝缘层113覆盖栅极112及衬底基板111，有源层116位于栅极绝缘层113上并对应设置于栅极112的上方，源极114及漏极115位于有源层116上且与有源层116接触，源极114及漏极115分别设置于有源层116的相对两端，钝化层117覆盖栅极绝缘层113、源极114、漏极115及有源层116。栅极112、栅极绝缘层113、源极114、漏极115和有源层116共同构成了阵列基板110上的薄膜晶体管。其中，栅极112、源极114、漏极115及有源层116组成了阵列基板110的膜层图形，栅极绝缘层113和钝化层117组成了阵列基板110的绝缘层。衬底基板111靠近栅极绝缘层113的一侧面上设置有容纳槽1111，栅极112收容于容纳槽1111中。优选的，本实施方式中，栅极112全部位于容纳槽1111中，并且栅极112靠近栅极绝缘层113一侧的表面与衬底基板111靠近栅极绝缘层113一侧的表面齐平，但并不局限于此，在其他实施方式中，栅极112也可以只是部分的收容于容纳槽1111中。一般的，由于在阵列基板的制作过程中，形成栅极112的时候，会一并形成栅线，栅线也可以是组成膜层图形的一部分，即膜层图形包括栅线。因此，本专利技术实施方式中，衬底基板111上也可以设置有用于收容栅线的容纳槽，栅线收容于容纳槽中，并且栅线靠近栅极绝缘层113一侧的表面与衬底基板111靠近栅极绝缘层113一侧的表面齐平，或者栅线也仅是部分的位于容纳槽中。阵列基板110还包括像素电极118，像素电极118位于钝化层117上，并通过钝化层117上的一通孔与漏极115连接。阵列基板110还包括与像素电极118绝缘设置的公共电极层(图未示)。像素电极118也是组成阵列基板110的膜层图形的一部分。本实施方式中，虽然是在衬底基板设置收容栅极的容纳槽，但并不局限于此，在其他实施方式中，也可以是在栅极绝缘层上设置容纳槽，以收容有源层和/或源极及漏极，以达到本专利技术减小薄膜晶体管高度，并减小膜层段差的目的。显示装置可以为：液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件，其中，显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板。本实施方式中，衬底基板111可以为透光(如玻璃、石英或类似物)或不透光(如芯片、陶瓷或类似物)的刚性无机材质，亦可以为塑胶、橡胶、聚酯或聚碳酸酯等可挠性有机材质。本实施方式中，像素电极118的材料优选为透明导电材质，如氧化铟锡、氧化铟锌或类似物等。请参阅图3，图3为本专利技术第二实施方式提供的显示装置的部分剖面图。如图3所示，显示装置200包括阵列基板210、与阵列基板210相对设置的对盒基板220及位于阵列基板210与对盒基板220之间的液晶层230。阵列基板210包括衬底基板211、栅极212、栅极绝缘层213、源极214、漏极215、有源层216和钝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板、位于所述衬底基板上的绝缘层和膜层图形，其特征在于，所述衬底基板和所述绝缘层中的至少一个的表面上设置有容纳槽，所述膜层图形的至少部分位于所述容纳槽内。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板、位于所述衬底基板上的绝缘层和膜层图形，其特征在于，所述衬底基板和所述绝缘层中的至少一个的表面上设置有容纳槽，所述膜层图形的至少部分位于所述容纳槽内。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述膜层图形包括位于衬底基板上的薄膜晶体管的栅极和栅线，所述栅极和所述栅线上覆盖有栅极绝缘层，所述衬底基板靠近所述栅极绝缘层的表面设置有容纳槽，所述栅极和所述栅线的至少部分位于所述容纳槽内。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极和所述栅线全部位于所述容纳槽内，所述栅极和所述栅线靠近所述栅极绝缘层一侧的表面与所述衬底基板靠近所述栅极绝缘层一侧的表面齐平。4.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层包括栅极绝缘层，所述膜层图形包括位于栅极绝缘层上的像素电极，所述栅极绝缘层上远离所述衬底基板的表面设置有容纳槽，所述像素电极的至少一部分位于所述容纳槽内。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极全部位于所述容纳槽内，所述像素电极远离所述衬底基板一侧的表面与所述栅极绝缘层远离所述衬底基板一侧的表面齐平。6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-5中任一项所述的阵列基板。7.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上分别形成绝缘层和膜层图形，其特征在于，所述衬底基板和所述绝缘层中的至少一个的表面上设置有容纳槽，所述膜层图形的至少一部分位于所述容纳槽内。8.如权利要求7所述的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：占建英，张慧文，元淼，于凯，王志鹏，李铁朋，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11