阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，所述阵列基板包括显示区域和GOA区域，所述制作方法包括：利用金属氧化物半导体材料制作所述显示区域的第一薄膜晶体管的有源层；利用非金属氧化物的半导体材料制作所述GOA区域的第二薄膜晶体管的有源层。本发明专利技术的技术方案能够使得高分辨率显示装置应用GOA技术。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别是指一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
目前，随着显示技术的发展，为了提升产品竞争力，显示产品的分辨率越来越高，显示产品的分辨率可以达到4K、甚至8K；同时，为了节省显示产品的成本，GOA(GateDriveronArray)技术得到了广泛的应用，GOA技术即阵列基板行驱动技术，是利用薄膜晶体管(ThinFilmTransistor)制程将栅极扫描驱动电路制作在薄膜晶体管阵列基板上，以实现逐行扫描的驱动方式，具有降低生产成本和实现面板窄边框设计的优点，为多种显示产品所使用。由于显示产品的分辨率很高，显示产品像素的行数可以达到几千，导致每行像素的充电时间很短，在薄膜晶体管的有源层采用a-Si时，由于a-Si的迁移率比较低，所以很难保证显示产品的充电率满足要求；金属氧化物半导体的迁移率远远高于a-Si，可以轻松满足高分辨率显示产品的充电率要求，但是在采用金属氧化物半导体作为薄膜晶体管的有源层时，在长时间偏压作用下，薄膜晶体管的阈值电压Vth漂移严重，使得薄膜晶体管的特性发生变化，GOA单元将不能实现正常的扫描功能，综上所述，现有的高分辨显示产品无法应用GOA技术。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，能够使得高分辨率显示装置应用GOA技术。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下：一方面，提供一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括显示区域和GOA区域，所述制作方法包括：利用金属氧化物半导体材料制作所述显示区域的第一薄膜晶体管的有源层；利用非金属氧化物的半导体材料制作所述GOA区域的第二薄膜晶体管的有源层。进一步地，所述阵列基板的制作方法具体包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上沉积栅金属层，对所述栅金属层进行构图形成所述第一薄膜晶体管的栅电极和所述第二薄膜晶体管的栅电极；形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上沉积非金属氧化物的半导体层，对所述非金属氧化物的半导体层进行构图形成所述第二薄膜晶体管的有源层；在所述栅绝缘层上沉积金属氧化物半导体层，对所述金属氧化物半导体层进行构图形成所述第一薄膜晶体管的有源层；在形成有所述第一薄膜晶体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的有源层的衬底基板上沉积源漏金属层，对所述源漏金属层进行构图形成所述第一薄膜晶体管的源电极、漏电极和所述第二薄膜晶体管的源电极、漏电极。进一步地，所述阵列基板的制作方法具体包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上沉积栅金属层，对所述栅金属层进行构图形成所述第一薄膜晶体管的栅电极和所述第二薄膜晶体管的栅电极；形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上沉积金属氧化物半导体层，对所述金属氧化物半导体层进行构图形成所述第一薄膜晶体管的有源层；在所述栅绝缘层上沉积非金属氧化物的半导体层，对所述非金属氧化物的半导体层进行构图形成所述第二薄膜晶体管的有源层；在形成有所述第一薄膜晶体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的有源层的衬底基板上沉积源漏金属层，对所述源漏金属层进行构图形成所述第一薄膜晶体管的源电极、漏电极和所述第二薄膜晶体管的源电极、漏电极。进一步地，所述阵列基板的制作方法具体包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上沉积缓冲层；在所述缓冲层上沉积非金属氧化物的半导体层，对所述非金属氧化物的半导体层进行构图形成所述第二薄膜晶体管的有源层；在所述缓冲层上沉积金属氧化物半导体层，对所述金属氧化物半导体层进行构图形成所述第一薄膜晶体管的有源层；在形成有所述第一薄膜晶体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的有源层的衬底基板上沉积源漏金属层，对所述源漏金属层进行构图形成所述第一薄膜晶体管的源电极、漏电极和所述第二薄膜晶体管的源电极、漏电极；形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上沉积栅金属层，对所述栅金属层进行构图形成所述第一薄膜晶体管的栅电极和所述第二薄膜晶体管的栅电极。进一步地，所述阵列基板的制作方法具体包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上沉积缓冲层；在所述缓冲层上沉积金属氧化物半导体层，对所述金属氧化物半导体层进行构图形成所述第一薄膜晶体管的有源层；在所述缓冲层上沉积非金属氧化物的半导体层，对所述非金属氧化物的半导体层进行构图形成所述第二薄膜晶体管的有源层；在形成有所述第一薄膜晶体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的有源层的衬底基板上沉积源漏金属层，对所述源漏金属层进行构图形成所述第一薄膜晶体管的源电极、漏电极和所述第二薄膜晶体管的源电极、漏电极；形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上沉积栅金属层，对所述栅金属层进行构图形成所述第一薄膜晶体管的栅电极和所述第二薄膜晶体管的栅电极。进一步地，所述非金属氧化物的半导体材料采用多晶硅或非晶硅；所述金属氧化物半导体材料采用IGZO、IZO、ZnON、CuO或SnO。本专利技术实施例还提供了一种阵列基板，采用如上所述的制作方法制作得到，所述阵列基板包括显示区域和GOA区域，所述显示区域的第一薄膜晶体管的有源层采用金属氧化物半导体材料，所述GOA区域的第二薄膜晶体管的有源层采用非金属氧化物的半导体材料。进一步地，所述阵列基板具体包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的所述第一薄膜晶体管的栅电极和所述第二薄膜晶体管的栅电极；栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上的所述第一薄膜晶体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的有源层；所述第一薄膜晶体管的源电极、漏电极和所述第二薄膜晶体管的源电极、漏电极。进一步地，所述阵列基板具体包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的缓冲层；位于所述缓冲层上的所述第一薄膜晶体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的有源层；所述第一薄膜晶体管的源电极、漏电极和所述第二薄膜晶体管的源电极、漏电极；栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上的所述第一薄膜晶体管的栅电极和所述第二薄膜晶体管的栅电极。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。本专利技术的实施例具有以下有益效果：上述方案中，阵列基板的显示区域的薄膜晶体管的有源层和GOA区域的薄膜晶体管的有源层采用不同的材料制成，阵列基板的显示区域的薄膜晶体管的有源层采用金属氧化物半导体材料制成，这样当显示产品的分辨率很高时，由于金属氧化物半导体材料的迁移率比较高，也能够满足高分辨率显示产品的充电率要求；阵列基板的GOA区域的薄膜晶体管的有源层采用非金属氧化物的半导体材料制成，这样能够防止薄膜晶体管在长期偏压作用下Vth漂移，保证薄膜晶体管的特性不会发生变化，保证GOA单元正常的扫描功能。通过本专利技术的技术方案，能够使得高分辨率显示装置应用GOA技术。附图说明图1为本专利技术实施例阵列基板的结构示意图；图2为本专利技术实施例在衬底基板上形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的栅电极后的示意图；图3为本专利技术实施例形成栅绝缘层后的示意图；图4为本专利技术实施例先在衬底基板上形成第一薄膜晶体管的有源层的示意图；图5为本专利技术实施例后在衬底基板上形成第二薄膜晶体管的有源层的示意图；图6为本专利技术实施例先在衬底基板上形成第二薄膜晶体管的有源层的示意图。附图标记1衬底基板2显示区域的薄膜晶体管的栅电极3栅绝缘层4显示区域的薄膜晶体管的有源层5显示区域的薄膜晶体管的漏电极6显示区域的薄膜晶体管的源电极7GOA区域的薄膜晶体管的栅电极8GOA区域的薄膜晶体管的有源层9GOA区域的薄膜晶体管的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括显示区域和GOA区域，其特征在于，所述制作方法包括：利用金属氧化物半导体材料制作所述显示区域的第一薄膜晶体管的有源层；利用非金属氧化物的半导体材料制作所述GOA区域的第二薄膜晶体管的有源层。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括显示区域和GOA区域，其特征在于，所述制作方法包括：利用金属氧化物半导体材料制作所述显示区域的第一薄膜晶体管的有源层；利用非金属氧化物的半导体材料制作所述GOA区域的第二薄膜晶体管的有源层。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板的制作方法具体包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上沉积栅金属层，对所述栅金属层进行构图形成所述第一薄膜晶体管的栅电极和所述第二薄膜晶体管的栅电极；形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上沉积非金属氧化物的半导体层，对所述非金属氧化物的半导体层进行构图形成所述第二薄膜晶体管的有源层；在所述栅绝缘层上沉积金属氧化物半导体层，对所述金属氧化物半导体层进行构图形成所述第一薄膜晶体管的有源层；在形成有所述第一薄膜晶体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的有源层的衬底基板上沉积源漏金属层，对所述源漏金属层进行构图形成所述第一薄膜晶体管的源电极、漏电极和所述第二薄膜晶体管的源电极、漏电极。3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板的制作方法具体包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上沉积栅金属层，对所述栅金属层进行构图形成所述第一薄膜晶体管的栅电极和所述第二薄膜晶体管的栅电极；形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上沉积金属氧化物半导体层，对所述金属氧化物半导体层进行构图形成所述第一薄膜晶体管的有源层；在所述栅绝缘层上沉积非金属氧化物的半导体层，对所述非金属氧化物的半导体层进行构图形成所述第二薄膜晶体管的有源层；在形成有所述第一薄膜晶体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的有源层的衬底基板上沉积源漏金属层，对所述源漏金属层进行构图形成所述第一薄膜晶体管的源电极、漏电极和所述第二薄膜晶体管的源电极、漏电极。4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板的制作方法具体包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上沉积缓冲层；在所述缓冲层上沉积非金属氧化物的半导体层，对所述非金属氧化物的半导体层进行构图形成所述第二薄膜晶体管的有源层；在所述缓冲层上沉积金属氧化物半导体层，对所述金属氧化物半导体层进行构图形成所述第一薄膜晶体管的有源层；在形成有所述第一薄膜晶体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的有源层的衬底基板上沉积源漏金属层，对所述源漏金属层进行构图形成所述第一薄膜晶体管的源电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：王谦，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11