半导体器件和用于半导体器件的器件制造技术

各种实施例总体涉及一种半导体器件和用于半导体器件的器件，更具体地，涉及一种关于数据保持时间的裕度的技术。半导体器件可以包括修复检测单元，修复检测单元被配置为判断输入地址是否是修复地址并且输出修复检测信号。半导体器件可以包括刷新控制单元，刷新控制单元被配置为响应于刷新命令信号来同时激活两个或更多个字线，以及根据修复检测信号来顺序地激活所述两个或更多个字线。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2015年8月21日在韩国知识产权局提交的申请号为10-2015-0117929的韩国申请的优先权，该韩国专利申请通过引用全部合并于此。
各种实施例总体涉及一种半导体器件和用于半导体器件的器件，更具体地，涉及一种关于数据保持时间(dataretentiontime)的裕度的技术。
技术介绍
通常，包括双倍数据速率同步DRAM(DDRSDRAM)的半导体存储器件包括非常大数量的存储单元。半导体存储器件的集成度根据工艺技术的发展而增加，因此存储单元的数量进一步增加。如果这种存储单元中的任意一个存储单元出故障，则包括故障存储单元的半导体存储器件必须被舍弃，因为其不能执行要求的操作。随着半导体存储器件的工艺技术改进，缺陷仅在一些存储单元中出现。在考虑到产品的产量时，因这些出故障的存储单元而舍弃整个半导体存储器件是非常低效的。因此，为了弥补这种出故障的存储单元，除正常存储单元以外，冗余存储单元也被包括在半导体存储器件中。冗余存储单元是用于如果在正常存储单元中出现故障则修复出故障的存储单元(在下文中被称为“目标修复存储单元”)的电路。更具体地，例如，对于读取操作或写入本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：修复检测单元，被配置为判断输入地址是否是修复地址并且输出修复检测信号；以及刷新控制单元，被配置为响应于刷新命令信号来同时激活两个或更多个字线，以及根据修复检测信号来顺序地激活所述两个或更多个字线。

【技术特征摘要】
2015.08.21 KR 10-2015-01179291.一种半导体器件，包括：修复检测单元，被配置为判断输入地址是否是修复地址并且输出修复检测信号；以及刷新控制单元，被配置为响应于刷新命令信号来同时激活两个或更多个字线，以及根据修复检测信号来顺序地激活所述两个或更多个字线。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，修复检测单元包括：修复信号发生单元，被配置为将地址与修复地址进行比较并且输出修复选择信号；以及组合单元，被配置为通过将修复选择信号与修复校验信号进行组合来输出修复检测信号。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，如果地址是修复地址，则修复信号发生单元激活并且输出修复选择信号。4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，在修复选择信号和修复校验信号二者都被使能时，组合单元使能并且输出修复检测信号。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，刷新控制单元同时激活彼此不相邻的至少两个或更多个字线。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，刷新控制单元包括：字线驱动控制单元，被配置为响应于刷新命令信号来控制所述两个或更多个字线，使得所述两个或更多个字线被同时激活；脉冲宽度控制单元，被配置为响应于字线驱动控制单元的输出来产生两个或更多个字线驱动信号；以及选择单元，被配置为响应于修复检测信号来选择字线驱动控制单元的输出或脉冲宽度控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：金载镒，白承根，崔敦铉，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR