一种电性地址与物理地址的对应关系的验证方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种电性地址与物理地址的对应关系的验证方法，通过对转换的物理地址所对应的单元和位于该单元周边的单元的阈值电压进行比较来验证电性地址与物理地址的对应关系正确与否，以实现对电性地址与物理地址的对应关系的精确验证，该方法对失效模式没有严格的限定，且操作方便，快捷，从而有效提高了验证效率和成功率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种电性地址与物理地址的对应关系的验证方法。
技术介绍
失效性分析是提高半导体产品良率的重要手段，其原理通常为：在制作出的芯片有故障时，通过失效性分析，定位出失效单元（fail bit ）的所述位置，并分析得出是哪种缺陷导致该失效单元失效，以便于后续制作过程中进行改进，提高良率；在失效性分析过程中，电性地址与物理地址之间的对应关系（scramble）具有关键的作用。目前电性地址与物理地址之间的对应关系的验证方法一般包括粗略验证和精细验证；粗略验证为：首先提供scramble 文件，其次使用激光在芯片的特定位置（比如芯片的左上角）打个标记（mark）来破坏芯片（如左上角）的物理地址，然后利用测试芯片验证对应的电性地址是否有失效问题产生，且大致的方位一定要对。精细验证为：选择特定失效模式的样品（（single bit CT open）的样品）进行物理失效分析（Physical failure analysis，简称PFA）来精确地验证电性地址与物理地址之间的对应关系是否正确。但是由于失效模式必须是比较明显的硬失效（hard fail），这样在P本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电性地址与物理地址的对应关系的验证方法，其特征在于，包括如下步骤：提供待验证的电性地址与物理地址的对应关系和一具有失效单元的样品，且所述样品设置有通孔；获取所述失效单元的电性地址；根据所述待验证的电性地址与物理地址的对应关系将所述失效单元的电性地址转换为物理地址；将所述样品研磨至所述通孔的水平面；于所述样品上找出转换的所述物理地址对应的单元；对所述转换的所述物理地址对应的单元和与该单元邻近的单元进行阈值电压测试，并根据测试结果判断所述待验证的电性地址与物理地址的对应关系是否正确。

【技术特征摘要】
1.一种电性地址与物理地址的对应关系的验证方法，其特征在于，包括如下步骤：提供待验证的电性地址与物理地址的对应关系和一具有失效单元的样品，且所述样品设置有通孔；获取所述失效单元的电性地址；根据所述待验证的电性地址与物理地址的对应关系将所述失效单元的电性地址转换为物理地址；将所述样品研磨至所述通孔的水平面；于所述样品上找出转换的所述物理地址对应的单元；对所述转换的所述物理地址对应的单元和与该单元邻近的单元进行阈值电压测试，并根据测试结果判断所述待验证的电性地址与物理地址的对应关系是否正确。2.如权利要求1所述的电性地址与物理地址的对应关系的验证方法，其特征在于，所述方法中，若所述转换的所述物理地址对应的单元和与该单元邻近的单元的阈值电压不同，则判断所述待验证的电性地址与物理地址的对应关系是正确的。3.如权利要求2所述的电性地址与物理地址的对应关系的验证方法，其特征在于，所述方法中，若所述转换的所述物理地址对应的单元和与该单元邻近的单元的阈值电压相同，则判断所述待验证的电性地址与物理地址的对应关系是错误的。4.如权利要求1所述的电性地址与物理地...

【专利技术属性】
技术研发人员：李桂花，罗旭，仝金雨，李品欢，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42