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本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种电性地址与物理地址的对应关系的验证方法,通过对转换的物理地址所对应的单元和位于该单元周边的单元的阈值电压进行比较来验证电性地址与物理地址的对应关系正确与否,以实现对电性地址与物理地址的对应关系的精确...该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。
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本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种电性地址与物理地址的对应关系的验证方法,通过对转换的物理地址所对应的单元和位于该单元周边的单元的阈值电压进行比较来验证电性地址与物理地址的对应关系正确与否,以实现对电性地址与物理地址的对应关系的精确...