半导体装置。本实用新型专利技术公开一种半导体装置，所述半导体装置能够通过增加用于形成输入/输出垫的区域而容易地增加所述输入/输出垫的数目，使得再分布层形成为延伸直到包封物。在一个实施例中，所述半导体装置包含：再分布层；后段制程(BEOL)层，所述BEOL层电连接到再分布层；半导体裸片，所述半导体裸片电连接到所述BEOL层；氧化物层，所述氧化物层覆盖半导体裸片的一个表面；包封物，所述包封物包封氧化物层、半导体裸片、BEOL层以及再分布层的一个表面；以及导电凸块，所述导电凸块形成于再分布层的另一个表面上并且电连接到再分布层。
【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请引用2016年1月11日递交的第10-2016-0003231号韩国专利申请、主张所述韩国专利申请的优先权并主张所述韩国专利申请的权益，所述韩国专利申请的内容在此以全文引入的方式并入本文中。
本技术的某些实施例涉及一种半导体装置。
技术介绍
一般来说，半导体装置包含通过处理晶片并在晶片上形成集成电路(IC)而制造的半导体裸片。在将半导体裸片用作RF装置的情况下，当半导体装置通过射频传输信号时，可能因在处理晶片之后晶片衬底保留而引起功率的损失，并且也可能出现电流的泄漏。
技术实现思路
本技术提供一种半导体装置及一种其制造方法，所述半导体装置及其制造方法能够通过增加用于形成输入/输出垫的区域而容易地增加输入/输出垫的数目，使得再分布层形成为延伸直到包封物。本技术还提供一种半导体装置和一种其制造方法，通过使用经形成以覆盖半导体裸片的氧化物层来完全移除保留的晶片衬底，所述半导体装置及其制造方法能够防止电流泄漏并且能够减少功率损失。将在优选实施例的以下描述中描述或从以下描述中清楚本技术的上述和其它目的。根据本技术的一个方面，提供一种半导体装置的制造方法，所述制造方法包含：通过在晶片衬底上相继形成氧化物层、半导体层和后段制程(BEOL)层来准备晶片；切割晶片以将晶片划分为个别半导体芯片；通过翻转半导体芯片并从半导体芯片移除晶片衬底来将半导体芯片安装在载体的一个表面上；使用包封物包封载体的一个表面和半导体芯片且接着移除载体；在移除载体的同时形成待电连接到向外暴露的BEOL层的再分布层；以及形成待电连接到待电连接到再分布层的导电凸块。根据本技术的另一个方面，提供一种半导体装置，所述半导体装置包含：再分布层；后段制程(BEOL)层，所述BEOL层电连接到再分布层；半导体裸片，所述半导体裸片电连接到所述BEOL层；氧化物层，所述氧化物层覆盖半导体裸片的一个表面；包封物，所述包封物包封氧化物层、半导体裸片、BEOL层以及再分布层的一个表面；以及导电凸块，所述导电凸块形成于再分布层的另一个表面上并且电连接到再分布层。如上所述，在半导体装置及其制造方法中，能够通过增加用于形成输入/输出垫的区域而容易地增加输入/输出垫的数目，使得再分布层形成为延伸直到包封物。另外，在半导体装置及其制造方法中，通过使用经形成以覆盖半导体裸片的氧化物层来完全移除保留的晶片衬底，能够防止电流泄漏并且能够减少功率损失。附图说明图1是示出根据本技术的实施例的半导体装置的制造方法的流程图；图2A到2J是示出图1中所示的半导体装置的制造方法的各种步骤的横截面图；图3是示出根据本技术的另一实施例的半导体装置的制造方法的流程图；以及图4A到4F是示出图3中所示的半导体装置的制造方法的各种步骤的横截面图。具体实施方式本技术的各种方面可以许多不同形式实施且不应理解为受限于在本文中所阐述的实例实施例。实际上，提供本技术的这些实例实施例是为了使本技术将为充分且完整的，并且将向所属领域的技术人员传达本技术的各种方面。在图式中，为了清楚起见而放大了层和区域的厚度。此处，类似参考标号通篇指代类似元件。如本文中所使用，术语“和/或”包含相关联的所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。另外，本文中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意图限制本技术。如本文中所使用，除非上下文另外明确指示，否则单数形式也意图包含复数形式。将进一步理解，术语“包括”、“包含”在用于本说明书时指定所陈述的特征、数目、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但是并不排除一个或多个其它特征、数目、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在或添加。应理解，虽然术语第一、第二等可以在本文中用于描述各种部件、元件、区域、层和/或区段，但是这些部件、元件、区域、层和/或区段不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个部件、元件、区域、层和/或区段与另一部件、元件、区域、层和/或区段。因此，例如，下文论述的第一部件、第一元件、第一区域、第一层和/或第一区段可能被称为第二部件、第二元件、第二区域、第二层和/或第二区段而不脱离本技术的教示。现在将详细参考本技术的当前实施例，在附图中图示所述实施例的实例。参考图1，示出了流程图，所述流程图示出根据本技术的实施例的半导体装置(100)的制造方法。如图1中所示，半导体装置(100)的制造方法包含：准备晶片(S1)、背面研磨(S2)、切割(S3)、安装半导体芯片(S4)、移除晶片衬底(S5)、包封(S6)、形成再分布层(S7)、形成导电凸块(S8)以及分离(S9)。参考图2A到2J，示出了横截面图，所述横截面图示出图1中所示的半导体装置(100)的制造方法的各种步骤。在下文中，将参考图1和图2A到2J描述半导体装置的制造方法。如图2A中所示，在准备晶片过程中(S1)，在晶片衬底10上准备晶片，所述晶片包含在晶片衬底上相继形成的氧化物层110、半导体层120以及后段制程(BEOL)层130。氧化物层110可以在晶片衬底10的第一表面10a上形成至预定厚度。晶片衬底10可以是硅衬底，但本技术的各方面并不限于此。氧化物层110可以是氧化硅层，具有在由硅制成的晶片衬底10与后续待描述的半导体层120之间的良好界面特性。使用选自由以下组成的群组的一种在晶片衬底10的整个顶部区域上形成氧化物层130：热氧化、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)及其等效物。可以在半导体层120与晶片衬底10之间插入氧化物层110。可以提供氧化物层110以防止电流泄漏。半导体层120是在其中具有多个集成电路的半导体，并且可以大体上成形为板形。端子121可以是用于半导体层120中的多个集成电路的界面。端子121可以电连接到BEOL层130的第一再分布层132。半导体层120可以插入氧化物层110与BEOL层130之间。BEOL层130包含第一介电层131和第一再分布层132。BEOL层130形成为完全覆盖半导体层120的第一表面120a。BEOL层130包含形成为完全覆盖半导体层120的第一介电层131、通过光刻蚀刻工艺和/或激光工艺形成的开放区域、以及在开放区域的暴露区域中形成的第一再分布层132。此处，端子121可以通过开放区域暴露，并且第一再分布层132可以形成于半导体层120和第一介电层131上以与端子121接触或待电连接到端子121。第一再分布层132可以各种图案形成为电连接到半导体层120的端子121，并且可以包括多个第一再分布层。第一介电层131可以是选自由以下组成的群组的一种介电层：氧化硅层、氮化硅层及其等效物，但本技术的各方面并不限于此。可以通过以下工艺形成第一再分布层132：针对由金、银、镍、钛和/或钨制成的晶种层的无电镀敷工艺，使用铜等的电镀工艺，以及使用光刻胶的光刻蚀刻工艺，但本技术的各方面并不限于此。另外，第一再分布层132可以不仅由铜制成，而且还由选自由以下组成的群组的一种材料制成：铜合金、铝、铝合金、铁、铁合金及其等效物，但本技术的各方面并不限于此。此外，可以反复地多次执行形成第一介电层131和第一再分布层132的工艺，由此本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包括：再分布层；后段制程层，所述后段制程层电连接到所述再分布层；半导体层，所述半导体层包括集成电路并且电连接到所述后段制程层；顶部氧化物层，所述顶部氧化物层覆盖所述半导体层的顶表面；包封物，所述包封物至少部分地包封所述顶部氧化物层、所述半导体层、所述后段制程层、以及所述再分布层的顶表面；以及导电凸块，所述导电凸块形成于所述再分布层的底表面上并且电连接到所述再分布层。
【技术特征摘要】
2016.01.11 KR 10-2016-0003231;2016.05.06 US 15/1491.一种半导体装置，其特征在于，包括：再分布层；后段制程层，所述后段制程层电连接到所述再分布层；半导体层，所述半导体层包括集成电路并且电连接到所述后段制程层；顶部氧化物层，所述顶部氧化物层覆盖所述半导体层的顶表面；包封物，所述包封物至少部分地包封所述顶部氧化物层、所述半导体层、所述后段制程层、以及所述再分布层的顶表面；以及导电凸块，所述导电凸块形成于所述再分布层的底表面上并且电连接到所述再分布层。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述集成电路包括射频装置。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述再分布层电连接到所述后段制程层并且覆盖所述包封物的底表面。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：形成于所述半导体层的侧壁上的侧面氧化物层。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：所述侧面氧化物层进一步覆盖所述顶部氧化物层。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述包封物接触所述顶部氧化物层上的顶部氧化物表面。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述顶部氧化物层包括底氧化物表面；并且所述半导体层形成于所述底氧化物表面上。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述顶部氧化物层是不同于所述半导体层的氧化物的半导体氧化物。9.一种半导体装置，其特征在于，包括：集成电路裸片，所述集成电路裸片包括：后段制程层，所述后段制程层包括第一后段制程表面和第二后段制程表...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜成根，元秋亨，金因瑞，
申请(专利权)人：艾马克科技公司，
类型：新型
国别省市：美国;US
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