半导体装置制造方法及图纸

半导体装置。本实用新型专利技术公开一种半导体装置，所述半导体装置能够通过增加用于形成输入/输出垫的区域而容易地增加所述输入/输出垫的数目，使得再分布层形成为延伸直到包封物。在一个实施例中，所述半导体装置包含：再分布层；后段制程(BEOL)层，所述BEOL层电连接到再分布层；半导体裸片，所述半导体裸片电连接到所述BEOL层；氧化物层，所述氧化物层覆盖半导体裸片的一个表面；包封物，所述包封物包封氧化物层、半导体裸片、BEOL层以及再分布层的一个表面；以及导电凸块，所述导电凸块形成于再分布层的另一个表面上并且电连接到再分布层。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请引用2016年1月11日递交的第10-2016-0003231号韩国专利申请、主张所述韩国专利申请的优先权并主张所述韩国专利申请的权益，所述韩国专利申请的内容在此以全文引入的方式并入本文中。
本技术的某些实施例涉及一种半导体装置。
技术介绍
一般来说，半导体装置包含通过处理晶片并在晶片上形成集成电路(IC)而制造的半导体裸片。在将半导体裸片用作RF装置的情况下，当半导体装置通过射频传输信号时，可能因在处理晶片之后晶片衬底保留而引起功率的损失，并且也可能出现电流的泄漏。
技术实现思路
本技术提供一种半导体装置及一种其制造方法，所述半导体装置及其制造方法能够通过增加用于形成输入/输出垫的区域而容易地增加输入/输出垫的数目，使得再分布层形成为延伸直到包封物。本技术还提供一种半导体装置和一种其制造方法，通过使用经形成以覆盖半导体裸片的氧化物层来完全移除保留的晶片衬底，所述半导体装置及其制造方法能够防止电流泄漏并且能够减少功率损失。将在优选实施例的以下描述中描述或从以下描述中清楚本技术的上述和其它目的。根据本技术的一个方面，提供一种半导体装置的制造方法，所述制造方法包含：通过在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包括：再分布层；后段制程层，所述后段制程层电连接到所述再分布层；半导体层，所述半导体层包括集成电路并且电连接到所述后段制程层；顶部氧化物层，所述顶部氧化物层覆盖所述半导体层的顶表面；包封物，所述包封物至少部分地包封所述顶部氧化物层、所述半导体层、所述后段制程层、以及所述再分布层的顶表面；以及导电凸块，所述导电凸块形成于所述再分布层的底表面上并且电连接到所述再分布层。

【技术特征摘要】
2016.01.11 KR 10-2016-0003231;2016.05.06 US 15/1491.一种半导体装置，其特征在于，包括：再分布层；后段制程层，所述后段制程层电连接到所述再分布层；半导体层，所述半导体层包括集成电路并且电连接到所述后段制程层；顶部氧化物层，所述顶部氧化物层覆盖所述半导体层的顶表面；包封物，所述包封物至少部分地包封所述顶部氧化物层、所述半导体层、所述后段制程层、以及所述再分布层的顶表面；以及导电凸块，所述导电凸块形成于所述再分布层的底表面上并且电连接到所述再分布层。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述集成电路包括射频装置。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述再分布层电连接到所述后段制程层并且覆盖所述包封物的底表面。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：形成于所述半导体层的侧壁上的侧面氧化物层。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：所述侧面氧化物层进一步覆盖所述顶部氧化物层。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述包封物接触所述顶部氧化物层上的顶部氧化物表面。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述顶部氧化物层包括底氧化物表面；并且所述半导体层形成于所述底氧化物表面上。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述顶部氧化物层是不同于所述半导体层的氧化物的半导体氧化物。9.一种半导体装置，其特征在于，包括：集成电路裸片，所述集成电路裸片包括：后段制程层，所述后段制程层包括第一后段制程表面和第二后段制程表...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜成根，元秋亨，金因瑞，
申请(专利权)人：艾马克科技公司，
类型：新型
国别省市：美国;US