【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及力学环境的冲击测试与实验
,特别涉及一种大载荷高g值气动垂直冲击试验台。
技术介绍
在高g值加速度冲击环境下,系统元器件将承受巨大的惯性载荷,为保证系统具有高的抗冲击过载能力,确保系统在高g值冲击环境下能正常运行,必须对元器件及其系统进行高g值冲击环境试验,以验证其可靠性。对于质量和体积较小的元器件,其冲击试验可以利用现有的Hopkinson压杆装置、摆锤装置、垂直冲击装置、空气炮、实弹打靶等技术实现。Hopkinson压杆技术可实现冲击加速度10万g到20万g、脉宽几百到几十微秒、脉冲波形为半正弦的高g值冲击环境,但负载很小。空气炮和实弹打靶技术和实际的高g冲击环境最为接近,负载能力不大,需要专门的场地,且结构复杂,试验周期长,费用高。摆锤和垂直冲击装置可以实现5万g到10万g、几十微秒到几十毫秒、多种波形的冲击脉冲,当g值较高时,负载能力急剧下降。对于质量在几千克以下的被测件,这两种装置是目前应用最广的高g值冲击试验手段,尤其是垂直冲击装置。目前国内外的垂直冲击装置主要采用自由跌落、弹簧储能加速、压缩气体驱动等方式实现,原理是将被测件安装至工作台面上,采用某种方式将平台提升到一定的高度,然后释放,使台面及被测件一起与砧座碰撞,产生高g值冲击环境,可通过改变台面和砧座之间的碰撞接触条件,调节冲击脉冲波形。如中国专利技术专利(专利号:201110302992.X)就公开了一种简易高g值加速度冲 ...
【技术保护点】
一种大载荷高g值气动垂直冲击试验台,其特征在于,其包括:外壳总成,所述外壳总成包括外壳主体,所述外壳主体为内部设有中空腔的筒状结构;砧座总成,所述砧座总成包括砧座主体,所述砧座主体为内部设有中空腔的筒状结构,所述砧座主体位于所述外壳主体的中空腔内,所述砧座主体的上端面设有波形调整垫,所述砧座主体的下端设有减震装置,所述砧座主体的侧壁上设有贯通的主体切口;气缸总成,所述气缸总成包括驱动气缸,所述驱动气缸位于所述砧座主体的中空腔内,所述驱动气缸下端开口,所述驱动气缸下方设有一密封板,所述密封板位于一密封气囊上,所述密封气囊充气后,所述密封板将所述驱动气缸的下端开口密封,所述驱动气缸内设有驱动活塞,所述驱动活塞将所述驱动气缸的内腔分为驱动气缸上腔室和驱动气缸下腔室,所述驱动气缸上设有高压气体入口,所述高压气体入口与所述驱动气缸上腔室连通;台面总成,所述台面总成包括台面主体,所述台面主体位于所述砧座主体上方,所述台面主体的下端与一拉杆连接,所述拉杆依次穿过所述砧座主体、驱动气缸的上端面与所述驱动活塞固定连接;夹持释放总成,所述夹持释放总成包括支撑架,所述支撑架上设有翼板,所述翼板穿过所述砧座主 ...
【技术特征摘要】
1.一种大载荷高g值气动垂直冲击试验台,其特征在于,其包括:
外壳总成,所述外壳总成包括外壳主体,所述外壳主体为内部设有中空腔的筒状结构;
砧座总成,所述砧座总成包括砧座主体,所述砧座主体为内部设有中空腔的筒状结构,
所述砧座主体位于所述外壳主体的中空腔内,所述砧座主体的上端面设有波形调整垫,所
述砧座主体的下端设有减震装置,所述砧座主体的侧壁上设有贯通的主体切口;
气缸总成,所述气缸总成包括驱动气缸,所述驱动气缸位于所述砧座主体的中空腔内,
所述驱动气缸下端开口,所述驱动气缸下方设有一密封板,所述密封板位于一密封气囊上,
所述密封气囊充气后,所述密封板将所述驱动气缸的下端开口密封,所述驱动气缸内设有
驱动活塞,所述驱动活塞将所述驱动气缸的内腔分为驱动气缸上腔室和驱动气缸下腔室,
所述驱动气缸上设有高压气体入口,所述高压气体入口与所述驱动气缸上腔室连通;
台面总成,所述台面总成包括台面主体,所述台面主体位于所述砧座主体上方,所述台
面主体的下端与一拉杆连接,所述拉杆依次穿过所述砧座主体、驱动气缸的上端面与所述
驱动活塞固定连接;
夹持释放总成,所述夹持释放总成包括支撑架,所述支撑架上设有翼板,所述翼板穿过
所述砧座主体侧壁上的主体切口与所述外壳主体固定连接,所述驱动气缸与所述支撑件固
定连接,所述支撑架上设有用于夹持和释放所述拉杆的夹持释放机构。
2.根据权利要求1所述的大载荷高g值气动垂直冲击试验台,其特征在于:所述夹持释
放机构包括弹簧卡和压环,所述弹簧卡的中央设有圆柱孔、外周面为圆锥面,所述拉杆穿过
所述圆柱孔,所述压环的内周面为圆锥面,所述压环位于所述弹簧卡的上方,所述压环的内
周面与所述弹簧卡的外周面相配合,所述拉环与一推拉机构连接,所述推拉机构可带动所
述压环上下移动,所述推拉机构带动所述压环向下移动时,所述压环压紧所述弹簧卡,所述
弹簧...
【专利技术属性】
技术研发人员:段正勇,胥小强,张伟,吴国雄,
申请(专利权)人:苏州东菱振动试验仪器有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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