锡掺杂氧化铟纳米粉体的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种采用共沉淀法制备锡掺杂氧化铟（ＩＴＯ）纳米粉体的方法，其以不含氯离子的锡／铟水溶液与氨水经沉淀反应制得，所得粉体的粒径为８～３０纳米、比表面积为２０～６０ｍ↑［２］ｇ↑［－１］。采用本发明专利技术制得的ＩＴＯ粉体具有粒径小、表面积高、分散性好及使用过程中不会对使用部件产生腐蚀危害等特点。此外，本发明专利技术还具有制备周期短、效率高、成本低，可以规模化生产等优点。

【技术实现步骤摘要】
锡掺杂氧化铟纳米粉体的制备方法
本专利技术涉及一种锡掺杂氧化铟纳米粉体的制备方法，特别涉及一种采用共沉淀法制备锡掺杂氧化铟纳米粉体的方法。
技术介绍
锡掺杂氧化铟即铟锡氧化物材料，简称ITO.(Indium Tin Oxide)作为现阶段最重要的透明导电氧化物材料在社会生活中的作用已经是其它材料无法替代。其具有高达105Ω-1cm-1的电导率，并且在可见光区域的透过率达到80％以上，导电能力远高于锑掺杂氧化锡(ATO)，氟掺杂氧化锡(FTO)以及铝掺杂氧化锌(AZO)等透明导电氧化物。ITO的上述特性使其成为液晶显示器件(LCD)中导电薄膜最主要的材料，并且随着显示器件的日益大尺寸化而更加明显。另外ITO透明导电材料在光电子器件，太阳能转换以及电致变色领域也有非常广泛的应用前景。关于ITO.纳米粉体的制备方法已见报道有：Devi等(Mater.Lett.55，205-210，2002)以铟、锡的氯化物为原料采用为乳液法合成得到了ITO纳米粉体；Itoh等(J.Mater.Res.19，1077-1086，2004)在喷雾热解的基础上为提高粉体的分散性能发展了一种熔盐辅助的喷雾热解法本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种锡掺杂氧化铟纳米粉体的制备方法，其由含铟化合物和含锡化合物的水溶液与沉淀剂进行沉淀反应，过滤，对所得沉淀进行洗涤、干燥及热处理后而得，其特征在于，所说的含铟化合物为硝酸铟、醋酸铟、草酸铟、硫酸铟、铟的醇盐、溴化铟或酒石酸铟，所说的含锡化合物为草酸亚锡、醋酸亚锡、溴化锡、锡的醇盐、硫酸亚锡、硫酸锡、硫化锡、碘化锡、硝酸锡或硝酸亚锡；所说的含铟化合物和含锡化合物的水溶液中，锡离子与铟离子的摩尔比为３～１５∶１００；所说的沉淀剂为氨水；沉淀反应的反应温度３０～９０℃，沉淀反应体系的ｐＨ值控制在４～１１之间。

【技术特征摘要】
1、一种锡掺杂氧化铟纳米粉体的制备方法，其由含铟化合物和含锡化合物的水溶液与沉淀剂进行沉淀反应，过滤，对所得沉淀进行洗涤、干燥及热处理后而得，其特征在于，所说的含铟化合物为硝酸铟、醋酸铟、草酸铟、硫酸铟、铟的醇盐、溴化铟或酒石酸铟，所说的含锡化合物为草酸亚锡、醋酸亚锡、溴化锡、锡的醇盐、硫酸亚锡、硫酸锡、硫化锡、碘化锡、硝酸锡或硝酸亚锡；所说的含铟化合物和含锡化合物的水溶液中，锡离子与铟离子的摩尔比为3～15∶100；所说的沉淀剂为氨水；沉淀反应的反应温度30～90℃，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张建荣，穆劲，刘凌云，
申请(专利权)人：华东理工大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]