半导体发光器件制造技术

本发明专利技术提供了一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：发光结构，其包括分别提供发光结构的彼此面对的第一表面和第二表面的第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层以及介于第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间的有源层，第一导电类型的半导体层的一个区朝着第二表面敞开，并且第一表面具有布置于其上的凹凸部分；第一电极和第二电极，它们分别布置在第一导电类型的半导体层的所述一个区和第二导电类型的半导体层的一个区中；透明支承衬底，其布置在第一表面上；以及透明粘合剂层，其布置在发光结构的第一表面与透明支承衬底之间。

Semiconductor light-emitting device

The present invention provides a semiconductor light emitting device, the semiconductor light emitting device includes a light emitting structure, which comprises a semiconductor layer and a second conductive type semiconductor layer of the first conductivity type first surface and the second surface respectively provide light emitting structure facing each other and between the semiconductor layer and a semiconductor layer of a first conductive type conductive type second the active layer, a semiconductor layer of a first conductivity type toward the second surface is open, and the first surface has a concave part arranged thereon; a first electrode and a second electrode, a region which are respectively arranged in the semiconductor layer of the first conductivity type semiconductor layer wherein a conductive region and second the type of support; transparent substrate, disposed on the first surface; and a transparent adhesive layer, which is disposed in the first table light structure Between the surface and the transparent support substrate.

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求在韩国知识产权局于2015年5月27日提交的韩国专利申请No.10-2015-0073930、于2015年10月1日提交的韩国专利申请No.10-2016-00138683的优先权和于2016年2月5日提交的韩国专利申请No.10-2016-0015233的优先权，所述申请的公开以引用方式全文并入本文中。
专利技术构思的示例性实施例一致的设备和方法涉及一种半导体发光器件。
技术介绍
通常，半导体发光二极管(LED)由于其各种固有优点(诸如低功耗、高亮度等级等)而普遍用作光源。具体地说，近来，半导体发光器件在诸如大液晶显示器(LCD)的显示装置以及一般照明装置中用作背光。由于电连接或光损耗问题，可去除用于半导体发光器件的外延生长的衬底(下文中，称作“生长衬底”)。在这种情况下，可需要其它装置来支承外延薄膜。
技术实现思路
专利技术构思的示例实施例提供一种半导体发光器件，其具有提高的光提取效率同时保留倒装芯片结构。根据示例实施例的一方面，提供了一种半导体发光器件，其可包括：发光结构，其包括分别提供发光结构的彼此面对的第一表面和第二表面的第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层以及介于第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间的有源层，第一导电类型的半导体层的一个区朝着第二表面敞开，并且第一表面具有形成在其上的凹凸部分；第一电极和第二电极，它们分别布置在第一导电类型的半导体层的所述一个区和第二导电类型的半导体层的一个区中；透明支承衬底，其布置在发光结构的第一表面上；以及透明粘合剂层，其布置在发光结构的第一表面与透明支承衬底之间。透明支承衬底和透明粘合剂层中的至少一个可包括波长转换材料，其将通过有源层产生的第一波长的光的至少一部分转换为第二波长的光。透明粘合剂层的折射率可在第一导电类型的半导体层的折射率与透明支承衬底的折射率之间。透明粘合剂层可包括选自由聚丙烯酸脂、聚酰亚胺、聚酰胺和苯并环丁烯(BCB)构成的组中的至少一种材料。透明支承衬底可为玻璃衬底。发光结构的其中形成有凹凸部分的第一表面的面积可为第一表面的总面积的80％或者更大。根据示例实施例的另一方面，提供了一种半导体发光器件，其可包括：发光结构，其包括彼此相对的第一表面和第二表面，第一表面包括不平坦表面；以及透明支承衬底，其布置在发光结构的第一表面上，以在结构上支撑发光结构，其中透明支承衬底包含波长转换材料，其将通过有源层产生的第一波长的光的至少一部分转换为第二波长的光。发光结构可包括：n型半导体层；p型半导体层；介于n型半导体层和p型半导体层之间以产生光的有源层；以及缓冲层，其设置在n型半导体层上并且提供不平坦表面。缓冲层可由AlN、AlGaN或InGaN形成。发光结构可为在生长衬底上生长的结构，生长衬底包括蓝宝石、SiC、Si、MgAl2O4、MgO、LiAlO2和LiGaO2中的至少一种，并且被透明支承衬底替代，以获得半导体发光器件。在去除生长衬底之后，不平坦表面形成在发光结构的第一表面上，以获得半导体发光器件。半导体发光器件还可包括光学滤光层，其布置在透明支承衬底的表面上，并且阻挡第一波长的光同时允许第二波长的光透过。半导体发光器件还可包括滤色层，其布置在光学滤光层上，并且允许处于第二波长的部分波长波段内的光选择性地透过。半导体发光器件还可包括光漫射层，其布置在滤色层上，并且使发射的光漫射。根据示例实施例的另一方面，提供了一种半导体发光器件，其可包括：发光结构，其包括第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层，并且具有形成在发光结构内部的第一通孔；蚀刻停止层，其布置在发光结构的第二导电类型的半导体层的顶表面上，蚀刻停止层包括与第一通孔连通的第二通孔，并且用于在形成第一通孔时停止蚀刻；电流分布层，其布置在发光结构的第二导电类型的半导体层、第二通孔和蚀刻停止层的顶表面上，并且用于向第二导电类型的半导体层提供电压；第一电极结构，其位于第一导电类型的半导体层的底表面上，并且电连接至第一导电类型的半导体层；第二电极结构，其位于第一导电类型的半导体层的底表面上，并且通过第一通孔和第二通孔电连接至电流分布层；透明粘合剂层，其位于电流分布层上；以及透明支承衬底，其粘附至透明粘合剂层上。第一导电类型的半导体层可为n型半导体层，第二导电类型的半导体层可为p型半导体层。半导体发光器件还可包括布置在电流分布层与透明粘合剂层之间的折射率渐变层。半导体发光器件还可包括反射层，其布置在第一通孔的内表面和第二通孔的内表面上以及第一导电类型的半导体层的底表面上。附图说明通过以下结合附图的详细描述将更加清楚地理解专利技术构思的示例实施例，其中：图1是示出根据专利技术构思的示例实施例的半导体发光器件的剖视图；图2是示出制造根据专利技术构思的示例实施例的半导体发光器件的方法的流程图；图3是示出半导体发光器件的根据专利技术构思的示例实施例的剖视图；图4A至图4F是示出制造根据专利技术构思的示例实施例的半导体发光器件的方法的剖视图；图5A至图5F是示出制造根据专利技术构思的示例实施例的半导体发光器件的方法的剖视图；图6是示出根据专利技术构思的示例实施例的形成复合缓冲层的处理的流程图；图7a至图7D是示出专利技术构思的示例实施例的复合缓冲层的各种示例的剖视图；图8和图9是示出包括根据专利技术构思的示例实施例的半导体发光器件的封装件的剖视图；图10至图13是示出根据专利技术构思的各个示例实施例的半导体发光器件的剖视图；图14是示出根据专利技术构思的示例实施例的半导体发光器件或者封装件的波长转换材料的CIE色度图；图15A和图15B是根据专利技术构思的示例实施例的半导体发光器件的主要部分的剖视图；图15C是图15A所示的根据示例实施例的半导体发光器件的底视图；图16A至图28A和图16B至图28B是示出制造根据专利技术构思的示例实施例的半导体发光器件的方法的主要处理的剖视图；图29至图33是示出根据专利技术构思的各个示例实施例的半导体发光器件的剖视图；图34和图35是示意性地示出包括根据专利技术构思的示例实施例的半导体发光器件的白光发射模块的剖视图；图36是示意性地示出包括根据专利技术构思的示例实施例的半导体发光器件的背光单元的透视图；图37是示出包括根据专利技术构思的示例实施例的半导体发光器件的直下式背光单元的示例的示图；图38和图39是示出包括根据专利技术构思的示例实施例的半导体发光器件的侧光式背光单元的示例的示图；图40是包括根据专利技术构思的示例实施例的半导体发光器件的显示装置的分解透视图；图41是包括根据专利技术构思的示例实施例的半导体发光器件的平板照明设备的透视图；图42是包括根据专利技术构思的示例实施例的半导体发光器件的照明设备的分解透视图；图43是包括根据专利技术构思的示例实施例的半导体发光器件的杆状照明设备的分解透视图；图44是包括根据专利技术构思的示例实施例的半导体发光器件的照明设备的分解透视图；图45是示出包括根据专利技术构思的示例实施例的半导体发光器件的室内照明控制网络系统的图；图46是示出包括根据专利技术构思的示例实施例的半导体发光器件的网络系统的图；图47是示出根据专利技术构思的示例实施例的包括半导体发光器件的照明设备的智能引擎与移动装置之间的通信操作的框图；以及图48是包括根据专利技术构思的示例实施例的半导体发光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件，包括：发光结构，其具有彼此相对的第一表面和第二表面，并且包括分别提供第一表面和第二表面的第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层以及介于第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间的有源层，第一导电类型的半导体层的一个区朝着第二表面敞开，并且第一表面具有布置于其上的凹凸部分；第一电极和第二电极，它们分别布置在第一导电类型的半导体层的所述一个区和第二导电类型的半导体层的一个区上；透明支承衬底，其布置在发光结构的第一表面上；以及透明粘合剂层，其布置在发光结构的第一表面与透明支承衬底之间，并且其折射率在第一导电类型的半导体层的折射率与透明支承衬底的折射率之间。

【技术特征摘要】
2015.05.27 KR 10-2015-0073930;2015.10.01 KR 10-2011.一种半导体发光器件，包括：发光结构，其具有彼此相对的第一表面和第二表面，并且包括分别提供第一表面和第二表面的第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层以及介于第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间的有源层，第一导电类型的半导体层的一个区朝着第二表面敞开，并且第一表面具有布置于其上的凹凸部分；第一电极和第二电极，它们分别布置在第一导电类型的半导体层的所述一个区和第二导电类型的半导体层的一个区上；透明支承衬底，其布置在发光结构的第一表面上；以及透明粘合剂层，其布置在发光结构的第一表面与透明支承衬底之间，并且其折射率在第一导电类型的半导体层的折射率与透明支承衬底的折射率之间。2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，透明粘合剂层包括波长转换材料，所述波长转换材料将通过有源层产生的光的波长转换为具有不同波长的光。3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，透明粘合剂层包括选自由聚丙烯酸脂、聚酰亚胺、聚酰胺和苯并环丁烯构成的组中的至少一种材料。4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，透明支承衬底包括玻璃衬底。5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括波长转换层，其布置在透明支承衬底的表面上，并且包含波长转换材料，所述波长转换材料将通过有源层产生的光的波长转换为具有不同波长的光。6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，发光结构的在其中形成有凹凸部分的第一表面的面积为第一表面的总面积的80％或者更大。7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层具有第一开口和第二开口，其分别允许第一导电类型的半导体层的所述一个区和第二导电类型的半导体层的所述一个区敞开，第二电极布置在第二开口中，并且第二绝缘层允许第二电极的一部分敞开并且覆盖第二电极的另一部分，其中，第一电极布置在第一开口中，并且具有延伸至第二绝缘层的上表面的延伸部分，并且第一电极的延伸部分与第二电极重叠，同时第二绝缘层介于第一电极的延伸部分与第二电极之间。8.一种半导体发光器件，包括：发光结构，其具有彼此相对的第一表面和第二表面，并且包括分别提供第一表面和第二表面的第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层以及介于第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间的有源层，第一导电类型的半导体层的一个区朝着第二表面敞开；第一电极和第二电极，它们分别布置在第一导电类型的半导体层的所述一个区和第二导电类型的半导体层的一个区中；透明支承衬底，其布置在发光结构的第一表面上；以及透明粘合剂层，其布置在发光结构的第一表面与透明支承衬底之间，并且包含波长转换材料，所述波长转换材料将通过有源层产生的第一波长的光的至少一部分转换为第二波长的光。9.根据权利要求8所述的半导体发光器件，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：车南煹，林完泰，金容一，卢慧锡，申珢珠，沈成铉，H·柳，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR