一种纳米栅的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种纳米栅的制备方法，涉及半导体器件制造技术领域；在清洗好的衬底材料表面悬涂第一光刻胶，并烘烤、曝光，并用第一光刻胶对应的第一显影液显影实现第一纳米栅；涂第二光刻胶，并在一定的恒温条件下烘烤、曝光，曝光图形相对于B中的图形向右边或向左边平移，并用第二光刻胶对应的第二显影液显影实现第二纳米栅，第一纳米栅与第二纳米栅有重叠部分；采用电子束蒸发设备沉积得到栅金属；剥离后得到金属栅；方法简单，通过多次曝光且曝光过程中左右移动实现20 nm以下的金属栅。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件制造

技术介绍
栅工艺是高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）器件制备的核心技术之一。栅长直接决定了HEMT器件的频率、噪声等特性，栅长越小，器件的电流截止频率（fT）和功率增益截止频率（fmax）就会越高，器件的噪音指数也会越小。随着半导体工艺朝向高集成低功耗的方向发展，对栅长的要求也越来越高。栅尺寸的不断减小是半导体制造工艺不断进步的标志性象征之一。目前半导体工艺生产中广泛采用的投影光刻技术可以得到接近100 nm尺度的栅长，但实现百纳米以下遇到巨大挑战。要实现百纳米以下的纳米栅，一般采用电子束曝光来实现。然而，电子束曝光过程中由于电子在光刻胶和衬底中的前散射和背散射现象的存在，电子散射轨迹向邻近区域扩展，其波及范围至少数十纳米。因此，在电子束实际曝光过程后，很难实现栅长20 nm以下的纳米栅。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，提供一种纳米栅的制备方法，通过多次曝光且曝光过程中左右移动实现5-20 nm的金属栅。为解决上述技术问题，本专利技术所采取的技术方案是：该方法包括:A: 在清洗好的衬底材料表面悬涂第一光刻胶，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米栅的制备方法，其特征在于：该方法包括:A: 在清洗好的衬底材料（1）表面悬涂第一光刻胶（2），并在一定的恒温条件下烘烤；B:利用电子束曝光，并用第一光刻胶（2）对应的第一显影液显影实现第一纳米栅；C：涂第二光刻胶（3），并在一定的恒温条件下烘烤；D：利用电子束曝光，曝光图形相对于B中的图形向右边或向左边平移，并用第二光刻胶对应的第二显影液显影实现第二纳米栅，第一纳米栅与第二纳米栅有重叠部分；E：采用电子束蒸发设备沉积得到栅金属（4）；F：剥离后得到金属栅。

【技术特征摘要】
1.一种纳米栅的制备方法，其特征在于：该方法包括:A: 在清洗好的衬底材料（1）表面悬涂第一光刻胶（2），并在一定的恒温条件下烘烤；B:利用电子束曝光，并用第一光刻胶（2）对应的第一显影液显影实现第一纳米栅；C：涂第二光刻胶（3），并在一定的恒温条件下烘烤；D：利用电子束曝光，曝光图形相对于B中的图形向右边或向左边平移，并用第二光刻胶对应的第二显影液显影实现第二纳米栅，第一纳米栅与第二纳米栅有重叠部分；E：采用电子束蒸发设备沉积得到栅金属（4）；F：剥离后得到金属栅。2.根据权利要求１所述的一种纳米栅的制备方法，其特征在于所述第一纳米栅宽度为20-100nm。3.根据权利要求1所述的一种纳米栅的制备方法，其特征在于所述曝光图形相对于B中的图形向右平移5-80nm。4.根据权利要求１所述的一种纳米栅的制备方法，其特征在于所述第二纳米栅的宽度为5-100nm。...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕元杰，谭鑫，王元刚，宋旭波，郭红雨，冯志红，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北;13