一种埋容结构、埋容结构的制作方法和MEMS麦克风技术

本发明专利技术提供了一种埋容结构，其可用于线路板中，所述埋容结构从上到下依次包括堆叠设置的第三金属层、第一介电层、第一金属层、第二介电层以及第二金属层。本发明专利技术还提供了埋容结构的制作方法及应用该埋容结构的MEMS麦克风。本发明专利技术提供的埋容结构的容值增加并且制作方法简单。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种埋容结构、埋容结构的制作方法和MEMS麦克风。
技术介绍
随着无线通讯的发展，全球移动电话用户越来越多，用户对移动电话的要求已不仅满足于通话，而且要能够提供高质量的通话效果，尤其是目前移动多媒体技术的发展，移动电话的通话质量更显重要，移动电话的麦克风作为移动电话的语音拾取装置，其设计好坏直接影响通话质量。而目前应用较多且性能较好的麦克风是微电机系统麦克风(Micro-Electro-Mechanical-System Microphone，简称MEMS)，与本专利技术相关的麦克风包括线路板、置于线路板上的控制电路芯片和微机电芯片、与线路板盖接形成收容空腔的外壳。所述线路板中的埋容结构包括一层金属层及一层介电层，此种结构的埋容结构的电容值太低，影响产品的性能。因此，有必要提供一种埋容结构来解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术需解决的技术问题是提供一种可以提高产品性能的埋容结构、埋容结构的制作方法和MEMS麦克风。根据上述需解决的技术问题，设计了一种埋容结构，其可用于线路板中，所述埋容结构从上到下依次包括堆叠设置的第三金属层、第一介电层、第一金属层、第二介电层以及第二金属层。优选的，所述第一金属层、第二金属层以及第三金属层为铜箔。优选的，所述第一金属层、第二金属层以及第三金属层形成电容，所述第一金属层接地作为电容的一极，所述第二金属层和第三金属层并联作为电容的另一极。本专利技术还提供了一种MEMS麦克风，其包括壳体、与所述壳体盖接形成收容空间的线路板以及置于所述收容空间中的MEMS芯片和ASIC芯片，所述线路板中设有如前所述的埋容结构。本专利技术还提供了一种埋容结构的制作方法，该方法包括如下步骤：S1：提供一第一金属层和第一介电材料，将所述第一介电材料通过丝印工艺丝印至所述第一金属层的上表面；S2：将丝印了第一介电材料的第一金属层放入高温炉中烘烤固化，以使得第一介电材料在第一金属层的上表面形成第一介电层；S3：提供第二介电材料，将所述第二介电材料通过丝印工艺丝印至所述第一金属层的下表面；S4：将丝印了第二介电材料的第一金属层和第一介电层放入高温炉中烘烤固化，以使得第二介电材料在第一金属层的下表面形成第二介电层；S5：将上下表面分别设有第一介电层和第二介电层的第一金属层置于电镀液中，从而在第一介电层远离所述第一金属层的表面形成第三金属层，在第二介电层远离所述第一金属层的表面形成第二金属层；S6：水洗烘干，得到埋容结构。优选的，所述第一介电材料和第二介电材料均为聚酰亚胺。优选的，所述第一金属层、第二金属层和第三金属层均为铜箔。优选的，在步骤S2中，高温炉中的温度为220℃，烘烤时间为20分钟,所述第一介电层的厚度为20μm。优选的，在步骤S4中，高温炉中的温度为220℃，烘烤时间为20分钟，所述第二介电层的厚度为20μm。本专利技术的有益效果在于：由于本专利技术的埋容结构第一金属层、第二金属层以及第三金属层形成电容，所述第一金属层接地作为电容的一极，所述第二金属层和第三金属层钻孔后并联作为电容的另一极，从而实现电容的并联，最终增加埋容结构的容值。另外，本专利技术的埋容结构制作过程简单。附图说明图1是本专利技术MEMS麦克风的剖视图。具体实施方式下面结合附图和实施方式对本专利技术作进一步说明。如图1所示，本专利技术提供了一种MEMS麦克风，其包括壳体10、与所述壳体10盖接形成收容空间的线路板20以及置于所述收容空间中的MEMS芯片31和ASIC芯片32，壳体10上设有入声孔11。所述线路板20中嵌设有埋容结构201，该埋容结构201从上到下依次包括堆叠设置的第三金属层223、第一介电层211、第一金属层221、第二介电层212以及第二金属层222。所述第一金属层221、第二金属层222以及第三金属层223为铜箔。所述第一金属层221、第二金属层222以及第三金属层223形成电容，所述第一金属层221接地作为电容的一极，所述第二金属层222和第三金属层223钻孔后并联作为电容的另一极，从而实现电容的并联，最终增加埋容结构201的容值。本专利技术还提供了上述埋容结构的制作方法，该方法包括如下步骤：S1：提供一第一金属层221和第一介电材料，将所述第一介电材料通过丝印工艺丝印至所述第一金属层221的上表面；S2：将丝印了第一介电材料的第一金属层221放入高温炉中烘烤固化，以使得第一介电材料在第一金属层的上表面形成第一介电层211，其中，高温炉中的温度为220℃，烘烤时间为20分钟，所述第一介电层211的厚度为20μm，在其它实施方式中，所述高温炉的温度、烘烤时间，可以根据所需第一介电层的厚度在调整；S3：提供第二介电材料，将所述第二介电材料通过丝印工艺丝印至所述第一金属层221的下表面；S4：将丝印了第二介电材料的第一金属层221和第一介电层211放入高温炉中烘烤固化，以使得第二介电材料在第一金属层的下表面形成第二介电层212，其中，高温炉中的温度为220℃，烘烤时间为20分钟，所述第二介电层212的厚度为20μm，在其它实施方式中，所述高温炉的温度、烘烤时间，可以根据所需第二介电层的厚度在调整；S5：将上下表面分别设有第一介电层211和第二介电层212的第一金属层221置于电镀液中，从而在第一介电层211远离所述第一金属层221的表面形成第三金属层223，在第二介电层212远离所述第一金属层221的表面形成第二金属层222；S6：水洗烘干，得到埋容结构201。具体的，所述第一介电材料和第二介电材料均为聚酰亚胺。所述第一金属层、第二金属层和第三金属层均为铜箔。利用上述方法得到的埋容结构，不但可以简化制作工艺、降低生产成本，还可以使得埋容结构厚度变薄，从而便于MEMS麦克风的微型化发展。本专利技术的保护范围并不以上述实施方式为限，但凡本领域普通技术人员根据本专利技术所揭示内容所作的等效修饰或变化，皆应纳入权利要求书中记载的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种埋容结构，其可用于线路板中，其特征在于，所述埋容结构从上到下依次包括堆叠设置的第三金属层、第一介电层、第一金属层、第二介电层以及第二金属层。

【技术特征摘要】
1.一种埋容结构，其可用于线路板中，其特征在于，所述埋容结构从上到下依次包括堆叠设置的第三金属层、第一介电层、第一金属层、第二介电层以及第二金属层。2.根据权利要求1所述的埋容结构，其特征在于：所述第一金属层、第二金属层以及第三金属层为铜箔。3.根据权利要求1所述的埋容结构，其特征在于：所述第一金属层、第二金属层以及第三金属层形成电容，所述第一金属层接地作为电容的一极，所述第二金属层和第三金属层并联作为电容的另一极。4.一种MEMS麦克风，其包括壳体、与所述壳体盖接形成收容空间的线路板以及置于所述收容空间中的MEMS芯片和ASIC芯片，其特征在于，所述线路板中设有如权利要求1-3中任一权利要求所述的埋容结构。5.一种埋容结构的制作方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：S1：提供一第一金属层和第一介电材料，将所述第一介电材料通过丝印工艺丝印至所述第一金属层的上表面；S2：将丝印了第一介电材料的第一金属层放入高温炉中烘烤固化，以使得第一介电材料在第一金属层的上表面形成第一介电层；S3：提供第二介...

【专利技术属性】
技术研发人员：王凯，陈虎，
申请(专利权)人：瑞声科技新加坡有限公司，
类型：发明
国别省市：新加坡;SG