System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种声波谐振器及其制备方法技术_技高网

一种声波谐振器及其制备方法技术

技术编号:39961574 阅读:5 留言:0更新日期:2024-01-09 00:05
本发明专利技术公开了一种声波谐振器及其制备方法,声波谐振器包括:衬底,具有若干空腔;若干压电单元,若干压电单元与若干空腔一一对应,压电单元覆盖于空腔上,压电单元包括自下而上依次层叠的第一电极层、压电层以及第二电极层;保护层,层叠于压电单元上;串联单元,一端与其一压电单元的第一电极层电连接,另一端与另一压电单元的第二电极层电连接,以将两个压电单元串联。与现有技术相比,本发明专利技术通过于压电单元上设置保护层,从而保护了压电单元免受下游加工的进一步破坏性影响,使得声波谐振器具有更好的Q值和耦合系数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体,特别是一种声波谐振器及其制备方法


技术介绍

1、声波谐振器(fbar,thin-fi lm bulk acoustic wave resonators)是具有压电效应材料和能够形成(逆)压电效应结构的所构造的元器件,具有高灵敏度、高工作频率和低功耗等特点,fbar的核心部件是由第一电极层-压电层-第二电极层组成的压电单元,通过在第一电极层以及第二电极层上施加电压,压电层产生形变,而当施加的是交变电压时,压电单元会产生压电效应和逆压电效应,从而将信号发送出来,fbar设备可用于创建带通滤波器,其中允许射频范围通过,同时拒绝超出频率范围的频率,它们串联并行连接,以实现这种频率滤波。

2、现有技术中,压电层沉积后的当前制造方法将对压电层表面造成损坏,从而对q因子、谐振器的耦合系数和其他参数产生负面影响。


技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供一种声波谐振器及其制备方法,以解决现有技术中的技术问题,以保护压电单元免受下游加工的进一步破坏性影响。

2、第一方面,本专利技术提供了一种声波谐振器,包括:

3、衬底,具有若干空腔;

4、若干压电单元,若干所述压电单元与若干所述空腔一一对应,所述压电单元覆盖于所述空腔上,所述压电单元包括自下而上依次层叠的第一电极层、压电层以及第二电极层;

5、保护层,层叠于所述压电单元上;

6、串联单元,一端与其一所述压电单元的所述第一电极层电连接,另一端与另一所述压电单元的所述第二电极层电连接,以将两个所述压电单元串联。

7、如上所述的一种声波谐振器,其中,优选的是,所述压电层与所述第二电极层之间自下而上依次层叠有中间金属层以及至少一层分流金属层。

8、如上所述的一种声波谐振器,其中,优选的是,所述串联单元包括桥梁金属层以及电极上引结构,所述电极上引结构的一端与其一所述压电单元的所述第一电极层电性连接,所述电极上引结构的另一端与另一所述压电单元上的所述桥梁金属层电性连接,另一所述压电单元上的所述桥梁金属层与对应所述压电单元的所述第二电极层电性连接。

9、如上所述的一种声波谐振器,其中,优选的是,所述桥梁金属层上覆盖有钝化层。

10、第二方面,本专利技术还提供了一种声波谐振器的制备方法,包括以下步骤:

11、提供一衬底;

12、于所述衬底上刻蚀形成至少一个空腔;

13、于每个所述空腔内沉积牺牲层;

14、沉积形成压电单元,若干所述压电单元与若干所述空腔一一对应,所述压电单元覆盖于所述空腔上,所述压电单元包括自下而上依次层叠的第一电极层、压电层、中间金属层、分流金属层以及第二电极层;

15、于所述压电单元上沉积形成保护层以及氧化层;

16、沉积形成串联单元,所述串联单元包括桥梁金属层以及电极上引结构,所述桥梁金属层与其一所述压电单元的所述第二电极层电性连接,所述电极上引结构的一端与其一所述压电单元的所述第一电极层电性连接,所述电极上引结构的另一端与另一所述压电单元上的所述桥梁金属层电性连接,另一所述压电单元上的所述桥梁金属层与对应所述压电单元的所述第二电极层电性连接;

17、于所述电极上引结构上沉积形成钝化层;

18、去除所述牺牲层以及所述氧化层。

19、如上所述的一种声波谐振器的制备方法,其中,优选的是,所述保护层的材质为氮化铝。

20、如上所述的一种声波谐振器的制备方法,其中,优选的是,所述第一电极层、所述第二电极层、所述中间金属层和所述分流金属层的材质相同。

21、如上所述的一种声波谐振器的制备方法,其中,优选的是,所述牺牲层的材质为磷酸硅酸盐玻璃。

22、如上所述的一种声波谐振器的制备方法,其中,优选的是,所述压电层的材质为钛酸锆铅、氮化铝、氧化锌或钛酸钡。

23、如上所述的一种声波谐振器的制备方法,其中,优选的是,所述钝化层的材质为氮化铝。

24、与现有技术相比,本专利技术通过于压电单元上设置保护层,从而保护了压电单元免受下游加工的进一步破坏性影响,使得声波谐振器具有更好的q值和耦合系数。

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【技术保护点】

1.一种声波谐振器,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的声波谐振器,其特征在于,所述压电层与所述第二电极层之间自下而上依次层叠有中间金属层以及至少一层分流金属层。

3.根据权利要求1所述的声波谐振器,其特征在于,所述串联单元包括桥梁金属层以及电极上引结构,所述电极上引结构的一端与其一所述压电单元的所述第一电极层电性连接,所述电极上引结构的另一端与另一所述压电单元上的所述桥梁金属层电性连接,另一所述压电单元上的所述桥梁金属层与对应所述压电单元的所述第二电极层电性连接。

4.根据权利要求3所述的声波谐振器,其特征在于,所述桥梁金属层上覆盖有钝化层。

5.一种声波谐振器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

6.根据权利要求5所述的声波谐振器的制备方法,其特征在于,所述保护层的材质为氮化铝。

7.根据权利要求5所述声波谐振器的制备方法,其特征在于,所述第一电极层、所述第二电极层、所述中间金属层和所述分流金属层的材质相同。

8.根据权利要求5所述声波谐振器的制备方法,其特征在于,所述牺牲层的材质为磷酸硅酸盐玻璃。

9.根据权利要求5所述声波谐振器的制备方法,其特征在于,所述压电层的材质为钛酸锆铅、氮化铝、氧化锌或钛酸钡。

10.根据权利要求5所述声波谐振器的制备方法,其特征在于,所述钝化层的材质为氮化铝。

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【技术特征摘要】

1.一种声波谐振器,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的声波谐振器,其特征在于,所述压电层与所述第二电极层之间自下而上依次层叠有中间金属层以及至少一层分流金属层。

3.根据权利要求1所述的声波谐振器,其特征在于,所述串联单元包括桥梁金属层以及电极上引结构,所述电极上引结构的一端与其一所述压电单元的所述第一电极层电性连接,所述电极上引结构的另一端与另一所述压电单元上的所述桥梁金属层电性连接,另一所述压电单元上的所述桥梁金属层与对应所述压电单元的所述第二电极层电性连接。

4.根据权利要求3所述的声波谐振器,其特征在于,所述桥梁金属层上覆盖有钝化层。

5.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员:冯东亮吕丽英黎家健吴珂叶雪妮
申请(专利权)人:瑞声科技新加坡有限公司
类型:发明
国别省市:

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