【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的各方面整体涉及无线通信设备，并且具体地涉及低功率且线性化的数字-时间转换器(dtc)。
技术介绍
1、锁相环路(pll)有时被用于生成参考信号，该参考信号可被本地振荡器(lo)用于生成lo信号。lo信号有时被施加到混频器以将第一信号(例如，分别为基带或中频(if)信号)上变频为第二信号(例如，分别为中频(if)信号或射频(rf)信号)。相似地，lo信号有时被施加到混频器以将第一信号(例如，分别为rf或if信号)下变频为第二信号(例如，if信号或rf信号)。来自pll的参考信号应当具有最小噪声，使得噪声不传播到来自混频器的所得信号。
技术实现思路
1、以下内容介绍了对一个或多个实现方式的简要概括，以便提供对这样的实现方式的基本的理解。该概括不是对全部预期实现方式的详尽概述，并且不旨在于标识全部实现方式的关键或重要元素，也不旨在于描绘任何或全部实现方式的范围。其唯一的目的是以简化的形式介绍一个或多个实现方式的一些概念，作为随后介绍的更详细的描述的序言。
2、本公开的一个方面...
【技术保护点】
1.一种装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述输入缓冲器包括串联耦合在所述第一电压轨与所述第二电压轨之间的第二FET和第三FET，其中所述第二FET和所述第三FET包括被配置为接收所述输入电压的栅极，并且其中所述第二FET和所述第三FET包括耦合到所述斜坡电压发生器的所述输入的漏极。
3.根据权利要求2所述的装置，其中所述第二FET包括p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOS FET)，并且所述第三FET包括n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述斜坡电压发生器...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述输入缓冲器包括串联耦合在所述第一电压轨与所述第二电压轨之间的第二fet和第三fet，其中所述第二fet和所述第三fet包括被配置为接收所述输入电压的栅极，并且其中所述第二fet和所述第三fet包括耦合到所述斜坡电压发生器的所述输入的漏极。
3.根据权利要求2所述的装置，其中所述第二fet包括p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(pmos fet)，并且所述第三fet包括n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(nmosfet)。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述斜坡电压发生器包括串联耦合在所述第一电压轨与所述第二电压轨之间的第二fet、第二电阻器和第三fet，以及耦合在所述第三fet的漏极与所述第二电压轨之间的电容器。
5.根据权利要求4所述的装置，其中所述第二电阻器具有能够由控制信号控制的可变电阻。
6.根据权利要求5所述的装置，其中所述斜坡电压发生器被配置为在所述斜坡电压发生器的所述输出处生成斜坡电压，其中所述斜坡电压的斜率由所述控制信号控制。
7.根据权利要求4所述的装置，其中所述电容器具有能够由控制信号控制的可变电容。
8.根据权利要求7所述的装置，其中所述斜坡电压发生器被配置为在所述斜坡电压发生器的输出处生成斜坡电压，其中所述斜坡电压的斜率由所述控制信号控制。
9.根据权利要求7所述的装置，其中所述控制信号包括数字-时间转换器(dtc)码。
10.根据权利要求4所述的装置，其中所述斜坡电压发生器包括与所述第二电阻器串联耦合的开关设备，其中所述开关设备的闭合/断开状态由控制信号控制。
11.根据权利要求10所述的装置，进一步包括开关控制电路，所述开关控制电路包括耦合到所述输出缓冲器的输出的输入以及被配置为生成所述控制信号的输出。
12.根据权利要求10所述的装置，进一步包括开关控制电路，所述开关控制电路包括耦合到所述评估电路的输出的输入以及被配置为生成所述控制信号的输出。
13.根据权利要求10所述的装置，进一步包括低功率模式(lpm)电路，所述低功率模式(lpm)电路被配置为在第一模式中不依赖于所述输出电压来将所述开关设备保持在闭合状态，并且在第二模式中响应于所述输出电压而将所述开关设备配置在断开或闭合状态。
...【专利技术属性】
技术研发人员：A·SC·李，T·奥苏利范，J·于，唐艺伍，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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