一种阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及液晶面板的制造技术领域，在制作过程中避免了由于两条信号线之间的相邻电压差而导致静电的产生和累积，防止阵列基板上累积过量静电而发生静电击穿。在衬底基板上，通过构图工艺形成第一信号线；在衬底基板上，形成用于将至少两条第一信号线相连接的第一导通线；在形成有第一信号线和第一导通线的衬底基板上，形成第一绝缘层；在第一绝缘层上，在位于任意两条相连通的第一信号线之间，且对应第一导通线的位置处形成第一过孔；通过刻蚀工艺，将对应第一过孔位置处的第一导通线断开。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶面板的制造
，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
在TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示装置)阵列基板的制造
，静电(Electro-Static discharge，ESD)一直是一个难以解决的问题，静电会导致产品良率降低、成本增加、产能下降，一直影响着液晶显示装置的品质。在液晶面板的制作工艺中，尤其是在真空成膜以及干刻蚀刻等等离子体的工作过程中，由于在相邻的两条信号线之间产生电压差，从而不可避免的会在阵列基板的玻璃表面上产生并累积静电。由于在阵列基板的制作工艺中，需要通过移动机械手支撑柱、滚轮等工具支撑阵列基板或对阵列基板进行工序间的转运，而移动机械手支撑柱、滚轮等工具与阵列基板之间的接触面积小，大量累积在阵列基板上的静电电荷可能会在阵列基板与移动机械手支撑柱、滚轮等工具的接触点处形成静电聚集点，引起静电击穿，导致阵列基板的损坏。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，在制作过程中避免了由于相邻的两条信号线之间存在电压差而导致静电的产生和累积，防止阵列基板上累积过量静电而发生静电击穿。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：本专利技术实施例提供一种阵列基板的制作方法，包括：在衬底基板上，通过构图工艺形成第一信号线；在衬底基板上，形成用于将至少两条第一信号线相连接的第一导通线；在形成有第一信号线和第一导通线的衬底基板上，形成第一绝缘层；在第一绝缘层上，在位于任意两条相连通的第一信号线之间，且对应第一导通线的位置处形成第一过孔；通过刻蚀工艺，将对应第一过孔位置处的第一导通线断开。进一步的，还包括：在形成有第一绝缘层的衬底基板上，通过构图工艺形成第二信号线；第二信号线在衬底基板上的投影与第一信号线在衬底基板上的投影相互交叉；在衬底基板上，形成用于将至少两条第二信号线相连通的第二导通线；在形成有第二导通线的衬底基板上，形成第二绝缘层；在第二绝缘层上，在位于任意两条相连通的第二信号线之间，且对应第二导通线的位置形成第二过孔；通过刻蚀工艺，将对应第二过孔位置处的第二导通线断开。优选的，在衬底基板上通过构图工艺形成第一信号线的同时，形成TFT的源极和漏极。进一步的，形成第一导通线包括：在衬底基板上通过构图工艺形成像素电极的同时，形成第一导通线。优选的，在形成第一信号线的同时，通过构图工艺形成将至少两条第一信号线相连接的第一导通线。优选的，在衬底基板上，通过构图工艺形成第一信号线的同时，形成TFT的栅极，栅极与第一信号线相连接。进一步的，形成第一导通线之前，制作方法包括：在形成有第一信号线的衬底基板上，形成栅极绝缘层，且通过构图工艺，在栅极绝缘层对应第一信号线的位置形成第三过孔；在形成有第一信号线和第一导通线的衬底基板上，形成第一绝缘层之前，形成第一导通线包括：在形成有栅极绝缘层的衬底基板上，通过构图工艺形成像素电极的同时，形成第一导通线，第一导通线通过第三过孔将至少两条第一信号线相连通。优选的，在形成第一信号线的同时，通过构图工艺形成将至少两条第一信号线相连通的第一导通线。优选的，在形成有第一信号线和第一导通线的衬底基板上，形成第一绝缘层之前还包括：通过构图工艺形成TFT源极和漏极的同时，形成第二信号线，第二信号线在衬底基板上的投影与第一信号线在衬底基板上的投影相互交叉；其中，第一导通线将至少两条第二信号线相连接；在形成有第二信号线的衬底基板上，形成第一绝缘层；在第一绝缘层上，在位于任意两条相连通的第一信号线之间，且对应第一导通线的位置处形成第一过孔的同时，还包括：在第一绝缘层上，在位于任意两条相连通的第二信号线之间，且对应第一导通线的位置处形成第四过孔；通过刻蚀工艺，将对应第一过孔和第四过孔位置处的第一导通线断开。进一步的，在形成有TFT的源极和漏极的衬底基板上，通过构图工艺形成钝化层；在第一绝缘层上，在位于任意两条相连通的第一信号线之间，且对应第一导通线的位置形成第一过孔包括:在钝化层对应第一导通线的位置形成第一过孔；在形成有钝化层的衬底基板上，形成透明导电层，透明导电层通过第一过孔与第一导通线相连接；通过刻蚀工艺，将对应第一过孔位置处的第一导通线断开之前包括，对透明导电层进行掩膜、曝光；通过刻蚀工艺，将对应第一过孔位置处的第一导通线断开还包括去除第一过孔中的透明导电层，且在进行该刻蚀工艺的同时形成公共电极。优选的，在形成有TFT的栅极的衬底基板上，通过构图工艺形成栅极绝缘层；在形成有TFT的源极和漏极的衬底基板上，通过构图工艺形成钝化层；在第一绝缘层上，在位于任意两条相连通的第一信号线之间，且对应第一导通线的位置形成第一过孔包括:在钝化层以及栅极绝缘层上，在位于任意两条相连通的第一信号线之间，对应第一导通线的位置形成第一过孔；在形成有钝化层的衬底基板上，形成透明导电层，透明导电层通过第一过孔与第一导通线相连接；通过刻蚀工艺，将对应第一过孔位置处的第一导通线断开之前包括，对透明导电层进行掩膜、曝光；通过刻蚀工艺，将对应第一过孔位置处的第一导通线断开还包括去除第一过孔中的透明导电层，且在进行该刻蚀工艺的同时形成公共电极。优选的，在阵列基板的显示区域，以及位于显示区域周边的非显示区域均形成有第一导通线。优选的，显示区域还包括有效区域以及位于有效区域周边的虚拟区域，在显示区域形成的第一导通线设置在虚拟区域。本专利技术实施例的另一方面提供一种阵列基板，采用上述的阵列基板的制作方法制得。本专利技术实施例的再一方面提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。本专利技术提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，在制作过程中将至少两条第一信号线通过第一导通线连通，消除了第一信号线之间的电压差，从而避免由于相邻两条第一信号线之间具有电压差而在阵列基板上产生并累积静电，导致在阵列基板上的静电累积处引起静电击穿而损坏阵列基板，在制作第一绝缘层时制作对应于第一导通线位置处的第一过孔，并在刻蚀工艺中通过第一过孔将第一导通线断开，从而恢复阵列基板的使用功能。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术提供的一种阵列基板的制作方法的流程图；图2为本专利技术提供的一种阵列基板的制作方法中阵列基板的结构示意图；图3为本专利技术提供的一种阵列基板的制作方法的流程图；图4为本专利技术提供的一种阵列基板的制作方法中阵列基板的俯视图；图5为图4中沿A1-A2-A3方向的剖视图；图6为图4中沿A1-A2-A3方向的剖视图；图7为图4中沿A1-A2-A3方向的剖视图；图8为图4中沿A1-A2-A3方向的剖视图；图9为图4中沿A1-A2-A3方向的剖视图；图10为图4中沿A1-A2-A3方向的剖视图；图11为图4中沿B1-B2-B3方向的剖视图；图12为本专利技术提供的一种阵列基板的制作方法中阵列基板的俯视图；图13为图4中沿A1-A2-A3方向的剖视图；图14为图4中沿A1-A2-A3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上，通过构图工艺形成第一信号线；在所述衬底基板上，形成用于将至少两条所述第一信号线相连接的第一导通线；在形成有所述第一信号线和第一导通线的衬底基板上，形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上，在位于任意两条相连通的所述第一信号线之间，且对应所述第一导通线的位置处形成第一过孔；通过刻蚀工艺，将对应所述第一过孔位置处的所述第一导通线断开。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上，通过构图工艺形成第一信号线；在所述衬底基板上，形成用于将至少两条所述第一信号线相连接的第一导通线；在形成有所述第一信号线和第一导通线的衬底基板上，形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上，在位于任意两条相连通的所述第一信号线之间，且对应所述第一导通线的位置处形成第一过孔；通过刻蚀工艺，将对应所述第一过孔位置处的所述第一导通线断开。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括：在形成有所述第一绝缘层的衬底基板上，通过构图工艺形成第二信号线；所述第二信号线在衬底基板上的投影与所述第一信号线在衬底基板上的投影相互交叉；在所述衬底基板上，形成用于将至少两条所述第二信号线相连通的第二导通线；在形成有所述第二导通线的衬底基板上，形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上，在位于任意两条相连通的所述第二信号线之间，且对应所述第二导通线的位置形成第二过孔；通过刻蚀工艺，将对应所述第二过孔位置处的所述第二导通线断开。3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在衬底基板上通过构图工艺形成所述第一信号线的同时，形成TFT的源极和漏极。4.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述衬底基板上，形成用于将至少两条所述第一信号线相连接的第一导通线包括：在所述衬底基板上通过构图工艺形成像素电极的同时，形成所述第一导通线。5.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在形成所述第一信号线的同时，通过构图工艺形成将至少两条所述第一信号线相连接的第一导通线。6.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在衬底基板上，通过构图工艺形成所述第一信号线的同时，形成TFT的栅极，所述栅极与所述第一信号线相连接。7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，形成所述第一导通线之前，所述制作方法包括：在形成有所述第一信号线的衬底基板上，形成栅极绝缘层，且通过构图工艺，在所述栅极绝缘层对应所述第一信号线的位置形成第三过孔；所述在形成有所述第一信号线和第一导通线的衬底基板上，形成第一绝缘层之前，形成所述第一导通线包括：在形成有所述栅极绝缘层的衬底基板上，通过构图工艺形成像素电极的同时，形成所述第一导通线，所述第一导通线通过所述第三过孔将至少两条所述第一信号线相连通。8.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在形成所述第一信号线的同时，通过构图工艺形成将至少两条所述第一信号线相连通的第一导通线。9.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成有所述第一信号线和第一导...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝金刚，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11