本发明专利技术公开了一种OLED显示装置的阵列基板及其制造方法，属于显示技术领域，能够使不同功能的薄膜晶体管具备各自所需的电学特性。该阵列基板由下至上依次包括衬底基板、半导体层、第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层阵列基板上形成有多个驱动单元，每个驱动单元中包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的有源沟道层位于半导体层；第一薄膜晶体管的栅极、第二薄膜晶体管的源极和漏极位于第一金属层；第二薄膜晶体管的栅极、第一薄膜晶体管的源极和漏极位于第二金属层，且第二薄膜晶体管的栅极与第一薄膜晶体管的漏极连接。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，具体的说，涉及一种OLED显示装置的阵列基板及其制造方法。
技术介绍
随着显示技术的发展，有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)显示装置的技术日见成熟，已经越来越多的应用在各个显示领域。OLED显示装置中最基本的驱动单元如图1所示，由两个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)和一个存储电容Cst组成也成为2T1C结构。其中，第一薄膜晶体管的栅极输入扫描信号Vgate，第一薄膜晶体管的源极输入数据信号Vdata，第一薄膜晶体管的漏极连接第二薄膜晶体管的栅极。第二薄膜晶体管的源极连接数字电源Vdd，第二薄膜晶体管的漏极连接数字地Vss，存储电容Cst设置在第二薄膜晶体管的栅极与源极之间，发管二极管串联在第二薄膜晶体管的漏极与数字地Vss之间。其中，第一薄膜晶体管起开关作用，在栅极打开时使数据信号从源极传输至漏极，也即传输至第二薄膜晶体管的栅极。第二薄膜晶体管起到调节发光二极管灰阶的作用，由栅极与源极之间的电压差Vgs控制流过发光二极管电流的大小，并利用存储电容Cst保持住Vgs。对于这两种不同功能的薄膜晶体管，其电学特性的要求是不一样的。对第一薄膜晶体管要求其IdVg曲线的亚阈值(SS)要小，这样能够快速的开关。对第二薄膜晶体管要求SS要大，这样有利于OLED灰阶调试。但现有的OLED显示装置中，第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的制程、结构是相同的，因此第一薄膜晶体管和第二薄膜晶难以达到各自所需的电学特性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种OLED显示装置的阵列基板及其制造方法，能够使不同功能的薄膜晶体管具备各自所需的电学特性。本专利技术提供一种OLED显示装置的阵列基板，由下至上依次包括衬底基板、半导体层、第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层；所述阵列基板上形成有多个驱动单元，每个所述驱动单元中包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的有源沟道层位于所述半导体层；所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极位于所述第一金属层；所述第二薄膜晶体管的栅极、所述第一薄膜晶体管的源极和漏极位于所述第二金属层，且所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第一薄膜晶体管的漏极连接。优选的是，所述第二薄膜晶体管的栅极和所述第一薄膜晶体管的漏极连接为一体式结构。优选的是，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的有源沟道层的材料为铟镓锌氧化合物。进一步的是，所述有源沟道层的两端形成有掺杂区。进一步的是，在所述第二薄膜晶体管中，源极和漏极通过贯穿所述第一绝缘层的过孔与有源沟道层连接。进一步的是，在所述第一薄膜晶体管中，源极和漏极通过贯穿所述第一绝缘层、所述第二绝缘层的过孔与有源沟道层连接。进一步的是，所述第三绝缘层上还形成有透明电极层；位于所述透明电极层的像素电极，通过贯穿所述第二绝缘层、所述第三绝缘层的过孔与所述第二薄膜晶体管的漏极连接。本专利技术还提供一种上述的OLED显示装置的阵列基板的制造方法，包括：利用掩膜板构图工艺，在衬底基板上形成半导体层的图形，其中包括每个驱动单元中的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的有源沟道层；在以上图形的基础上，利用掩膜板构图工艺，形成第一绝缘层的图形，其中包括所述第二薄膜晶体管中的过孔；在以上图形的基础上，利用等离子体掺杂工艺，形成所述第二薄膜晶体管中的有源沟道层的掺杂区；在以上图形的基础上，利用掩膜板构图工艺，形成第一金属层的图形，其中包括所述第一薄膜晶体管的栅极，以及所述第二薄膜晶体管的源极和漏极；在以上图形的基础上，利用掩膜板构图工艺，形成第二绝缘层的图形，其中包括所述第一薄膜晶体管中的过孔；在以上图形的基础上，利用等离子体掺杂工艺，形成所述第一薄膜晶体管中的有源沟道层的掺杂区；在以上图形的基础上，利用掩膜板构图工艺，形成第二金属层的图形，其中包括所述第二薄膜晶体管的栅极，以及所述第一薄膜晶体管的源极和漏极；在以上图形的基础上，利用掩膜板构图工艺，形成第三绝缘层的图形以及像素电极的过孔。进一步的是，该制造方法还包括：在以上图形的基础上，利用掩膜板构图工艺，形成透明电极层的图形，其中包括与所述第二薄膜晶体管的漏极连接的像素电极。优选的是，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的有源沟道层的材料为铟镓锌氧化合物。本专利技术带来了以下有益效果：本专利技术提供的OLED显示装置的阵列基板中，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管均采用顶栅结构。其中，第一薄膜晶体管的栅极位于第一金属层，栅极与有源沟道层之间的间距为第一绝缘层的厚度，因此其亚阈值较小，能够实现快速开关。第二薄膜晶体管的栅极位于第二金属层，栅极与有源沟道层之间的间距为第一绝缘层与第二绝缘层的厚度之和，因此其亚阈值较大，有利于灰阶调试。因此，本专利技术提供的OLED显示装置的阵列基板中，能够使第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管具备各自所需的电学特性，从而提高了OLED显示装置的显示品质。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分的从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明为了更清楚的说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要的附图做简单的介绍：图1是OLED显示装置中的驱动单元的电路图；图2是本专利技术实施例提供的OLED显示装置的阵列基板的截面示意图；图3a至图3h是本专利技术实施例提供的OLED显示装置的阵列基板的制造过程的示意图。具体实施方式以下将结合附图及实施例来详细说明本专利技术的实施方式，借此对本专利技术如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本专利技术中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本专利技术的保护范围之内。本专利技术实施例提供一种OLED显示装置的阵列基板及其制造方法，能够使不同功能的薄膜晶体管具备各自所需的电学特性，从而提高OLED显示装置的显示品质。本专利技术实施例提供的OLED显示装置的阵列基板，由下至上依次包括衬底基板、半导体层、第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层，并且阵列基板上形成有多个驱动单元，每个驱动单元中包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管。如图2所示，第一薄膜晶体管T1的有源沟道层101和第二薄膜晶体管T2的有源沟道层201位于半导体层，直接形成于衬底(玻璃)基板30上，有源沟道层101、201上覆盖有第一绝缘层31。第一薄膜晶体管T1的栅极102、第二薄膜晶体管T2的源极203和漏极204位于第一金属层，第一金属层上覆盖有第二绝缘层32。第二薄膜晶体管T2的栅极202、第一薄膜晶体管T1的源极103和漏极104位于第二金属层，第二金属层上覆盖有第三绝缘层33。从图2中可以看出，第二薄膜晶体管T2的栅极202与第一薄膜晶体管T1的漏极104连接。作为一个优选方案，第二薄膜晶体管T2的栅极202和第一薄膜晶体管T1的漏极104连接为一体式结构。此外，第二薄膜晶体管T2的栅极202与第一薄膜晶体管T1的漏极104之间还形成了存储电容。为本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种OLED显示装置的阵列基板，其特征在于，由下至上依次包括衬底基板、半导体层、第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层；所述阵列基板上形成有多个驱动单元，每个所述驱动单元中包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的有源沟道层位于所述半导体层；所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极位于所述第一金属层；所述第二薄膜晶体管的栅极、所述第一薄膜晶体管的源极和漏极位于所述第二金属层，且所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第一薄膜晶体管的漏极连接。
【技术特征摘要】
1.一种OLED显示装置的阵列基板，其特征在于，由下至上依次包括衬底基板、半导体层、第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层；所述阵列基板上形成有多个驱动单元，每个所述驱动单元中包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的有源沟道层位于所述半导体层；所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极位于所述第一金属层；所述第二薄膜晶体管的栅极、所述第一薄膜晶体管的源极和漏极位于所述第二金属层，且所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第一薄膜晶体管的漏极连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管的栅极和所述第一薄膜晶体管的漏极连接为一体式结构。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的有源沟道层的材料为铟镓锌氧化合物。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述有源沟道层的两端形成有掺杂区。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述第二薄膜晶体管中，源极和漏极通过贯穿所述第一绝缘层的过孔与有源沟道层连接。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述第一薄膜晶体管中，源极和漏极通过贯穿所述第一绝缘层、所述第二绝缘层的过孔与有源沟道层连接。7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第三绝缘层上还形成有透明电极层；位于所述透明电极层的像素电极，通过贯穿所述第二绝缘层、所述第三绝缘层...
【专利技术属性】
技术研发人员：石龙强，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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