一种基板及其制备方法、显示面板技术

本发明专利技术的实施例提供一种基板及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域，可解决现有技术中栅绝缘层损伤的问题。该基板的制备方法包括在衬底上形成TFT，所述TFT包括依次形成在所述衬底上的栅极、栅绝缘层、非晶硅有源层、n+非晶硅欧姆接触层以及源极和漏极；在形成所述非晶硅有源层之后，形成所述n+非晶硅欧姆接触层之前，所述方法还包括形成保护绝缘层，所述保护绝缘层包括位于所述非晶硅有源层的沟道区域的第一图案，以及位于非TFT区域的第二图案；其中，所述第二图案在非TFT区域覆盖所述栅绝缘层。用于具有TFT的装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种基板及其制备方法、显示面板。
技术介绍
薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)作为开关控制单元，在显示领域有着广泛的应用。以TFT阵列基板为例，其显示区包括阵列排布的多个像素单元，每个像素单元中都设置有用于控制该像素单元的TFT开关。其中，非晶硅薄膜晶体管由于性能较好，工艺成熟且成本较低，目前被广泛应用。非晶硅薄膜晶体管中的有源层包括非晶硅有源层和n+非晶硅欧姆接触层，由两次刻蚀工艺形成，第一次用于形成有源层的硅岛图形，第二次用于刻蚀出n+非晶硅欧姆接触层之间的间隙。然而，在形成n+非晶硅欧姆接触层的过程中，由于栅绝缘层上方没有遮挡，往往会使栅绝缘层的位于非TFT区域的部分厚度降低，造成栅绝缘层的损伤。举例来说，当第二次刻蚀有源层的刻蚀量为100nm时，通常会造成栅绝缘层减薄80nm。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种基板及其制备方法、显示面板，可解决现有技术中栅绝缘层损伤的问题。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：第一方面，提供一种基板的制备方法，包括在衬底上形成TFT，所述TFT包括依次形成在所述衬底上的栅极、栅绝缘层、非晶硅有源层、n+非晶硅欧姆接触层、以及源极和漏极；在形成所述非晶硅有源层之后，形成所述n+非晶硅欧姆接触层之前，所述方法还包括形成保护绝缘层，所述保护绝缘层包括位于所述非晶硅有源层的沟道区域的第一图案，以及位于非TFT区域的第二图案；其中，所述第二图案在非TFT区域覆盖所述栅绝缘层。优选的，在形成所述n+非晶硅欧姆接触层的同时，对所述第一图案进行部分刻蚀，使剩余厚度的所述第一图案，形成保护绝缘层图案。进一步优选的，所述保护绝缘层图案的厚度为5～15nm。优选的，形成所述n+非晶硅欧姆接触层、所述保护绝缘层图案以及所述源极和所述漏极，具体包括：在形成有所述非晶硅有源层的衬底上，形成所述保护绝缘层；在形成有所述保护绝缘层的衬底上，形成n+非晶硅过渡图案，所述n+非晶硅过渡图案的形状与所述非晶硅有源层的形状相同；在形成有所述n+非晶硅过渡图案的衬底上，形成所述源极和所述漏极，并对所述n+非晶硅过渡图案、所述第一图案和所述第二图案进行刻蚀，形成所述n+非晶硅欧姆接触层和所述保护绝缘层图案。基于上述，优选的，所述保护绝缘层的材料包括SiO2、SixNy、SiOxNy中的至少一种。进一步的，在SF6与O2，或Cl2与O2，或CF4与O2的混合气体环境下，采用干法刻蚀方法对所述n+非晶硅过渡图案、所述第一图案和所述第二图案进行刻蚀。第二方面，提供一种基板，包括设置在衬底上的TFT，所述TFT包括依次位于所述衬底上的栅极、栅绝缘层、非晶硅有源层、n+非晶硅欧姆接触层、以及源极和漏极；所述基板还包括设置在所述非晶硅有源层远离所述衬底一侧、且位于沟道区域的保护绝缘层图案。优选的，所述保护绝缘层图案的厚度为5～15nm。优选的，所述保护绝缘层图案的材料包括SiO2、SixNy、SiOxNy中的至少一种。基于上述，优选的，所述基板为阵列基板。第三方面，提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。本专利技术的实施例提供一种基板及其制备方法、显示面板，通过在形成非晶硅有源层之后，形成n+非晶硅欧姆接触层之前，形成包括位于沟道区域的第一图案和位于非TFT区域的第二图案的保护绝缘层，可在形成n+非晶硅欧姆接触层的过程中，使栅绝缘层完整，而避免对栅绝缘层的损伤，从而保证所述基板的性能。其中，由于保护绝缘层的材料为绝缘材料，可避免对非晶硅有源层的沟道区域(即，非晶硅有源层中与源极和漏极之间的间隙对应的部分)的污染，保证TFT的性能。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1(a)为本专利技术实施例提供的一种基板的结构示意图一；图1(b)为本专利技术实施例提供的一种基板的结构示意图二；图2为本专利技术实施例提供的一种基板的结构示意图三；图3-8为本专利技术实施例提供的一种制备基板的过程示意图一；图9-10为本专利技术实施例提供的一种制备基板的过程示意图二；图11为本专利技术实施例提供的一种制备基板的流程示意图一；图12为本专利技术实施例提供的一种制备基板的流程示意图二；图13为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。附图标记：01-衬底；02-TFT；11-栅极；12-栅绝缘层；13-非晶硅有源层；14-保护绝缘层；141-第一图案；142-第二图案；143-保护绝缘层图案；15-n+非晶硅欧姆接触层；151-n+非晶硅薄膜；152-n+非晶硅过渡图案；16-源极；17-漏极；18-光刻胶；181-光刻胶保留部分；19-像素电极。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种基板的制备方法，如图1(a)、图1(b)和图2所示，包括在衬底01上形成TFT02，TFT02包括依次形成在衬底01上的栅极11、栅绝缘层12、非晶硅有源层13、n+非晶硅欧姆接触层15、以及源极16和漏极17。其中，如图3所示，在形成非晶硅有源层13之后，形成n+非晶硅欧姆接触层15之前，所述方法还包括形成保护绝缘层14，所述保护绝缘层14包括位于非晶硅有源层13的沟道区域(即，源极16和漏极17之间区域)的第一图案141，以及位于非TFT区域的第二图案142。其中，第二图案142在非TFT区域覆盖栅绝缘层12。需要说明的是，第一，不对保护绝缘层14的材料进行限定，只要不对沟道区域产生影响即可。第二，对于保护绝缘层14中的第一图案141可以保留，也可去除，在此不做限定。当保留时，可以仅是保留部分厚度的第一图案141，当然也可将第一图案141全部保留下来。对于保护绝缘层14中的第二图案142可以保留，也可去除，在此不做限定。当保留时，可以仅是保留部分厚度的第二图案142，当然也可将第二图案142全部保留下来。当第一图案141和第二图案142均被去除时，可同时将第一图案141和第二图案142去除。第三，在制作上述基板的工艺过程中，若需将第二图案142去除，则本专利技术实施例并不限定去除第二图案142具体位于哪一步骤，只要在形成栅绝缘层12的后续工艺步骤中，能避免对栅绝缘层12的损伤即可。第四，本专利技术实施例及所有附图只为清楚描述与本方案专利技术点相关的结构，对于其他的与专利技术点无关的结构并未体现或只体现部分。本专利技术实施例提供一种基板的制备方法，通过在形成非晶硅有源层13之后，形成n+非晶硅欧姆接触层15之前，形成包括位于沟道区域的第一图案141和位于非TFT区域的第二图案142的保护绝缘层14，可在形成n+非晶硅欧姆接触层15的过程中，使栅绝缘层12完整，而避免对栅绝缘层12的损伤，从而保证所述基板的性能。其中，由于保护绝缘层14的材料为绝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板的制备方法，包括在衬底上形成TFT，所述TFT包括依次形成在所述衬底上的栅极、栅绝缘层、非晶硅有源层、n+非晶硅欧姆接触层、以及源极和漏极；其特征在于，在形成所述非晶硅有源层之后，形成所述n+非晶硅欧姆接触层之前，所述方法还包括形成保护绝缘层，所述保护绝缘层包括位于所述非晶硅有源层的沟道区域的第一图案，以及位于非TFT区域的第二图案；其中，所述第二图案在非TFT区域覆盖所述栅绝缘层。

【技术特征摘要】
1.一种基板的制备方法，包括在衬底上形成TFT，所述TFT包括依次形成在所述衬底上的栅极、栅绝缘层、非晶硅有源层、n+非晶硅欧姆接触层、以及源极和漏极；其特征在于，在形成所述非晶硅有源层之后，形成所述n+非晶硅欧姆接触层之前，所述方法还包括形成保护绝缘层，所述保护绝缘层包括位于所述非晶硅有源层的沟道区域的第一图案，以及位于非TFT区域的第二图案；其中，所述第二图案在非TFT区域覆盖所述栅绝缘层。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成所述n+非晶硅欧姆接触层的同时，对所述第一图案进行部分刻蚀，使剩余厚度的所述第一图案，形成保护绝缘层图案。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述保护绝缘层图案的厚度为5～15nm。4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，形成所述n+非晶硅欧姆接触层、所述保护绝缘层图案以及所述源极和所述漏极，具体包括：在形成有所述非晶硅有源层的衬底上，形成所述保护绝缘层；在形成有所述保护绝缘层的衬底上，形成n+非晶硅过渡图案，所述n+非晶硅过渡图案的形状与所述非晶硅有源层的形状相同；在形成有所述n+非晶硅过渡图案的衬底上，形成所述源极和所述漏极...

【专利技术属性】
技术研发人员：段献学，宫奎，李贺飞，李纪龙，安晖，董必良，王铖铖，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11