本发明专利技术实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，既可以保证像素单元中薄膜晶体管的稳定性，又能够减小栅极驱动电路中薄膜晶体管的尺寸，以实现窄边框设计。该阵列基板包括像素单元和栅极驱动电路；像素单元包括第一薄膜晶体管，栅极驱动电路包括第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的有源层包括层叠设置的第一金属氧化物图案和第二金属氧化物图案；第二薄膜晶体管的有源层为第三金属氧化物图案；其中，第二金属氧化物图案的光学稳定性大于第一金属氧化物图案的光学稳定性，第一金属氧化物图案和第三金属氧化物图案的载流子迁移率大于第二金属氧化物图案的载流子迁移率。用于包括栅极驱动电路和像素单元的阵列基板。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
随着显示技术的不断发展，人们对于显示器窄边框的要求也越来越高。为了进一步降低显示器边框的宽度，目前采用的技术是将栅极驱动电路(Gate On Array，简称GOA)制作在TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列基板上，这样不仅可以减少制作程序，降低成本，且由于不需要栅极驱动芯片(Integrate Circuit，简称IC)，因而可以将边框做到很窄，提高TFT阵列基板的集成度。薄膜晶体管中的氧化物薄膜晶体管(Oxide Thin Film Transistor，简称OTFT)由于具有较高的载流子迁移率、低功耗、能应用于低频驱动等优点，而成为薄膜晶体管发展的热点。氧化物薄膜晶体管是指薄膜晶体管中的有源层通过金属氧化物半导体形成。现有技术中，由于像素单元中的薄膜晶体管和栅极驱动电路中的薄膜晶体管一般采用相同的材料制作，这就导致像素单元中的薄膜晶体管具有良好的稳定性和栅极驱动电路中的薄膜晶体管具有小尺寸不能同时满足。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，既可以保证像素单元中薄膜晶体管的稳定性，又能够减小栅极驱动电路中薄膜晶体管的尺寸，以实现窄边框设计。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：第一方面，提供一种阵列基板，包括像素单元和栅极驱动电路；所述像素单元包括第一薄膜晶体管，所述栅极驱动电路包括第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的有源层包括层叠设置的第一金属氧化物图案和第二金属氧化物图案；所述第二薄膜晶体管的有源层为第三金属氧化物图案；其中，所述第二金属氧化物图案的光学稳定性大于所述第一金属氧化物图案的光学稳定性，所述第一金属氧化物图案和所述第三金属氧化物图案的载流子迁移率大于所述第二金属氧化物图案的载流子迁移率。优选的，所述第一金属氧化物图案和所述第三金属氧化物图案的材料选自ZnO、ITZO、ITZTO、IZO、ZTO中的至少一种；所述第二金属氧化物图案的材料为IGZO。优选的，所述第一金属氧化物图案和所述第三金属氧化物图案的材料相同。优选的，所述阵列基板包括衬底基板，所述第一金属氧化物图案相较于所述第二金属氧化物图案靠近所述衬底基板。优选的，所述第一金属氧化物图案、所述第二金属氧化物图案及所述第三金属氧化物图案的厚度为10-50nm。优选的，在垂直于所述阵列基板的方向上，所述第一金属氧化物图案和所述第二金属氧化物图案完全重合；或者，所述第二金属氧化物图案的边界在所述第一金属氧化物图案的边界以内。第二方面，提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。优选的，所述显示装置为液晶显示装置或OLED显示装置。第三方面，提供一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括像素单元和栅极驱动电路；所述像素单元包括第一薄膜晶体管，所述栅极驱动电路包括第二薄膜晶体管。所述阵列基板的制备方法包括：依次形成第一金属氧化物薄膜和第二金属氧化物薄膜；采用一次构图工艺，将所述第一金属氧化物薄膜构图形成第一金属氧化物图案和第三金属氧化物图案，将所述第二金属氧化物薄膜构图形成位于所述第一金属氧化物图案上的第二金属氧化物图案；其中，所述第一金属氧化物图案和所述第二金属氧化物图案为所述第一薄膜晶体管的有源层，所述第三金属氧化物图案为所述第二薄膜晶体管的有源层。优选的，所述构图工艺为双缝衍射构图工艺或半色调掩膜板构图工艺。本专利技术实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，由于阵列基板像素单元中的第一薄膜晶体管的有源层包括双层结构(第一金属氧化物图案和第二金属氧化物图案，栅极驱动电路中的第二薄膜晶体管的有源层包括单层结构(第三金属氧化物图案)，且第二金属氧化物图案的光学稳定性大于第一金属氧化物图案的光学稳定性，即第二金属氧化物图案的光学稳定性较好，因而可以确保像素单元的第一薄膜晶体管具有良好的稳定性。在此基础上，第一金属氧化物图案和第三金属氧化物图案的载流子迁移率大于第二金属氧化物图案的载流子迁移率，即第三金属氧化物图案的载流子迁移率较高，因而在第三金属氧化物物图案为第二薄膜晶体管的有源层时，可以满足栅极驱动电路的驱动要求，因此可以减小栅极驱动电路中第二薄膜晶体管的尺寸，以使实现窄边框设计。相对现有技术中，像素单元中的第一薄膜晶体管和栅极驱动电路中的第二薄膜晶体管采用相同的材料制作，本专利技术实施例第一薄膜晶体管中的有源层采用双层结构，第二薄膜晶体管的有源层采用单层结构，这样既可以保证像素单元中第一薄膜晶体管的稳定性，又能够减小栅极驱动电路中第二薄膜晶体管的尺寸，从而达到窄边框设计要求。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图一；图2(a)为本专利技术实施例提供的一种阵列基板包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的结构示意图一；图2(b)为本专利技术实施例提供的一种阵列基板包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的结构示意图二；图2(c)为本专利技术实施例提供的一种阵列基板包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的结构示意图三；图3为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种形成第一金属氧化物薄膜和第二金属氧化物薄膜的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的一种形成第一金属氧化图案、第二金属氧化图案和第三金属氧化物图案的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图二；图7为本专利技术实施例提供的一种在第一金属氧化物薄膜和第二金属氧化物薄膜上形成光刻胶的结构示意图。附图标记：01-显示区域；02-非显示区域；03-像素单元；04-栅极驱动电路；10-第一薄膜晶体管；101-第一薄膜晶体管的有源层；1011-第一金属氧化物图案；1012-第二金属氧化物图案；102-第一栅极；103-第一源极；104-第一漏极；105-第一栅绝缘层；106-第一像素电极；107-第一保护层；20-第二薄膜晶体管；201-第二薄膜晶体管的有源层；2011-第三金属氧化物图案；202-第二栅极；203-第二源极；204-第二漏极；205-第二栅绝缘层；206-第二像素电极；207-第二保护层；30-衬底基板；40-第一金属氧化物薄膜；50-第二金属氧化物薄膜；60-光刻胶。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。现有技术中的金属氧化物半导体均不能同时满足既具有良好的光学稳定性又具有较高的载流子迁移率。基于此，本专利技术实施例提供一种阵列基板，如图1和图2所示，包括像素单元03和栅极驱动电路04；像素单元03包括第一薄膜晶体管10，栅极驱动电路04包括第二薄膜晶体管20，第一薄膜晶体管10的有源层101包括层叠设置本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板，包括像素单元和栅极驱动电路；所述像素单元包括第一薄膜晶体管，所述栅极驱动电路包括第二薄膜晶体管，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的有源层包括层叠设置的第一金属氧化物图案和第二金属氧化物图案；所述第二薄膜晶体管的有源层为第三金属氧化物图案；其中，所述第二金属氧化物图案的光学稳定性大于所述第一金属氧化物图案的光学稳定性，所述第一金属氧化物图案和所述第三金属氧化物图案的载流子迁移率大于所述第二金属氧化物图案的载流子迁移率。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括像素单元和栅极驱动电路；所述像素单元包括第一薄膜晶体管，所述栅极驱动电路包括第二薄膜晶体管，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的有源层包括层叠设置的第一金属氧化物图案和第二金属氧化物图案；所述第二薄膜晶体管的有源层为第三金属氧化物图案；其中，所述第二金属氧化物图案的光学稳定性大于所述第一金属氧化物图案的光学稳定性，所述第一金属氧化物图案和所述第三金属氧化物图案的载流子迁移率大于所述第二金属氧化物图案的载流子迁移率。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属氧化物图案和所述第三金属氧化物图案的材料选自ZnO、ITZO、ITZTO、IZO、ZTO中的至少一种；所述第二金属氧化物图案的材料为IGZO。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属氧化物图案和所述第三金属氧化物图案的材料相同。4.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板，所述第一金属氧化物图案相较于所述第二金属氧化物图案靠近所述衬底基板。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属氧化物图案、所述第二金属氧化物图案及所述第三金属氧化物图案的厚度...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨维，王珂，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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