半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体装置包含主动层、源极、漏极、栅极、第一介电层、源极导线、第一源极贯穿结构、第二介电层、源极垫与第二源极贯穿结构。源极置于主动层上且沿第一方向延伸。漏极置于主动层上，且与源极交替排列。栅极分别置于源极与漏极之间。第一介电层覆盖源极、漏极与栅极。源极导线置于第一介电层上。第二介电层覆盖源极导线。源极垫置于第二介电层上，且包含第一源极主干、第一源极分支与源极次分支。第一源极主干沿第一方向延伸。第一源极分支突出于第一源极主干，且置于源极导线上。源极次分支突出于第一源极分支，且置于源极上。在不增加源极漏极之间电容值的情况下，源极垫可降低源极本身的电阻，且漏极垫可降低漏极本身的电阻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体装置。
技术介绍
场效晶体管(Field Effect Transistor)是一种利用材料中的电场效应以控制电流的开关元件，其被广泛应用于半导体元件的电路中。具体而言，场效晶体管包含栅极、源极、漏极与主动层。通过控制栅极的电压而影响通道的开关，源极与漏极之间因此可导通电流以处于开启状态。一般而言，场效晶体管可还包含源极垫与漏极垫，其分别电性连接至源极与漏极，使得场效晶体管可电性连接至其他装置。源极垫与漏极垫一般具有较大的焊线区域以助于外部电路的焊线工艺，其有助于半导体工艺中场效晶体管的微型化。如何提供具有足够焊线区域与较少场效晶体管的电干扰的设置良好的源极垫与漏极垫是很重要的。
技术实现思路
本专利技术的一实施方式提供一种半导体装置，包含主动层、多个源极、多个漏极、多个栅极、第一介电层、多个源极导线、多个第一源极贯穿结构、第二介电层、源极垫与多个第二源极贯穿结构。源极置于主动层上且沿第一方向延伸。漏极置于主动层上，且与源极交替排列。栅极分别置于源极与漏极之间。第一介电层覆盖源极、漏极与栅极。源极导线置于第一介电层上。第一源极贯穿结构置于第一介电层中，且连接源极与源极导线。第二介电层覆盖源极导线。源极垫置于第二介电层上。源极垫包含第一源极主干、第一源极分支与源极次分支。第一源极主干沿着第一方向延伸。第一源极分支突出于第一源极主干，且置于任一的源极导线上。源极次分支突出于第一源极分支，且置于任一的源极上。第二源极贯穿结构置于第二介电层中，且连接源极垫与源极导线。在一或多个实施方式中，半导体装置还包含多个漏极导线、多个第一漏
极贯穿结构、漏极垫与多个第二漏极贯穿结构。漏极导线置于第一介电层上，且与源极导线交替排列，且第二介电层还覆盖漏极导线。第一漏极贯穿结构置于第一介电层中，且连接漏极与漏极导线。漏极垫置于第二介电层上。漏极垫包含第一漏极主干、第一漏极分支与漏极次分支。漏极与第一漏极主干皆沿着第一方向延伸。第一漏极分支突出于第一漏极主干，且置于任一的漏极导线上方。漏极次分支突出于第一漏极分支，且置于任一的漏极上。第二漏极贯穿结构置于第二介电层中，且连接漏极垫与漏极导线。在一或多个实施方式中，半导体装置还包含多个第三漏极贯穿结构，置于第一介电层与第二介电层中，且连接漏极垫与漏极。在一或多个实施方式中，第一源极分支与第一漏极分支交替排列。在一或多个实施方式中，源极次分支与漏极次分支交替排列。在一或多个实施方式中，至少一漏极导线包含第二漏极主干与第二漏极分支。第二漏极主干沿第二方向沿伸，其中第二方向实质上垂直于第一方向。第二漏极分支突出于第二漏极主干，且置于任一的漏极上方。在一或多个实施方式中，至少一漏极导线包含多个漏极带，置于漏极垫的第一漏极主干以及漏极之间，漏极带互相分离。在一或多个实施方式中，第一介电层包含上部分与下部分，下部分置于上部分与主动层之间。至少一第一漏极贯穿结构包含上漏极贯穿结构与下漏极贯穿结构。半导体装置还包含金属层，置于任一的漏极导线与任一的漏极之间，且置于上部分与下部分之间。上漏极贯穿结构置于上部分且连接漏极导线与金属层，下漏极贯穿结构置于下部分且连接金属层与漏极。在一或多个实施方式中，半导体装置还包含绝缘层，覆盖一部分的漏极垫且暴露出第一漏极主干。在一或多个实施方式中，绝缘层还暴露一部分的第一漏极分支。在一或多个实施方式中，半导体装置还包含多个第三源极贯穿结构，置于第一介电层与第二介电层中，且连接源极垫与源极。在一或多个实施方式中，至少一源极导线包含第二源极主干与第二源极分支。第二源极主干沿第二方向沿伸，其中第二方向实质上垂直于第一方向。第二源极分支突出于第二源极主干，且置于任一的源极上。在一或多个实施方式中，至少一源极导线包含多个源极带，置于源极垫
的第一源极主干以及源极之间，源极带互相分离。在一或多个实施方式中，第一介电层包含上部分与下部分，下部分置于上部分与主动层之间。至少一第一源极贯穿结构包含上源极贯穿结构与下源极贯穿结构。半导体装置还包含金属层，置于任一的源极导线与任一的源极之间，且置于上部分与下部分之间。上源极贯穿结构置于上部分且连接源极导线与金属层，下源极贯穿结构置于下部分且连接金属层与源极。在一或多个实施方式中，金属层还置于任一的栅极上。在一或多个实施方式中，半导体装置还包含场板，置于上部分与下部分之间，且置于任一的栅极上。场板电性连接至栅极。在一或多个实施方式中，半导体装置还包含场板，置于上部分与下部分之间，且置于任一栅极上。场板与栅极、源极与漏极皆电性绝缘。在一或多个实施方式中，半导体装置还包含绝缘层，覆盖一部分的源极垫且暴露出第一源极主干。在一或多个实施方式中，绝缘层还暴露一部分的第一源极分支。在一或多个实施方式中，半导体装置还包含基板与导线架，导线架包含第一部分、第二部分、第三部分与第四部分。第一部分与源极、漏极与栅极电性绝缘，基板置于第一部分与主动层之间，第二部分电性连接源极，第三部分电性连接漏极。第四部分电性连接栅极。在一或多个实施方式中，半导体装置还包含基板与导线架。导线架包含第一部分、第二部分与第三部分，第一部分电性连接栅极，基板置于第一部分与主动层之间，第二部分电性连接源极，第三部分电性连接漏极。本专利技术的另一实施方式提供一种半导体装置，包含主动层、多个源极、多个漏极、多个栅极、第一介电层、多个漏极导线、多个第一漏极贯穿结构、第二介电层、漏极垫与多个第二漏极贯穿结构。源极置于主动层上。漏极置于主动层上，与源极交替排列，且沿第一方向延伸。栅极分别置于源极与漏极之间。第一介电层覆盖源极、漏极与栅极。漏极导线置于第一介电层上。第一漏极贯穿结构置于第一介电层中，且连接漏极与漏极导线。第二介电层覆盖漏极导线。漏极垫置于第二介电层上。漏极垫包含第一漏极主干、第一漏极分支与漏极次分支。第一漏极主干沿着第一方向延伸。第一漏极分支突出于第一漏极主干，且置于任一的漏极导线上方。漏极次分支突出于第一漏
极分支，且置于任一漏极上。第二漏极贯穿结构置于第二介电层中，且连接漏极垫与漏极导线。上述实施方式的半导体装置在不增加源极-漏极之间电容值的情况下，源极垫可降低源极本身的电阻，且漏极垫可降低漏极本身的电阻。附图说明图1为本专利技术一实施方式的半导体装置的上视图。图2A为沿图1的线段2A-2A的剖面图。图2B为沿图1的线段2B-2B的剖面图。图2C为沿图1的线段2C-2C的剖面图。图3为本专利技术另一实施方式的半导体装置的上视图。图4为沿图3的线段4-4的剖面图。图5为本专利技术又一实施方式的半导体装置的上视图。图6为本专利技术再一实施方式的半导体装置的剖面图。图7A与图7B为本专利技术另二实施方式的半导体装置的剖面图。图8为本专利技术又一实施方式的半导体装置的剖面图。图9为本专利技术再一实施方式的半导体装置的上视图。图10为本专利技术另一实施方式的半导体装置的上视图。图11为本专利技术又一实施方式的半导体装置的上视图。图12为本专利技术再一实施方式的半导体装置的上视图。附图标记说明：105：基板110：主动层112：氮化镓层114：氮化镓铝层120：源极130：漏极140：栅极145：栅极垫150：第一介电层152：上部分154：下部分1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包含：一主动层；多个源极，置于所述主动层上且沿一第一方向延伸；多个漏极，置于所述主动层上，且与所述多个源极交替排列；多个栅极，分别置于所述多个源极与所述多个漏极之间；一第一介电层，覆盖所述多个源极、所述多个漏极与所述多个栅极；多个源极导线，置于所述第一介电层上；多个第一源极贯穿结构，置于所述第一介电层中，且连接所述多个源极与所述多个源极导线；一第二介电层，覆盖所述多个源极导线；一源极垫，置于所述第二介电层上，其中所述源极垫包含：一第一源极主干，沿着所述第一方向延伸；一第一源极分支，突出于所述第一源极主干，且置于任一的所述多个源极导线上；以及一源极次分支，突出于所述第一源极分支，且置于任一的所述多个源极上；以及多个第二源极贯穿结构，置于所述第二介电层中，且连接所述源极垫与所述多个源极导线。

【技术特征摘要】
2014.11.26 US 14/555,0561.一种半导体装置，其特征在于，包含：一主动层；多个源极，置于所述主动层上且沿一第一方向延伸；多个漏极，置于所述主动层上，且与所述多个源极交替排列；多个栅极，分别置于所述多个源极与所述多个漏极之间；一第一介电层，覆盖所述多个源极、所述多个漏极与所述多个栅极；多个源极导线，置于所述第一介电层上；多个第一源极贯穿结构，置于所述第一介电层中，且连接所述多个源极与所述多个源极导线；一第二介电层，覆盖所述多个源极导线；一源极垫，置于所述第二介电层上，其中所述源极垫包含：一第一源极主干，沿着所述第一方向延伸；一第一源极分支，突出于所述第一源极主干，且置于任一的所述多个源极导线上；以及一源极次分支，突出于所述第一源极分支，且置于任一的所述多个源极上；以及多个第二源极贯穿结构，置于所述第二介电层中，且连接所述源极垫与所述多个源极导线。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包含：多个漏极导线，置于所述第一介电层上，且与所述多个源极导线交替排列，且所述第二介电层还覆盖所述漏极导线；多个第一漏极贯穿结构，置于所述第一介电层中，且连接所述多个漏极与所述多个漏极导线；一漏极垫，置于所述第二介电层上，其中所述漏极垫包含：一第一漏极主干，所述多个漏极与所述多个第一漏极主干皆沿着所述第一方向延伸；一第一漏极分支，突出于所述第一漏极主干，且置于任一的所述多个漏极导线上方；以及一漏极次分支，突出于所述第一漏极分支，且置于任一的所述多个漏极上；以及多个第二漏极贯穿结构，置于所述第二介电层中，且连接所述漏极垫与所述多个漏极导线。3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，还包含：多个第三漏极贯穿结构，置于所述第一介电层与所述第二介电层中，且连接所述漏极垫与所述多个漏极。4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一源极分支与所述第一漏极分支交替排列。5.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述源极次分支与所述漏极次分支交替排列。6.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，至少任一的所述多个漏极导线包含：一第二漏极主干，沿一第二方向沿伸，其中所述第二方向实质上垂直于所述第一方向；以及一第二漏极分支，突出于所述第二漏极主干，且置于任一的所述多个漏极上方。7.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，至少任一的所述多个漏极导线包含：多个漏极带，置于所述漏极垫的所述第一漏极主干以及所述多个漏极之间，其中所述多个漏极带互相分离。8.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一介电层包含一上部分与一下部分，所述下部分置于所述上部分与所述主动层之间，至少任一的所述多个第一漏极贯穿结构包含一上漏极贯穿结构与一下漏极贯穿结构，且所述半导体装置还包含：一金属层，置于任一的所述多个漏极导线与任一的所述多个漏极之间，且置于所述上部分与所述下部分之间，其中所述上漏极贯穿结构置于所述上部分且连接所述漏极导线与所述金属层，所述下漏极贯穿结构置于所述下部分且连接所述金属层与所述漏极。9.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，还包含：一绝缘层，覆盖一部分的所述漏极垫且暴露出所述第一漏极主干。10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述绝缘层还暴露一部分的所述第一漏极分支。11.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包含：多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：林立凡，陈世鹏，
申请(专利权)人：台达电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71