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本发明公开了一种半导体装置包含主动层、源极、漏极、栅极、第一介电层、源极导线、第一源极贯穿结构、第二介电层、源极垫与第二源极贯穿结构。源极置于主动层上且沿第一方向延伸。漏极置于主动层上，且与源极交替排列。栅极分别置于源极与漏极之间。第一介电...
该专利属于台达电子工业股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台达电子工业股份有限公司授权不得商用。

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