一种阵列基板、显示面板、显示装置及驱动方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板、显示面板、显示装置及驱动方法，所述阵列基板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的多条栅线、多条数据线和位于由所述多条栅线和多条数据线限定的区域中的多个亚像素单元，所述亚像素单元包括第一亚像素单元和第二亚像素单元，所述第一亚像素单和所述第二亚像素单元在行方向和列方向上均交替设置，每一所述亚像素单元均包括薄膜晶体管、像素电极和公共电极，所述第一亚像素单元中，公共电极位于像素电极的远离衬底基板的一侧，所述第二亚像素单元中，公共电极位于像素电极的靠近衬底基板的一侧。采用本发明专利技术的上述结构之后，使用面反转的驱动方式，可达到点反转的显示效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、显示面板、显示装置及驱动方法。
技术介绍
随着液晶显示面板的发展，对液晶显示面板的要求也越来越高，如高分辨率，低功耗，高画质等。但在众多要求中往往存在相互制约的情况，以驱动方式来说，现有液晶显示面板主要的驱动方式有面反转(请参考图1)，列反转(请参考图2)和点反转(请参考图3)，其中，采用点反转驱动方式的液晶显示面板，在带来高画质的同时也带来了高功耗，而采用面反转驱动方式的液晶显示面板，虽然其功耗最低，但同时也带来显示画质的不足。采用列反转驱动方式在一定程度上可以很好的满足功耗和画质的需要，因而，现在的液晶显示面板通常采用列反转的驱动方式。除此之外，也可以通过不同的像素结构来满足功耗和画质的双重需要，如“Z”反转的像素结构(请参考图4)，图4中，101为栅线，102数据线，103为公共电极线，104为TFT(薄膜晶体管)器件，105为像素电极，106为公共电极，107为用于连接公共电极106和公共电极线103的过孔。该种像素结构可以在列反转驱动方式的情况下达到点反转的显示效果。然而从图4中可以看出，该像素结构中同一列亚像素单元中，相邻的两个亚像素单元的薄膜晶体管104分别位于数据线102的两侧，该种结构对各膜层对位精度要求很高，否则会导致相邻两行薄膜晶体管104的寄生电容等会存在差异。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种阵列基板、显示面板、显示装置及驱动方法，能够在使用面反转驱动方式的情况下达到点反转的显示效果。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种阵列基板，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的多条栅线、多条数据线和位于由所述多条栅线和多条数据线限定的区域中的多个亚像素单元，所述亚像素单元包括第一亚像素单元和第二亚像素单元，所述第一亚像素单和所述第二亚像素单元在行方向和列方向上均交替设置，每一所述亚像素单元均包括薄膜晶体管、像素电极和公共电极，所述第一亚像素单元中，公共电极位于像素电极的远离衬底基板的一侧，所述第二亚像素单元中，公共电极位于像素电极的靠近衬底基板的一侧。优选地，位于同一列的亚像素单元的薄膜晶体管均与同一数据线连接，且位于所述数据线的同一侧。优选地，还包括多条公共电极线，所述公共电极线与所述栅线同层同材料设置，所述第一亚像素单元中的公共电极通过第一过孔与所述公共电极线连接，所述第二亚像素单元中的公共电极通过第二过孔与所述公共电极线连接。优选地，位于同一行的亚像素单元的公共电极与同一公共电极线连接。优选地，所述阵列基板包括：衬底基板；同层同材料设置的栅电极、栅线和公共电极线；栅极绝缘层；有源层；同层同材料设置的源电极、漏电极和数据线；第一透明电极层，所述第一透明电极层包括所述第一亚像素单元的像素电极和所述第二亚像素单元的公共电极，其中，像素电极与漏电极连接，公共电极通过贯穿所述栅极绝缘层的第二过孔与所述公共电极线连接；绝缘层；第二透明电极层，所述第二透明电极层包括所述第一亚像素单元的公共电极和所述第二亚像素单元的像素电极，其中，像素电极与漏电极连接，公共电极通过贯穿所述绝缘层和栅极绝缘层的第一过孔与所述公共电极线连接。本专利技术还提供一种显示面板，包括上述阵列基板。本专利技术还提供一种显示装置，包括上述显示面板。本专利技术还提供一种显示装置的驱动方法，用于驱动上述显示装置；所述方
法包括：采用面反转的驱动方式驱动所述显示面板。本专利技术的上述技术方案的有益效果如下：本专利技术实施例中，相邻的亚像素单元采用不同的像素结构设计，Top Com和Top Pixel交替出现，采用上述结构后，使用面反转的驱动方式，可达到点反转的显示效果，从而达到功耗低，显示画质佳的目的。附图说明图1为现有技术中的面反转驱动方式示意图；图2为现有技术中的列反转驱动方式示意图；图3为现有技术中的点反转驱动方式示意图；图4为现有技术中的“Z”反转的像素结构示意图；图5为本专利技术实施例的阵列基板的结构示意图；图6为本专利技术实施例的第一过孔的结构示意图；图7为本专利技术实施例的第二过孔的结构示意图；图8为本专利技术实施例的第三过孔的结构示意图；附图标记说明：现有技术：101栅线；102数据线；103公共电极线；104薄膜晶体管；105像素电极；106公共电极；107过孔；本专利技术：501栅线；502数据线；503公共电极线；504薄膜晶体管；505像素电极；506公共电极；507第一过孔；508第二过孔；509第三过孔；510栅绝缘层；511中间绝缘层；601第一亚像素单元；602第二亚像素单元。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本专利技术专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也相应地改变。请参考图5，图5为本专利技术实施例的阵列基板的结构示意图，该阵列基板包括衬底基板(图为示出)以及设置于所述衬底基板上的多条栅线501、多条数据线502和位于由所述多条栅线501和多条数据线502限定的区域中的多个亚像素单元，所述亚像素单元包括第一亚像素单元601和第二亚像素单元602，所述第一亚像素单601和所述第二亚像素单元602在行方向和列方向上均交替设置，每一所述亚像素单元均包括薄膜晶体管504、像素电极505和公共电极506，所述第一亚像素单元601中，公共电极506位于像素电极505的远离衬底基板的一侧，所述第二亚像素单元602中，公共电极506位于像素电极505的靠近衬底基板的一侧。现有的像素结构中，一种是采用Top Com设计，即公共电极位于像素电极的远离衬底基板的一侧(以从下到上的工艺形成的次序来说，公共电极位于像素电极的上方)，另一种是采用Top Pixel设计，即公共电极位于像素电极的靠近衬底基板的一侧(以从下到上的工艺形成的次序来说，公共电极位于像素电极的下方)。而，本专利技术实施例中，相邻的亚像素单元采用不同的像素结构设计，Top Com(第一亚像素单元601)和Top Pixel(第二亚像素单元602)交替出现。由于相邻的亚像素单元中的公共电极和像素电极上下位置互换，因而，相邻的亚像素单元中形成的电场方向也是相反的，如一个亚像素单元中的电场是由像素电极指向公共电极，而相邻的亚像素单元中的电场则是由公共电极指向像素电极，从而相邻的两亚像素单元的极性可会相反，因而，采用上述结构后，便可使用面反转的驱动方式，达到点反转的显示效果，从而达到功耗低，显示画
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【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的多条栅线、多条数据线和位于由所述多条栅线和多条数据线限定的区域中的多个亚像素单元，所述亚像素单元包括第一亚像素单元和第二亚像素单元，所述第一亚像素单和所述第二亚像素单元在行方向和列方向上均交替设置，每一所述亚像素单元均包括薄膜晶体管、像素电极和公共电极，所述第一亚像素单元中，公共电极位于像素电极的远离衬底基板的一侧，所述第二亚像素单元中，公共电极位于像素电极的靠近衬底基板的一侧。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的多条栅线、多条数据线和位于由所述多条栅线和多条数据线限定的区域中的多个亚像素单元，所述亚像素单元包括第一亚像素单元和第二亚像素单元，所述第一亚像素单和所述第二亚像素单元在行方向和列方向上均交替设置，每一所述亚像素单元均包括薄膜晶体管、像素电极和公共电极，所述第一亚像素单元中，公共电极位于像素电极的远离衬底基板的一侧，所述第二亚像素单元中，公共电极位于像素电极的靠近衬底基板的一侧。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，位于同一列的亚像素单元的薄膜晶体管均与同一数据线连接，且位于所述数据线的同一侧。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括多条公共电极线，所述公共电极线与所述栅线同层同材料设置，所述第一亚像素单元中的公共电极通过第一过孔与所述公共电极线连接，所述第二亚像素单元中的公共电极通过第二过孔与所述公共电极线连接。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，位于同一行的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈传宝，郭远辉，李润复，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11