金属纳米线、透明导电膜及其制造方法、分散液、信息输入装置以及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种金属纳米线、包含该金属纳米线的透明导电膜及其制造方法、包含所述金属纳米线的分散液、具备所述透明导电膜的信息输入装置，以及具备所述透明导电膜的电子设备，所述金属纳米线可高效地抑制触摸面板等的显示画面中的外界光散射、并提高防黑浮性(明处对比度)及电极图案不可视性、且具有高的全光线透过率。金属纳米线包括金属纳米线主体、及吸附于所述金属纳米线主体上的有色化合物，且所述有色化合物为染料，所述有色化合物的吸附量相对于所述金属纳米线主体为0.5质量％～10质量％。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】对关联申请的交叉引用本申请主张日本专利申请2014-014764号(2014年1月29日申请)的优先权，并为了在此参照该申请的公开的全部内容而进行引用。
本专利技术涉及一种金属纳米线、透明导电膜及其制造方法、分散液、信息输入装置以及电子设备。
技术介绍
在设置于触控面板等显示面板的显示面上的透明导电膜，进一步地，配置在显示面板的显示面侧的信息输入装置的透明导电膜等要求透光性的透明导电膜中，一直使用如铟锡氧化物(ITO)那样的金属氧化物。但是，使用金属氧化物的透明导电膜因在真空环境下进行溅镀成膜，故耗费制造成本，另外，容易因弯曲或挠曲等变形而产生破裂或剥离。因此，正研究可利用涂布或印刷进行成膜、且对于弯曲或挠曲的耐受性也高的使用金属纳米线的透明导电膜来代替使用金属氧化物的透明导电膜。使用金属纳米线的透明导电膜也作为不使用作为稀有金属的铟的下一代的透明导电膜而受到瞩目(例如，参照专利文献1、专利文献2)。然而，所述专利文献1中所记载的透明导电膜存在呈现红色，而导致透明性受损的情况。进而，在将使用金属纳米线的透明导电膜设置于显示面板的显示面侧时，因外界光在金属纳米线的表面进行漫反射，故产生显示面板的黑色显示略微明亮地进行显示的所谓的黑浮(black floating)现象。黑浮现象成为导致由对比度下降所引起的显示特性劣化的要因。为了防止此种黑浮现象的产生，提出有一种使用了难以产生光的漫反射的金(Au)的金纳米管。关于金纳米管的形成，首先，将容易使光进行漫反射的银纳米线用作模板(template)，并对其实施镀金。之后，对用作模板的银纳米线部分进行蚀刻或氧化而变换成金纳米管(例如，参照专利文献3)。另外，提出有一种将金属纳米线与二次导电性介质(碳纳米管(Carbon nano tube，CNT)、导电性聚合物、ITO等)同时使用来防止光散射的方法(例如，参照专利文献2)。但是，对于通过前者的方法所获得的金纳米管而言，不仅用作模板的银纳米线作为材料浪费，而且还需要用于实施镀金的金属材料。因此，材料费变高、且工序也变得繁杂，故存在制造成本变高这一问题。另外，在后者的方法中，因将CNT、导电性聚合物、ITO等二次导电性介质(着色材料)配置于金属纳米线网的开口部，故存在透明性有可能受损的问题。为了解决所述问题，提出有一种包含金属纳米线主体与吸附于该金属纳米线主体上的有色化合物(染料)的透明导电膜(例如，参照专利文献4、专利文献5)。但是，在包含金属纳米线主体与吸附于该金属纳米线主体上的有色化合物(染料)的透明导电膜中，存在在其制造工序中，未吸附于金属纳米线主体上而游离的有色化合物(染料)、相对于金属纳米线主体的有色化合物(染料)的吸附量少的金属纳米线混合存在于膜内，使透明电极的全光线透过率下降，并使防止黑浮等的效果下降的可能。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特表2010-507199号公报专利文献2：日本特表2010-525526号公报专利文献3：日本特表2010-525527号公报专利文献4：日本特开2012-190777号公报专利文献5：日本特开2012-190780号公报
技术实现思路
技术问题本专利技术的课题在于解决以往的所述各种问题，并实现以下的目的。即，本专利技术的目的在于提供一种金属纳米线、包含该金属纳米线的透明导电膜及其制造方法、包含所述金属纳米线的分散液、具备所述透明导电膜的信息输入装置，以及具备所述透明导电膜的电子设备，所述金属纳米线可高效地抑制触摸面板等的显示画面中的外界光散射、并提高防黑浮性(明处对比度)及电极图案不可视性、且具有高的全光线透过率。技术方案本专利技术者为了达成所述目的而进行努力研究的结果，发现在有色化合物与金属纳米线主体的接触后，将游离的有色化合物去除，并确实地使相对于金属纳米线主体的有色化合物的吸附量达到固定量以上，由此可高效地进一步吸收入射光，并抑制外界光散射，从而完成本专利技术。本专利技术基于本专利技术者等人的所述发现而成，作为用于解决所述课题的手段如下。即，<1>一种金属纳米线，包括：金属纳米线主体；以及有色化合物，其吸附于所述金属纳米线主体上，且所述有色化合物为染料，所述有色化合物的吸附量相对于所述金属纳米线主体为0.5质量％～10质量％。<2>一种金属纳米线，包括：金属纳米线主体；以及有色化合物，其吸附于所述金属纳米线主体上，且所述有色化合物含有在可见光区域中具有吸收的发色团、及结合在构成所述金属纳米线主体的金属上的基，所述有色化合物的吸附量相对于所述金属纳米线主体为0.5质量％～10质量％。在该<1>及<2>中所记载的金属纳米线中，吸附于金属纳米线主体上的有色化合物吸收光、特别是可见光，由此防止在金属纳米线主体的表面上的光的漫反射。另外，通过将规定量的有色化合物吸附于金属纳米线主体的表面上，可更确实地防止该漫反射。<3>如所述<1>中所记载的金属纳米线，其中，所述染料吸收可见光区域的光。<4>如所述<1>或<2>所记载的金属纳米线，其中，所述金属纳米线主体的平均短轴直径为1nm～500nm，平均长度为5μm～50μm。<5>如所述<2>中所记载的金属纳米线，其中，所述有色化合物由下述通式(I)表示，R-X...(I)其中，R为在可见光区域中具有吸收的发色团，X为结合在构成所述金属纳米线主体的金属上的基。<6>如所述<2>中所记载的金属纳米线，其中，所述发色团包含选自由不饱和烷基、芳香族、杂环、及金属离子所组成的群组的至少一种。<7>如所述<2>中所记载的金属纳米线，其中，所述发色团包含选自由亚硝基、硝基、偶氮基、次甲基、胺基、酮基、噻唑基、萘醌基、吲哚啉基、二苯乙烯衍生物、靛酚衍生物、二苯基甲烷衍生物、蒽醌衍生物、三芳基甲烷衍生物、二吖嗪衍生物、靛蓝衍生物、咕吨衍生物、恶嗪衍生物、酞菁衍生物、吖啶衍生物、噻晓衍生物、含有硫原子的化合物、及含有金属离子的化合物所组成的群组的至少一种。<8>如所述<7>中所记载的金属纳米线，其中，所述发色团包含选自由Cr错合物、Cu错合物、Co错合物、Ni错合物、Fe错合物、偶氮基、及吲哚啉基所组成的群组的至少一种。<9>如所述<2>中所记载的金属纳米线，其中，结合在所述金属上的基为硫醇基及二硫化物基中的至少一个。<10>如所述<1>至<9>中任一项所记载的金属纳米线，其中，所述金属纳米线主体包含选自由Ag、Au、Ni、Cu、Pd、Pt、Rh、Ir、Ru、Os、Fe、Co、Sn、Al、Tl、Zn、Nb、Ti、In、W、Mo、Cr、V、及Ta所组成的群组的至少一种元素。<11>一种透明导电膜，包括：所述<1>至<10>中任一项所记载的金属纳米线。<12>如所述<11>中所记载的透明导电膜，其中，△反射L*值为2.2以下。此处所述的“△反射L*值”是指可根据JIS Z8722进行测定的数值，且由下式表示。(△反射L*值)＝(包含基材的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属纳米线，其特征在于，包括：金属纳米线主体；以及有色化合物，其吸附于所述金属纳米线主体上，且所述有色化合物为染料，所述有色化合物的吸附量相对于所述金属纳米线主体为0.5质量％～10质量％。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.01.29 JP 2014-0147641.一种金属纳米线，其特征在于，包括：金属纳米线主体；以及有色化合物，其吸附于所述金属纳米线主体上，且所述有色化合物为染料，所述有色化合物的吸附量相对于所述金属纳米线主体为0.5质量％～10质量％。2.一种金属纳米线，其特征在于，包括：金属纳米线主体；以及有色化合物，其吸附于所述金属纳米线主体上，且所述有色化合物含有在可见光区域中具有吸收的发色团、及结合在构成所述金属纳米线主体的金属上的基，所述有色化合物的吸附量相对于所述金属纳米线主体为0.5质量％～10质量％。3.根据权利要求1所述的金属纳米线，其特征在于，所述染料吸收可见光区域的光。4.根据权利要求1或2所述的金属纳米线，其特征在于，所述金属纳米线主体的平均短轴直径为1nm～500nm，平均长度为5μm～50μm。5.根据权利要求2所述的金属纳米线，其特征在于，所述有色化合物由下述通式(I)表示，R-X...(I)其中，R为在可见光区域中具有吸收的发色团，X为结合在构成所述金属纳米线主体的金属上的基。6.根据权利要求2所述的金属纳米线，其特征在于，所述发色团包含选自由不饱和烷基、芳香族、杂环、及金属离子所组成的群组的至少一种。7.根据权利要求2所述的金属纳米线，其特征在于，所述发色团包含选自由亚硝基、硝基、偶氮基、次甲基、胺基、酮基、噻唑基、萘醌基、吲哚啉基、二苯乙烯衍生物、靛酚衍生物、二苯基甲烷衍生物、蒽醌衍生物、三芳基甲烷衍生物、二吖嗪衍生物、靛蓝衍生物、咕吨衍生物、恶嗪衍生物、酞菁衍生物、吖啶衍生物、噻嗪衍生物、含有硫原子的化合物、及含有金属离子的化合物所组成的群组的至少一种。8.根据权利要求7所述的金属纳米线，其特征在于，所述发色团包含选自由Cr错合物、Cu错合物、Co错合物、Ni错合物、Fe错合物、偶氮基、及吲哚啉基所组成的群组的至少一种。9.根据权利要求2所述的金属纳米线，其特征在于，结合在所述金属上的基为硫醇基及二硫化物基中的至少一个。10.根据权利要求1～3和5～9中任意一项所述的金属纳米线，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：石井康久，水野幹久，原忍，岩田亮介，
申请(专利权)人：迪睿合电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP