半导体装置制造方法及图纸

目的在于提供具有优异的散热性和电磁波抑制效果的半导体装置。为了解决上述课题，本发明专利技术的半导体装置(1)具备：半导体元件(30)，形成在基板(50)上；导电屏蔽罩(20)，具有开口部(21)；导电冷却构件(40)，设置在该导电屏蔽罩(20)的上部；导热片(10)，至少通过开口部(21)而被形成在所述半导体元件(30)与所述导电冷却构件(40)之间；以及导电性构件(11)，将所述导电屏蔽罩(20)与所述导电冷却构件(40)电连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及具有优异的散热性和电磁波抑制效果的半导体装置。
技术介绍
近年来，电子设备趋向于小型化，另一方面由于应用程序的多样性而无法使耗电量产生太大变化，因此更加重视设备内的散热对策。作为上述电子设备中的散热对策，广泛利用由铜和/或铝等这样的导热率高的金属材料制成的散热板、热管、或者散热片等。为了实现散热效果或设备内的温度缓解，这些导热性优异的散热部件被配置为接近作为电子设备内的发热部的半导体封装等电子部件。另外，这些导热性优异的散热部件被从作为发热部的电子部件一直配置到低温的位置。但是，电子设备内的发热部是电流密度高的半导体元件等电子部件，电流密度高被认为是能够成为不必要的辐射成分的电场强度或磁场强度大的情况。因此，如果将由金属制成的散热部件配置在电子部件的附近，则进行吸收热量的同时存在也会拾取在电子部件内流通的电信号的高次谐波分量的问题。具体而言，因为散热部件是利用金属材料制成，所以存在其自身作为高次谐波分量的天线而发挥功能，或者作为高次谐波噪声分量的传递路径而起作用的情况。因此，期望开发实现了散热性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：/n半导体元件，形成在基板上；/n导电屏蔽罩，与地线连接且具有开口部；/n导电冷却构件，设置在所述导电屏蔽罩的上部；/n导热片，至少通过所述导电屏蔽罩的开口部而被形成在所述半导体元件与所述导电冷却构件之间；以及/n导电性构件，被形成在所述导电屏蔽罩的上表面与所述导电冷却构件的下表面之间，将所述导电屏蔽罩与所述导电冷却构件电连接。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180404 JP 2018-0727701.一种半导体装置，其特征在于，具备：
半导体元件，形成在基板上；
导电屏蔽罩，与地线连接且具有开口部；
导电冷却构件，设置在所述导电屏蔽罩的上部；
导热片，至少通过所述导电屏蔽罩的开口部而被形成在所述半导体元件与所述导电冷却构件之间；以及
导电性构件，被形成在所述导电屏蔽罩的上表面与所述导电冷却构件的下表面之间，将所述导电屏蔽罩与所述导电冷却构件电连接。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述导电性构件的隔着所述导热片相对的导电性构件彼此的间隔为所述半导体元件的最大频率下的波长的1/10以下。


3.根据权利要求2所述的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：久村达雄，
申请(专利权)人：迪睿合电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP