【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种阵列基板、显示装置及其驱动方法。
技术介绍
指纹是人体与生俱来的、独一无二、固定不变、可与他人区分开的识别特征,其最重要的是谷脊纹路特征。指纹识别技术具有精度高、速度快、价格低、用户接受度高等优点,已经广泛应用于个人身份验证领域。目前,如何在显示装置的显示区域实现指纹识别逐渐被关注,如图1所示,为具有指纹识别功能的显示装置,其中,指纹识别传感器被集成在显示装置的子像素中。具体的,每个指纹传感器由一个光敏二极管L和一个薄膜晶体管T组成,光敏二极管L的阳极连接Vcom电压端,阴极连接薄膜晶体管T1的第一电极,薄膜晶体管T的栅极连接栅线GL,第二电极连接读取信号线RL。其工作原理为:在栅线GL打开时,由于指纹谷脊间的差异,显示装置发出的光照射到手指上的会产生不同强度的反射,使得到达光敏二极管L处的光强不同,因而可产生不同的光电流,该光电流直接通过导通的薄膜晶体管T传出至读取信号线RL。基于此,当栅线GL逐行打开时,与每一行栅线GL连接的指纹传感器便可将检测到的光电流传输至读取信号线RL,通过汇总每条读取数据线RL读取的电流,即可实现对指纹谷脊的识别。然而,由于现有技术中采用曝光(光敏二极管L产生电流的过程)与读取同时进行的方式,即栅线GL打开一次,既要完成曝光也要完成读取,使得每帧所用的时间较长,然而在长时间的曝光读取过程中手指很有可能发生细微移动,从而影响所读取的指纹的准确性,进而影响检测精度,导致检测失败。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板、显示装置及其驱动方法,可
提高指纹检测精度。为达 ...
【技术保护点】
一种阵列基板,包括多个子像素,其特征在于,至少一个子像素构成一个重复单元,位于重复单元中的其中一个子像素还包括指纹识别组件,所述指纹识别组件包括指纹识别元件和开关元件;所述开关元件分别连接栅线、读取信号线和所述指纹识别元件,用于在所述栅线的控制下开启,以使所述指纹识别元件和所述读取信号线导通;所述指纹识别元件还连接第一电压端和转移信号线,用于在所述第一电压端的控制下对指纹信息进行采集,并在所述转移信号线的控制下存储,以在所述指纹识别元件和所述读取信号线导通时,将所述指纹信息传出至所述读取信号线。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,包括多个子像素,其特征在于,至少一个子像素构成一个重复单元,位于重复单元中的其中一个子像素还包括指纹识别组件,所述指纹识别组件包括指纹识别元件和开关元件;所述开关元件分别连接栅线、读取信号线和所述指纹识别元件,用于在所述栅线的控制下开启,以使所述指纹识别元件和所述读取信号线导通;所述指纹识别元件还连接第一电压端和转移信号线,用于在所述第一电压端的控制下对指纹信息进行采集,并在所述转移信号线的控制下存储,以在所述指纹识别元件和所述读取信号线导通时,将所述指纹信息传出至所述读取信号线。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述指纹识别元件包括光敏二极管、第一晶体管以及存储电容;所述第一晶体管的栅极连接所述转移信号线,第一极连接所述光敏二极管的阴极,第二极连接所述开关元件;所述光敏二极管的阳极连接所述第一电压端;所述存储电容的一端连接所述光敏二极管的阳极,另一端连接所述第一晶体管的第二极。3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述开关元件包括第二晶体管;所述第二晶体管的栅极连接所述栅线,第一极连接所述指纹识别元件,第二极连接所述读取信号线。4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第二晶体管和所述第一晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管;所述第二晶体管的有源层包括第一重掺杂区和第二重掺杂区;所述第一重掺杂区与所述读取信号线电连接;所述第一晶体管的有源层包括第三重掺杂区和第四重掺杂区;所述第三重掺杂区和所述第二重掺杂区共用;所述光敏二极管包括P型半导体层、本征半导体层和N型半导体层;所述光敏二极管的P型半导体层或N型半导体层与所述第四重掺杂区共用。5.根据权利要求3或4所述的阵列基板,其特征在于,所述每个子像素均包括显示元件,所述显示元件包括第三晶体管、第四晶体管和像素电极;所述第三晶体管的栅极连接所述栅线,第一极连接所述数据线,第二极连接所述第四晶体管的第一极;所述第四晶体管的栅极连接所述栅线,第二极连接所述像素电极。6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第三晶体管和所述第四晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管;所述第三晶体管的有源层包括第五重掺杂区和第六重掺杂区,所述第五重掺杂区与所述数据线电连接;所述第四晶体管的有源层包括第七重掺杂区和第八重掺杂区,所述第八重掺杂区与所述像素电极电连接;其中,所述第七重掺杂区和所述第六重掺杂区共用。7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,一个重复单元为一个像素。8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述像素单元中的一个子像素为蓝色子像素,所述指纹识...
【专利技术属性】
技术研发人员:丁小梁,董学,王海生,陈小川,刘英明,刘伟,王鹏鹏,杨盛际,李昌峰,赵卫杰,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,北京京东方光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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