一种阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，可降低制作阵列基板时使用构图工艺的次数。该阵列基板包括：第一电极层，所述第一电极层包括：保留图案和第一电极；位于所述第一电极层上的栅金属层，所述栅金属层包括：位于所述保留图案上、且与所述保留图案直接接触的栅金属图案；第二电极层，所述第二电极层包括：与所述第一电极相对设置的第二电极，其中，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极；或者，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极。该阵列基板可应用于阵列基板的制作过程中。

【技术实现步骤摘要】
201610481624

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：第一电极层，所述第一电极层包括：保留图案和第一电极；位于所述第一电极层上的栅金属层，所述栅金属层包括：位于所述保留图案上、且与所述保留图案直接接触的栅金属图案；第二电极层，所述第二电极层包括：与所述第一电极相对设置的第二电极，其中，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极；或者，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：第一电极层，所述第一电极层包括：保留图案和第一电极；位于所述第一电极层上的栅金属层，所述栅金属层包括：位于所述保留图案上、且与所述保留图案直接接触的栅金属图案；第二电极层，所述第二电极层包括：与所述第一电极相对设置的第二电极，其中，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极；或者，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极层位于所述栅金属层上方，所述阵列基板还包括：位于所述栅金属层上的栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上的源漏金属层，所述源漏金属层包括：源极和漏极，数据线；位于所述源漏金属层上的钝化层；其中，所述第二电极层位于所述钝化层上。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层内设置有第一过孔，所述漏极通过所述第一过孔与所述第二电极电连接，使得所述第二电极为像素电极。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述栅绝缘层内设置有第二过孔，所述漏极通过所述第二过孔与所述第一电极电连接，使得所述第一电极为像素电极。5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极层还包括：连接图案；所述钝化层内设置有第三过孔，所述连接图案通过所述第三过孔与所述漏极连接；所述阵列基板还具有贯穿所述钝化层和所述栅绝缘层的第四过孔，所述连接图案通过所述第四过孔与所述第一电极连接，使得所述第一电极为像素电极。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：崔贤植，田允允，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11