薄膜晶体管基底、其制造方法、显示装置及其制造方法制造方法及图纸

提供了一种薄膜晶体管(TFT)基底、包括TFT基底的显示装置、制造TFT基底的方法和制造显示装置的方法。所述薄膜晶体管(TFT)基底包括：基底；TFT，在基底上；以及绝缘层，包括至少一个虚设孔，所述至少一个虚设孔在TFT的上部区域和TFT的外围区域中的一个或更多个中，在至少一个虚设孔中填埋的材料是与绝缘层的材料不同的绝缘材料。

【技术实现步骤摘要】
201610082176

【技术保护点】
一种薄膜晶体管基底，所述薄膜晶体管基底包括：基底；薄膜晶体管，在所述基底上；以及绝缘层，包括至少一个虚设孔，所述至少一个虚设孔在所述薄膜晶体管的上部区域或所述薄膜晶体管的外围区域中的一个或更多个中，在所述至少一个虚设孔中填埋的材料是与所述绝缘层的材料不同的绝缘材料。

【技术特征摘要】
2015.02.09 KR 10-2015-00196631.一种薄膜晶体管基底，所述薄膜晶体管基底包括：基底；薄膜晶体管，在所述基底上；以及绝缘层，包括至少一个虚设孔，所述至少一个虚设孔在所述薄膜晶体管的上部区域或所述薄膜晶体管的外围区域中的一个或更多个中，在所述至少一个虚设孔中填埋的材料是与所述绝缘层的材料不同的绝缘材料。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基底，其中，所述绝缘层包括至少一个接触孔，导电材料填埋在所述至少一个接触孔中。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基底，其中，所述至少一个虚设孔与所述至少一个接触孔具有相同的宽度。4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基底，其中：所述薄膜晶体管包括在所述基底上的有源图案和与所述有源图案的至少一部分叠置的栅电极，所述薄膜晶体管基底还包括通过在所述至少一接触孔中填埋的所述导电材料电连接到所述有源图案的导电层，并且所述绝缘层是在所述栅电极与所述导电层之间的层间绝缘层。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管基底，所述薄膜晶体管基底还包括覆盖所述绝缘层和所述导电层的平坦化层，其中，所述平坦化层的一部分填埋在所述至少一个虚设孔中。6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管基底，所述薄膜晶体管基底还包括在所述有源图案与所述栅电极之间的栅极绝缘层，其中，所述至少一个虚设孔包括穿透所述栅极绝缘层并延伸到所述基底的上表面的第一虚设孔。7.根据权利要求4所述的薄膜晶体管基底，其中，所述至少一个虚设孔包括延伸到所述栅电极的上表面的第二虚设孔。8.根据权利要求4所述的薄膜晶体管基底，所述薄膜晶体管基底还包括：第一栅极绝缘层，在所述有源图案与所述栅电极之间，所述第一栅极绝缘层包括氧化硅；以及第二栅极绝缘层，在所述第一栅极绝缘层与所述栅电极之间，所述第二栅极绝缘层包括氮化硅。9.根据权利要求4所述的薄膜晶体管基底，其中，所述栅电极包括铝。10.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基底，其中：所述薄膜晶体管包括在所述基底上的有源图案和与所述有源图案的至少一部分叠置的栅电极，并且所述薄膜晶体管基底还包括：第一导电层，在所述栅电极上，所述第一导电层包括与所述栅电极的至少一部分叠置的上电极，其中，所述上电极和所述栅电极形成电容器；以及第二导电层，包括通过在所述至少一个接触孔中填埋的所述导电材料电连接到所述上电极的电源线，所述电源线将电源电压施加到所述上电极，其中，所述绝缘层是在所述第一导电层与所述第二导电层之间的层间绝缘层。11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管基底，所述薄膜晶体管基底还包括覆盖所述绝缘层和所述第二导电层的平坦化层，其中，所述平坦化层的一部分填埋在所述至少一个虚设孔中。12.根据权利要求10所述的薄膜晶体管基底，所述薄膜晶体管基底还包括：栅极绝缘层，在所述有源图案与所述栅电...

【专利技术属性】
技术研发人员：金铉哲，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR