【技术实现步骤摘要】
201610226880
【技术保护点】
一种像素结构，其特征在于，包括：一第一数据线；一第一子像素，包括一第一晶体管及一第一像素电极，该第一晶体管具有一第一端及一第二端，该第一端连接至该第一数据线，该第二端连接至该第一像素电极，该第一像素电极具有一第一宽度，而该第一端与该第一数据线之间的距离小于该第一宽度；及一第二子像素，包括一第二晶体管及一第二像素电极，该第二晶体管具有一第一端及一第二端，该第二晶体管的该第一端连接至该第一数据线，该第二晶体管的该第二端电连接至该第二像素电极，该第二像素电极具有一第二宽度，其中该第一子像素沿垂直该第一数据线的方向设置于该第二子像素与该第一数据线之间，且该第二晶体管的该第一端与该第一数据线之间的距离小于该第一宽度。
【技术特征摘要】
2016.03.10 TW 1051072801.一种像素结构，其特征在于，包括：一第一数据线；一第一子像素，包括一第一晶体管及一第一像素电极，该第一晶体管具有一第一端及一第二端，该第一端连接至该第一数据线，该第二端连接至该第一像素电极，该第一像素电极具有一第一宽度，而该第一端与该第一数据线之间的距离小于该第一宽度；及一第二子像素，包括一第二晶体管及一第二像素电极，该第二晶体管具有一第一端及一第二端，该第二晶体管的该第一端连接至该第一数据线，该第二晶体管的该第二端电连接至该第二像素电极，该第二像素电极具有一第二宽度，其中该第一子像素沿垂直该第一数据线的方向设置于该第二子像素与该第一数据线之间，且该第二晶体管的该第一端与该第一数据线之间的距离小于该第一宽度。2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一晶体管的该第二端与该第一像素电极之间的距离小于该第一宽度。3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包含：一第二数据线，其中该第一子像素与该第二子像素设置于该第一数据线与该第二数据线之间；一第三子像素，设置于该第一数据线与该第二数据线之间，并包括一第三晶体管及一第三像素电极，该第三晶体管具有一第一端及一第二端，该第三晶体管的该第一端连接至该第二数据线，该第三晶体管的该第二端连接至该第三像素电极，该第三像素电极具有一第三宽度，而该第三晶体管的该第一端与该第二数据线之间的距离小于该第三宽度；及一第四子像素，设置于该第一数据线与该第二数据线之间，并包括一第四晶体管及一第四像素电极，该第四晶体管具有一第一端及一第二端，该第四晶体管的该第一端连接至该第二数据线，该第四晶体管的该第二端电连接至该第四像素电极，该第四像素电极具有一第四宽度，其中该第三子像素沿垂直该第一数据线的方向设置于该第四子像素与该第二数据线之间，且该第四晶体管的该第一端与该第二数据线之间的距离小于该第三宽度。4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一宽度、该第二宽度、该第三宽度与该第四宽度大体上相等。5.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于，该第三晶体管的该第二端与该第三像素电极之间的距离小于该第三宽度。6.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于，另包含第一栅极线、一第二栅极线、一第三栅极线及一第四栅极线，其中该第二栅极线与该第三栅极线相邻，该第一子像素及该第二子像素设置于该第一栅极线及该第二栅极线之间，而该第三子像素及该第四子像素设置于该第三栅极线及该第四栅极线之间；其中该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管及该第四晶体管各另包括一控制端，而该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管及该第四晶体管的该控制端分别耦接至该第一栅极线、该第二栅极线、该第三栅极线及该第四栅极线。7.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，另包含一第一栅极线及一第二栅极线，其中该第一晶体管及该第二晶体管各另包括一控制端，该第一晶体管的...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈勇邑，郑佳阳，陈冠宇，叶俊显，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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